MOSFET für die Elektronische Last

#1584819
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Eventuell fährst du mit Bipolar-Transistoren besser.
Viele der dicken Leistungs-MosFETs sind nicht wirklich für den Betrieb 
im linearen Bereich ihrer Kennlinie geeignet, sondern sind für digitalen 
An/Aus-Betrieb gedacht.
Ansonsten => Parametrische Suche, z.B. bei Linear bemühen.
Oder viele billige FETs parallelsschalten.
#1584860
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greg schrieb:
> Ich baue eine ELektronische Last. Das getestete gerät sollte mit 20V und
> 10A getestet. Die Regelung wird mit einem MUSFET und einen
> Operationsvestärker realisiert.
>
> Was gibt es da für MOSFETS die für sowas geeignet sind. Am besten in
> TO-3 Gehäuse.

Ein MOSFET allein ist da nicht die geschickteste Variante.
El. Last:
Läuft bei mir mit 4 x BUZ11 parallelgeschaltet seit rund 12 Jahren 
störungsfrei.
Gast #1584994
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> Was gibt es da für MOSFETS die für sowas geeignet sind

200W ?

Nur mehrere parallel.

Du mussst eh nicht auf niedrigen Rdson, niedrige Cg, niedrige Ugs 
achten, sondern nur auf hohe maximale Verluistleistung, also möglichst 
guten Rth, so lange Uds und Id reicht.

TO3 ermöglicht dir, ihn bis 175 GradC zu fahren, statt nur bei 125 
GradC.

Denn auch wenn der BUZ100 mit 250W wirbt, die bekommst du nicht vom Chip 
weg.

Ein Transistor im SOT227 oder zumindest TO264 Gehäuse könnte helfen.
Gast #1585086
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Ja sicher,.. habe ich auch vor 2 parallel zu schalten. Mein Lehrmeister 
meinte eben, sie sollen in TO-3 gehäuse sein. Deshalb wollte ich fragen, 
was für FETS in TO-3 Gehäuse für die Regelung nehmen?
Ein geeigneter Kühlkörper ist natürlich auch vorgesehen :)

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