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Licht emittierender Transistor
Gast
#5880696
Hallo Leute, warum gibt es eigentlich keine LETs, also Licht emittierende Transistoren. Am Basisanschluss könnte man dann vielleicht die Durchlassspannung einstellen, und damit die zu emittierende Wellenlänge. Bei normalen LED's ist das (Faustformel) U = 1240V / Wellenlänge in Nanometer Btw. Ich hatte schon oft RETs auf meinem Basteltisch, also Rauch emittierende Transistoren ;-)
Gast
#5880704
Oh, ist da ein neuer Nick Holonyak am Horizont erschienen? Oder doch nur ein ziemlich mieser Troll Versuch Bastelfreund schrieb: > Btw. Ich hatte schon oft RETs auf meinem Basteltisch, also Rauch > emittierende Transistoren ;-) Konntest du bei denen die Farbe des Rauchs (bspw. rot, blau oder gelb) einstellen? Siehst du, bei den LETs geht das genauso wenig. Ansonsten: https://en.wikipedia.org/wiki/Light-emitting_transistor https://en.wikipedia.org/wiki/Organic_light-emitting_transistor Hättest aber auch selber draufkommen können :) Bastelfreund schrieb: > Hallo Leute, warum gibt es eigentlich keine LETs, also Licht > emittierende Transistoren na ja die muste man früher selbst herstellen, BC107B im Metall-Case, den Deckel absägen, dann konnte das Licht auch raus wenn man genügend Startenergie reingesteckt hat.
Gast
#5880729
Kopfschüttel schrieb: > Oh, ist da ein neuer Nick Holonyak am Horizont erschienen? > > Oder doch nur ein ziemlich mieser Troll Versuch Weder noch, ich hatte wohl einen leichten Schlaganfall In der Nacht und bin seit dem etwas verblödet. Ich hätte wohl nicht selbstständig meine Tabletten (Candesartan) absetzen sollen. Die Bücher zur Halbleiter Physik verstehe ich nicht mehr, aber an Kinderbüchern wie Rico Oscar und das Vomhimmelhoch habe ich immer noch meine Freude.
Gast
#5880731
Bastelfreund schrieb: > Am Basisanschluss könnte man dann vielleicht > die Durchlassspannung einstellen, und damit die zu emittierende > Wellenlänge. Für die Wellenlänge ist eine materialspezifische Spannung der PN-Schicht verantwortlich die hat nichts mit der stromabhängigen Durchlassspannung zu tun. Wenn, wäre die Spannung an der PN-Schicht der Basis maßgebend. Die ist außen annähernd als UBE messbar. "Basisspannung" ist eher die Spannung Basis gegen GND und die hat mit dem Vorgang im Innern des Ts nun garnichts zu tun. Also nix mit Einstellung der Wellenlänge. Bastelfreund schrieb: > warum gibt es eigentlich keine LETs bei der niedrigen Durchlassspannung von Ge- oder Si-Übergängen würde bestenfalls sehr langwelliges IR-Licht entstehen. Setz halt mal die 0,6V für Si oder die 0,3V für Ge in Deine (hässlich zugeschnittene) Gleichung ein. m.W. ist Si oder Ge sogar für die erzeugte Wellenlänge der Sperrschicht undurchsichtig. Antwort schreiben |
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