Hallo zusammen, ich habe eine kurze Verständnisfrage zu bidirektionalen Switches mit zwei N-Kanal-Mosfets. Kurz zum Hintergrund: Ich suche nach einer Möglichkeit, mehrere Antennen mit einem MFRC522 RFID-Modul anzusteuern. In einer entsprechenden Guideline von NXP ist beschrieben, wie man nicht benötigte Antennen mit MOSFETS auf den Grund kurzschließen kann, um sie zu deaktivieren. So kann man gezielt einzelne Antennen aktivieren, um sie auszulesen, andere Antenne sind dann deaktiviert und verursachen keine Störungen. Hier wird das Thema bereits diskutiert (https://electronics.stackexchange.com/questions/521345/rfid-antenna-multiplexer), dort wird die Guideline auch verlinkt, im Anhang ein Screenshot der Schaltung, um die es geht. Hier hab ich eine spezifische Frage: In dem Screenshot sieht es so aus, als ob der MOSFET normal leitend ist, allerdings wird in der Guideline auf die 2N7002P-Reihe von NXP verwiesen, das sind n-kanal enhancement mode MOSFETS, also normal nicht leitend. Also nehme ich an, dass das einfach ein Druckfehler ist. Man sieht, dass die beiden Sources der MOSFETS verbunden sind. In ähnlichen Konfigurationen, die ich gesehen habe, wird allerdings meistens ein recht hochohmiger Widerstand zwischen den gemeinsamen Sources und einem Bezugspotential (Ground) geschaltet. In dem vorliegenden Fall allerdings nicht. Ich habe mal beides in LT Spice simuliert und beides funktioniert. Kann mir jemand erklären, wo im zweiten Fall das Bezugspotential herkommt? Den Messungen nach liegt das Potential an den isolierten Gates, wenn die MOSFETS geschlossen sind, immer zwischen 0 und - Volt. Die Kurve ist im Anhang, rot die Spannung an den Sources, links die Spannung an den Enden der Antenne, in dem Fall, dass die MOSFETS nicht leitend sind. Viele Grüße Jochen
Habe den zweiten Anhang vergessen, hier ist er!
Jochen schrieb: > Habe den zweiten Anhang vergessen, hier ist er! Zum Verständnis: Ja, das funktioniert mit 2N7002. Male Dir die intrischen Dioden mal ein. Und dann bedenke, dass der Kanal eines NMOS immer dann leitet, wenn die gemeinsame gate-Spannung positiver als die source ODER das drain ist. Und das Ganze sperrt, wenn das gemeinsame gate auf GND gezogen wird. Das geht natürlich nur mit MOSFETs, nicht mit BJTs.
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Bearbeitet durch User
Vielen Dank für die Antwort, dann verstehe ich es also richtig, dass die Konfiguration nicht immer sperrt - wenn also an einer Seite der Antenne eine entsprechend negative Spannung anliegt, fließt also durchaus doch Strom zwischen der Seite der Antenne und dem Ground? Habe es mal ohne die Schaltung mit den Mosfets simuliert, da liegt die Spannung an der Antenne um einen Faktor 5 höher. Da muss ich mal schauen, ob mit der Schaltung nicht zu viel Energie verloren geht. Grüße Jochen
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