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Überspannungsspitzen response
Gast
#6786606
Hallo Ich habe nur eine schnelle Frage. Zu den meisten Dioden sind gar keine response times angegeben zB der BAS16. Woher weiss man, dass diese viel zu langsam ist zB für schnelle Überspannungen im us Bereich? Du schaust nach der 'Reverse Recovery Time', die z.B. bei der BAS16 bei etwa 4ns liegt. Ist sie nicht angegeben (wie z.B. meist bei der 1N4001-4007), ist die Diode meist schnarchlangsam. Praktisch jede Diode geht sauschnell an (in den leitenden Zustand übergehen), aber nicht jede geht sauschnell aus (Recovery time trr). Da es bei Deinem Überspannungsbeispiel um das Angehen geht, ist praktisch jede dafür geeignet (solange wir weiterhin von µs sprechen).
Gast
#6786641
Vielen Dank, also sollte das zeitlich keine Rolle spielen. Dann kann ich ja getrost die Diode https://www.mouser.ch/datasheet/2/308/1/NSR05T40XV2_D-2318283.pdf einsetzen, wenn während einer Pulslänge von ca. 30us ca. 1A fliessen. Der angegebene wiederholte Puls Repetitive Peak Forward Current (Pulse Wave = 1 sec, Duty Cycle = 66%) ist mit 1 sec. angegeben.
Gast
#6786662
Jens G. schrieb: > Praktisch jede Diode geht sauschnell an Nein. trr läßt auf die Größenordnung der rise time schließen. Aber auch overshoot bei bestimmten Wellenformen ist idR nicht dokumentiert. https://www.analog.com/en/technical-articles/diode-turn-on-time-induced-failures-in-switching-regulators.html Helge schrieb: > Jens G. schrieb: >> Praktisch jede Diode geht sauschnell an > Nein. Doch. > trr läßt auf die Größenordnung der rise time schließen. Aber auch > overshoot bei bestimmten Wellenformen ist idR nicht dokumentiert. > https://www.analog.com/en/technical-articles/diode-turn-on-time-induced-failures-in-switching-regulators.html Ich (bzw. der TO) habe doch genau die Rahmenbedingungen genannt, für die meine Aussage galt. Der von Dir genannte Link sprengt eindeutig diese Rahmenbedingungen, und ist damit nicht dazu geeignet, meine Aussage zu widerlegen. Antwort schreiben |
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