Hallo zusammen,
ich habe einmal eine Frage zu einer Angabe in einem Datenblatt eines
Mosfet. Dort ist der Rdson mit 0,3Ohm angegeben. Weiter gibt es dann
eine Grafik zum Rdson im Datenblatt.
Ich habe eine Gatespannung, die um die -12v liegt. Es wird ein Strom so
um die 6-7A fließen. Gehe ich dann richtig in der Annahme, dass der
Rdson nicht bei 0,3Ohm liegt, sondern bei etwas unter 0,2Ohm; aus der
Grafik abgelesen.
Oder verstehe ich das ganze falsch?
Grüße
Flo
>Oder verstehe ich das ganze falsch?
Du liegst schon richtig, aber die Kurven zeigen typische Werte an - an
anderer Stelle im Datenblatt (welcher Typ ist es denn?) stehen ev.
'worst case' Werte unter anderen Bedingungen.
Übrigens: bei 0,2 Ohm und 7A verheizt der rund 10W - ich würde mir einen
besseren suchen. Es gibt MOSFETs bis runter in den einstelligen
mOhm-Bereich für RDSon.
HildeK wrote:
> Übrigens: bei 0,2 Ohm und 7A verheizt der rund 10W - ich würde mir einen> besseren suchen. Es gibt MOSFETs bis runter in den einstelligen> mOhm-Bereich für RDSon.
Hmmm, das Minus vor Ugs deutet wohl auf einen P-Kanal FET hin, da kenne
ich nix aus dem einstelligen mOhm Bereich.
>Hmmm, das Minus vor Ugs deutet wohl auf einen P-Kanal FET hin, da kenne>ich nix aus dem einstelligen mOhm Bereich.
Sind selten, ja - aber:
IR hat ein paar. Z.B. IRF7210, typ 5mOhm bei 4,5V UGs, allerdings
grenzwertig für 12V-Betrieb.
IRF7425, max 8.2mOhm bei 4,5VUgs, 12V Ugs, 20V Uds, Id=12A
Ich gebe zu, den P-Kanal nicht sofort erkannt zu haben. Doch wäre auch
der (untere) zweistellige mOhm-Bereich noch deutlich besser als 0.3 Ohm
:-). Und da gibt es schon einige, so dass Flo mit der Verlustleistung
deutlich unter einem Watt bleiben kann.
Hallo,
ist ein P-FET, ein BUZ272. das Ding habe ich hier noch rumfliegen. Habe
irgendwann mal Restposten aufgekauft, da waren die dabei....
Was heißt dann Worst Case? Es ist ja auch der wert 0,3Ohm angegeben. Ist
das dann ein Durchschnittswert?
Grüße
Flo
Worst Case heißt, dass der Wert unter allen Bedingung, wie Temperatur,
Exemplarstreuung usw. eingehalten wird. Typisch heißt, Mittelwert über
alle Exemplare mit Häufung bei dem Wert, bei 25°C gemessen usw.
Wenn du 55V Uds hast, waren meine Vorschläge falsch. Da ist der kleinste
Rdson auf jeden Fall zweistellig. Z.B. IRF5210 mit 60mOhm. Kühlen musst
du trotzdem, aber nur 3W statt 10W oder mehr.
Hallo,
vielen Dank. Ich habe mir einmal ein paar Mosfets rausgesucht; den
IRF5210, IRF4905 dann noch welche von Siliconix. Der IRF4905 ist von den
Daten her der Beste. Dabei hätte ich dann aber noch eine Frage. Sie
wurde hier im Forum schon mehrfach getellt, aber so ganz glücklich bin
ich damit noch nicht.
Bei Uds_max=55V und Id_max=7A ist die Verlustleitung im Ein-Zustand
Rdson * I^2 * Ton/T. Mit Ton/T= max. 1 wäre das bei dem IRF4905
0,02*7A^2=098W.
Im Aus-Zustand ist die Verlustleistung natürlich Null, da ja kein Strom
fließt.
Dann werden hier im Beitrag noch die Schaltverluste Pschalt zur
Gesamtverlustleitung hinzugerechnet.
>Umax*Imax * Ts/T. Ts/T ist das Verhältnis der>Einschaltzeit+Ausschaltzeit (Ts) zur Periodendauer T.
Die Gesamtverlustleitung wäre dann Pschalt+Pein. Meine Frage wäre an
dieser Stelle, ob man die Schaltverluste anhand der Simulationen
überhaupt berechnen kann? Klar kann man die rise- und falltime in den
Simulationen ablesen, aber die Frage ist, wie genau das ist oder ob man
das erst genau messen kann, wenn man die Schaltung einmal aufgebaut hat.
Ich habe einmal eine Schaltung simuliert und einen Ausschnitt des
Simulationsergebnisses hier eingefügt. Kann man daraus die fall-,
risetime genau ermitteln oder kann man diese Verluste bei der
theoretischen Betrachtung weglassen oder nimmt man irgendwelche
Worst-Case Werte zur Berechnung?
Das blaue ist die Gatespannung.
Vielen Dank bis hierher!
Grüße
Flo
rdson.png
(17 KB)
