Übersicht von Gehäusekapazitäten

Ok, ich meine zwei Gehäuse der BB201 Varicap-Diode, sowie zwei Gehäuse 
der BAR43S. Beides sind SOT23 Gehäuse.

Wieso liegt es am Innenleben, welche Werte die Gehäuse haben?

mfg

Hi

>Wieso liegt es am Innenleben, welche Werte die Gehäuse haben?

Und du meinst, die sind bei allen Herstellern identisch?

MfG Spess

Ob sie identsich sind, glaube ich auch nicht. Aber ich würde gerne den 
Bereich wissen. Würde ein Gehäuse 3--5pF an Kapazität haben, würde ich 
gute theoretische Ergebnisse haben.
Daher gilt meine gestellte Theorie in meiner DA nur dann, wenn ich diese 
Gehäusekapazität mit hineinrechne.

mfg

Wie wäre es einfach mal mit messen? An der Uni sollte es ja 
entsprechende Messgeräte geben.

GehäuseC schrieb:
> Würde ein Gehäuse 3--5pF an Kapazität haben, würde ich
> gute theoretische Ergebnisse haben.

Soviel hat ein Pin eines DIL-Gehäuses; allerdings: einschließlich der 
Eingangsschutzdioden des Chips (2-4pF für die Dioden geschätzt).

Ein leeres SOT-23-Gehäuse sollte weniger haben.

Gruß Anja

Noch was:

Wahrscheinlich haben die Pads (zur Massefläche) und die Lötzinnkugeln 
mehr Kapazität als das Gehäuse selbst.

Gruß Anja

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* SIEMENS Small Signal Semiconductors
* RF-PACKAGE EQUIVALENT CIRCUIT (COMPACT SOFTWARE SYNTAX)
* VALID UP TO 6 GHZ
* >>> SOT23 <<< (RF-BJT-PACKAGE)
* Extracted on behalf of SIEMENS Small Signal Semiconductors by
* Institut fuer Mobil- und Satellitenfunktechnik (IMST)
* (C) 1996 SIEMENS AG
* Version 1.0    September 1996
***************************************************************
*
*                           CCB
*             (10)          | |          (20)
*              +------------| |------------+
*              |            | |            |
*         LBO  |  LBI                 LCI  |  LCO
*     B---LLL--+--LLL---B' CHIP  C'---LLL--+--LLL---C
*   (100)      |       (1)   E'  (2)       |       (200)
*              |             |             |
*              |             | (3)         |
*            -----           L           -----
*            ----- CBE       L LEI       ----- CCE
*              |             |             |
*              +-------------+-------------+
*                            | (30)
*                            L
*                            L LEO
*                            |
*                            E (300)
*
BLK
     IND    1   10    L=0.85nH       ; LBI
     IND    2   20    L=0nH          ; LCI
     IND    3   30    L=0.69nH       ; LEI
     CAP   10   20    C=84fF         ; CCB
     CAP   20   30    C=165fF        ; CCE
     CAP   30   10    C=73fF         ; CBE
     IND   10  100    L=0.51nH       ; LBO
     IND   20  200    L=0.49nH       ; LCO
     IND   30  300    L=0.61nH       ; LEO
     PACK: 6POR  1  2  3  100  200  300
     *           B' C' E'  B    C    E
END
***************************************************************
* PACK = NAME OF PACKAGE BLOCK
* 1    = BASE OF CHIP
* 2    = COLLECTOR OF CHIP
* 3    = EMITTER OF CHIP
* 100  = BASE OF COMPLETE TRANSISTOR IN PACKAGE
* 200  = COLLECTOR OF COMPLETE TRANSISTOR IN PACKAGE
* 300  = EMITTER OF COMPLETE TRANSISTOR IN PACKAGE
*   + GUMMEL-POON NONLINEAR TRANSISTOR MODEL MUST BE ADDED
*     TO NODE NO. 1(B), 2(C) and 3(E)
***************************************************************