Gast
#723619
Wie kann ich herausfinden, ob ein Transistor defekt ist bzw. nicht richtig arbeitet(z.B. nicht ganz durchschaltet)? Ist es auch möglich ihn im eingebauten Zustand zu prüfen?
Ralf wrote: > Wie kann ich herausfinden, ob ein Transistor defekt ist bzw. nicht > richtig arbeitet(z.B. nicht ganz durchschaltet)? > Ist es auch möglich ihn im eingebauten Zustand zu prüfen? Teilweise möglich. Wenn der Transistor in Betrieb ist und Du kannst von C nach E einen Spannungsabfall von 600 - 900 mV messen dann sollte er durchgeschaltet sein. Wenn die Spannung wesentlich kleiner ist, dann ist er Durchlegiert. Wenn die Spannung größer 1V ist dann ist der Transistor nicht ganz durchgeschaltet. Grüße Björn
Gast
#723648
Also ein richtig durchgeschalteter Bipolartransistor kommt auch schon mal auf 0.2 bis 0.3 Volt für VCE.
Gast
#723655
Gilt das auch für MOSFETs?
der mechatroniker wrote: > Also ein richtig durchgeschalteter Bipolartransistor kommt auch schon > mal auf 0.2 bis 0.3 Volt für VCE. Germanium? Bei Si-Typen habe ich noch keine gesehen die unter 500 mV gegangen wären. Grüße Björn
Ralf wrote:
> Gilt das auch für MOSFETs?
Ähnlich. Bei MOSFET steht ja im Datenblatt drin was für ein RdsOn der
hat wenn er voll durchgeschaltet ist, den Spannungsabfall kannst Du dann
über
U=R*I ausrechnen.
Was hast Du denn überhaupt für ein Problem ?
Schaltet dein FET nicht wie er soll?
Stichwort Gatekapazität
Grüße
Björn
Gast
#723702
Mich verwirren die Angaben im Datenblatt z.b.: http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf2907z.pdf Bei STATIC steht Vgs Min. 2V Max. 4V(Max Ratings +/-20V), aber da wird er doch wohl kaum voll durchgeschaltet sein. Was hat diese Angabe dann für eine Bedeutung? Deswegen weiß ich nicht wie hoch die Spannung sein sollte um voll durch zu steuern, und wollte es mal prüfen!
Gast
#723711
@Björn VCE unter 500mV sollte jeder gute Kleinsignal SI-Transistor erreichen, wenn er in die Sättigung geht. Beispiel BC548: http://www.ortodoxism.ro/datasheets/vishay/85113.pdf VCEsat = 80mV typ by IC = 10mA, IB = 0.5mA @Ralf Ein allererster Test beinhaltet die Leitfähigkeitsmessung mittels Multimeter über jeweils 2 der 3 Anschlüsse. Am besten die Einstellung Diodenprüfung verwenden. Bei einem NPN-Transistor bilden BC und BE jeweils eine Diode in Durchlassrichtung, wenn an der Basis positive Spannung anliegt. Hier sollte also ein geringer Widerstand messbar sein. In allen anderen Fällen sollte der Transistor sperren. Stimmt da was nicht, ist der Transistor vermutlich defekt. Bei einem PNP muss das Multimeter natürlich genau umgekehrt gepolt werden. Für eine genauere Prüfung muss die Stromverstärkung bestimmt werden. Viele Multimeter bieten das als Option. Wie gross die sein soll, steht im Datenblatt. Gruss Mike
Gast
#723716
>Bei Si-Typen habe ich noch keine gesehen die unter 500 mV gegangen wären. Wie immer hilft ein Blick ins DB: BC547 VCEsat = 100mV bei IC=30mA bei anderen Transistoren sieht auch nicht viel anders aus. (ups, seh gerade wurde schon beantwortet)
Angehängte Dateien:
-
VCEsat_BC547.gif
(24 KB)
Mike wrote: > @Björn > > VCE unter 500mV sollte jeder gute Kleinsignal SI-Transistor erreichen, > wenn er in die Sättigung geht. Beispiel BC548: > > http://www.ortodoxism.ro/datasheets/vishay/85113.pdf > VCEsat = 80mV typ by IC = 10mA, IB = 0.5mA Upps.. ja Stimmt natürlich, ich war in Gedanken bei der Kollektorschaltung... Grüße Björn