Hei Leute,
Ich will eine MOSFET-Treiberschaltung an meinen uC anhängen, um statt
TTL, wahlweise einen 5V oder 12V active high output zu haben. Dabei
stellte ich fest, dass bei Schaltungen, die ich mir angeschaut habe
immer ein Vorwiderstand vor den MOSFET-Gate-Eingängen war. Ich habe mir
gedacht, vielleicht ist das wegen der Kapazität der MOSFET's, so dass
der Widerstand zur Verminderung der hohen Anfangsströme wäre, bin mir
aber überhaupt nicht sicher. Und welcher Grund auch immer, wie BERECHNET
man diese Vorwiderstände dann? Ist hier einer der einem Anti-E-Techniker
das erklären kann???
Wäre echt nett.
VG van Tronje
Hallo,
der Gatewiderstand begrenzt einmal den Gatestrom, vor allem aber
unterbindet er hochfrequente Schwingungen, zu denen MOSFETs höherer
Leistung im Analogbetrieb und während der Umschaltphase neigen.
Berechnen ist schwierig. Man kann aus der benötigten Gateladung ungefähr
errechnen, wie lange es dauert, bis das Gate umgeladen ist. Das bestimmt
dann die Schaltzeit und damit die Umschaltverluste. Je kleiner der
Widerstand, desto geringer die Schaltzeit und Umschaltverluste und desto
größer die Schwingneigung. Wie niedrig der Gatewiderstand sein darf,
ohne dass des MOSFET zu HF-Schwingungen neigt, hängt ganz wesentlich vom
Layout der Schaltung ab.
Jörg
Nicht ganz richtig, weil der Widerstand durchaus (über)lebensnotwendig
für den treibenden Ausgang sein kann. Konkret sind die (4)42X-Treiber
mit Überströmen recht leicht zu killen...
Eine allgemeine (sichere) Formel für den Gate-R ist daher:
Rgate = max. Treiberspannung / max. Treiberstrom
was z.B. für einen 1A-Treiber bei 12V 12 Ohm ergibt.
Gruß Johannes
Wie oben schon beschrieben worden ist kommt es auf die Anwendung an
welchen Widerstand du verwenden sollst. Wichtig ist auch der FET den du
verwendest. Einen IRFZ640 z.B. kann man ohne weiteres direkt an einem
Port eines Atmega anschließen, wobei es sich dann natürlich empfielt
noch einen 10R Widerstand reinzuhängen.
Wenn du richtig große FET's verwendest empfielt sich vielleicht ein
fertiger Treiber IC.
Als Beispiel der IR2101
Danke für die Antworten,
werde mal meine Widerstände nach euren Vorschlägen dimensionieren.
Also wenn ich euch richtig verstanden habe, dann wird die Schaltzeit,
bei höherem R auch grösser, aber ich spare Leistung, so dass ich dem
MOSFET grad noch den benötigten Strom lassen werde.
Vielen Dank Leute nochmal.
klarstellung:
je kleiner der gate widerstd, desto schneller schaltet der mosfet,
aber: desto mehr belastest du den treiber (soweit er die x ampere
überhaupt kann :-) , sonst wird natürlich gar nix schneller
und je kleiner der r, desto mehr hf schwing...
Hallo,
bedenke aber auch, dass je länger die Umschaltzeit deines FETs ist,
desto mehr Wärmeverluste hast du in diesem. Kommt dann natürlich auf die
zu schaltende Leistung an.
FETs sind im Allgemeinen nicht für den analogen Regelbetrieb geeignet,
daher sollte man immer möglichst schnell schalten (bzw. takten).
Gruß
??? 12V X 50mA ??? MOSFET ??? LOL :)
Warum kompliziert wenn es auch einfach geht :) Nimm ein ULN2803 für acht
Ausgänge oder nimm einfach einen popeligen Transistor (z.B. BC547,
BC368, usw...).
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