[S] 2N2646 Unijunction-Transistoren

#7838378
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Tim 🔆 schrieb:

Ich suche 2-5 Stück 2N2646 Unijunction-Transistoren (NOS)

Früher hatte Reichelt den von CDIL ("Continental Device India Ltd.") im Angebot. Damals hatte ich mir einige davon auf Lager gelegt. Glaube eher nicht, dass ich sie noch mal benötigen werde, außer vielleicht mal einen zum Experimentieren. Falls noch Bedarf bestehen sollte, würde ich daher auch welche abgeben.

OP #7845168
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Jochen F. schrieb:

Ich habe 60 Stück NOS hier, wenn gewünscht.

Die Transistoren sind heute angekommen, vielen Dank!

Johannes F. schrieb:

Früher hatte Reichelt den von CDIL ("Continental Device India Ltd.") im Angebot. Damals hatte ich mir einige davon auf Lager gelegt. Glaube eher nicht, dass ich sie noch mal benötigen werde, außer vielleicht mal einen zum Experimentieren. Falls noch Bedarf bestehen sollte, würde ich daher auch welche abgeben.

Auch dir lieben Dank für dein Angebot.

#7845197
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Moin,

Falls es interessiert: Es gibt da noch die "programmierbaren" 2N6027. Die sind auch recht brauchbar in UJT Schaltungen und leichter zu finden. Man kann damit recht interessante Schaltungen erstellen. Timing Schaltungen sind wegen ihrer präziserer Natur stabiler.

http://solarbotics.net/library/datasheets/2N602X.pdf

https://www.electroschematics.com/programmable-unijunction-transistor-put-a-quick-rescript/

https://www.ovaga.com/blog/transistor/2n6027-transistor-datasheet-pinout-equivalent-and-uses#:~:text=2N6027%20Transistor%20Uses,-The%202N6027%20transistor&text=By%20generating%20precise%20and%20stable,delay%20circuits%20and%20pulse%20generators.

Gerhard

#7845788
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Gerhard O. schrieb:

Es gibt da noch die "programmierbaren" 2N6027.

Oder den BRY56, BR101, BRY39. Wenn's pressiert, kann man sich solch einen PUT auch leicht aus einem pnp- und einem npn-Transistor zusammenkleben: Einfach die Basen des Einen mit dem Kollektor des jeweils Anderen verbinden.

Ein echter UJT funktioniert aber anders als diese PUT. Insbesondere hat er tatsächlich nur eine einzige Sperrschicht etwa in der Mitte einer länglichen Widerstandsschicht aus n-Silizium.

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