Hi, ich bin dabei einen Step-Up diskret aufzubauen. Eingespeist werden 2,4V, geregelt soll später auf eine Ausgangsspannung von 5V. Es werden maximal 30-40mA "gezogen". Ich habe den Step-Up testweise in Ltspice simuliert. Habe hier zwei MOSFETs liegfen, einmal den BS170 und den IRLZ24N. Eine Gatesourcespannung von 2,4V reicht für den BS170 nicht aus um den entsprechenden Drainstrom fließen zu lassen, würde nicht niederohmig genug. Bleibt der MOSFET (IRLZ24N) übrig. Beim Bipolartransistor finde ich es einfacher, da man über die Stromverstärkung den entsprechenden Transistor leicht auswählen kann. Beim MOSFET wird zwar der Drainstrom in Abhängigkeit der Gatesourcespannung abgebildet, aber diese gilt für eine Uds Spannung von 15V... Nun wie gehe ich da dran um rauszufinden ob der IRLZ bei 2,4V niederohmig genug wird? Die Ugs messtechnisch bestimmen? Oder kriegt man das aus dem Datenblatt raus?
Gast
#2966428
Es gibt zu jedem MOSFET ein Dokument mit Daten. Weil es Daten enthält nennt man es Datenblatt. Is frei verfügbar im Internet.
Also erstmal, ohne mir die LTSpice File angeschaut zu haben: 1. 15kHz sind arg niedrig, da brauchst du riesige Induktivitäten. 2. Du musst auf die Treshold-Spannung von Mos achten. Es gibt 1.8V Mosfets die hier fast schon voll durchstuern, die deine Anforderungen erfüllen. Du hast hier eine ThresholdSpannung von 2V, folglich anderen Mos wählen, der das packt. 3. Wozu brauchst du 55V Sperrspannung. Such dir einen aktuellen FET raus. Z.B. bei Vishay oder Infineon, der deine Anforderungen erfüllt. (10V Sperrspannung reichen bei dir völlig!)
Gast
#2966437
Gibt es nicht auch Desgins, in denen die Schaltspannung des FETs aus der Ausgangsspannung gewonnen wird? Beim Einschalten der Schaltung ist der Wirkungsgrad ein bisschen geringer, aber der geht dann mit der Ausgangsspannung nach oben...
Hi, 15Khz ist ok, damit brauch ich eine Induktivität mit 553uH. Wird im DCMode betrieben. Das mit dem packen ist ja die Sache... Habe aktuell nur die beiden Transistoren hier liegen, deshalb die Frage. Mir ist schon klar das der 2. Mosfet überdimensioniert ist. Aber solange er bei ner Gatespannung von 2,4V niederohmig genug wird, das ein Drainstrom von ca. 170mA fließen kann ist es doch in Ordnung. Genau dabei bin ich mir nicht sicher, aus dem Datenblatt kann ich diese Info. nicht entnehmen da ID(UGS) @UDS=15V aufgenommen wurde. Wer weiß wie sich der MOSFET bei UDS=5V und niedriger verhält. Komme wohl nicht drum herum die UGS für den IRL messtechnisch zu bestimmen. Den einzigen LL Mosfet den ich bei Rei*ch finden konnte ist der IRF3708