Zum Herunterziehen einer Spannung auf 0V (1,4 V vertretbar) suche ich
eine Lösung. Der Schalter ist ein NPN-Transistor in einem externen
Gerät. Die Diode ist zur Entkopplung nötig. Eine Schottky-Diode 1N5819
tät's theoretisch, ist aber mit 40V gerade an der Grenze. 1A sind auch
nicht nötig. Suche ich nach Schottkydioden höherer Spannung, geht das
immer einher mit höherem Strom und damit auch mit größerer Bauform.
Ratschläge willkommen.
Grüße
Christoph
Diode umdrehen und den 33k direkt an den Schalter hängen.
Oder falls die Diode als Verpolungsschutz dienen sollte,
einfach eine 2.D zwischen R,D und TR-Basis.
ChristophK schrieb:> Zum Herunterziehen einer Spannung auf 0V suche ich> eine Lösung.
Wenn Du die die 1N4148 ersetzen willst, kannst Du jede beliebige
Kleinleistungs-Schottkydiode nehmen, da diese im Sperrbereich
nur mit 0,7V belastet wird.
> (1,4 V vertretbar)
Das stimmt nicht, da an der Basis im Regelbetrieb nur 0,7V liegen.
Unabhängig davon, die gesamte Schaltung macht nur wenig Sinn.
Was willst Du damit insgesamt erreichen?
ChristophK schrieb:> tät's theoretisch, ist aber mit 40V gerade an der Grenze
Ja, das ist die obere Grenze der Versorgungsspannung. Aber bei welcher
Konstellation erwartest Du denn, dass die in Gaenze an Deiner Diode
anliegt?
Der Schalter, der ja anscheinend in Wirklichkeit ein NPN-Transistor sein
soll, waere laut Bild ja Open-Collector. Zum Spannungsabfall an der
Diode kommt auch immer noch 0.1-0.2V an der voll durchgeschalteten CE
Strecke dieses NPN-Transistors hinzu. Das wird schon ziemlich knapp mit
dem sauberen Schalten ueber den ganzen Temperaturbereich.
Es waere gut, wenn Du ein Schaltbild generieren koenntest, das Deine
Problemstellung auch wiederspiegelt und verraetst, was Du mit der ganzen
Sache erreichen moechtest.
An der Basis-Emitter Strecke des Transistors werden allerhöchstens 0,8V
anliegen. Die Diode braucht gar keine 40V auszuhalten.
Es ist aber wichtig, dass die die Spannung auf deutlich weniger als 0,6V
herunter ziehen kann. Eine 1N4148 reicht daher nicht, Schottky war schon
der richtige Ansatz.
Wenn der Schalter am Eingang aber in Wirklichkeit ein Halbleiterbauteil
ist, funktioniert es eventuell nicht einmal mit der Schottky Diode. Das
hat Muschelkalk gut erkannt.
ChristophK schrieb:> Die Diode ist zur Entkopplung nötig.
Das erklär mal, wie mit deiner Diode irgendetwas entkoppelt wird.
Wer soll wovon entkoppelt werden und was hat es mit den 40V auf sich?
Für die Diode ist die Betriebsspannung der Schaltung doch völlig egal.
Bau die mal in LTSpice nach und guck's dir an.
ChristophK schrieb:> Der Schalter ist ein NPN-Transistor in einem externen Gerät.
Dann reicht es doch auch mit BAS 70-02W Schottky Diode, 70V / 70mA,
SCD-80 2-Pin Schottky nicht, sicher dem NPN den Basisstrom wegzuleiten.
Bau deine Schaltung um, Basispannungsteiler.
Ich poste mal die ganze Schaltung. Entkopplung von einem 2.
Eingangssignal (DTL-Logik, NAND). Bitte jetzt mal den Analogteil und
Netzteil der Schaltung außer acht lassen. Es geht nur um das
Funktionieren der Schaltlogik.
Grüße
Christoph
ChristophK schrieb:> Ich sehe gerade, wenn ich die externen Schalter als Transistoren in> LTspice simuliere, klappt's nicht so, wie es soll.
Siehst du, das bestätigt den Hinweis von Muschelkalk.
Carl D. schrieb:> wobei ich statt Spannungsteiler an der Basis eher eine Diode in Serie> hängen würde. Die erhöht die "Ube" um 0,7V.
Besser, wie im Text auch genannt, zwei Dioden nehmen und in Reihe als
Ersatz von R3. Mit nur einer Diode ist sonst nicht unbedingt
sichergestellt, dass UBE niedrig genug gegenüber UCE von dem "Schalter"
ist. R4 sollte man auch nicht weglassen, der dürfte das
Ausschaltverhalten je nach Dioden- und Transistortyp deutlich
verbessern.
qwertzuiopü+ schrieb:> Carl D. schrieb:>> wobei ich statt Spannungsteiler an der Basis eher eine Diode in Serie>> hängen würde. Die erhöht die "Ube" um 0,7V.>> Besser, wie im Text auch genannt, zwei Dioden nehmen und in Reihe als> Ersatz von R3. Mit nur einer Diode ist sonst nicht unbedingt> sichergestellt, dass UBE niedrig genug gegenüber UCE von dem "Schalter"> ist. R4 sollte man auch nicht weglassen, der dürfte das> Ausschaltverhalten je nach Dioden- und Transistortyp deutlich> verbessern.
Negative Betriebsspannung habe ich nicht zur Verfügung. Dann lieber
vielleicht den Emitter hochsetzen mit einer Diode, was ich ursprünglich
auch hatte, aber ich war jetzt dabei, die Zahl der Bauelemente zu
minimieren (= Schaltung zu vereinfachen).
ChristophK schrieb:> Negative Betriebsspannung habe ich nicht zur Verfügung.
Brauchst du nicht. Mit den zwei Dioden statt R3 und einem Pulldown gegen
Masse schaltet der Transistor sicher ab. Mit einem Spannungsteiler
weniger "scharf".
qwertzuiopü+ schrieb:> ChristophK schrieb:>> Negative Betriebsspannung habe ich nicht zur Verfügung.>> Brauchst du nicht. Mit den zwei Dioden statt R3 und einem Pulldown gegen> Masse schaltet der Transistor sicher ab. Mit einem Spannungsteiler> weniger "scharf".
Ich nehme an, so war der Tip gemeint:
Gut, werde ich dann so umsetzen. Wird zwar ein Diodengrab, weniger
Bauelemente wären mir lieber gewesen. Hatte schon mal an MOC207 gedacht.
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