Ich habe mich noch nicht so intensiv mit den Diodenverlusten befasst,
deswegen interessiert mich diese Frage. Bei den Ausschaltverlusten
scheint mir die Situation deutlich komplexer. Ich beziehe mich auf das
Diagramm
http://maltiel-consulting.com/Interactive%20buttons/explanationofHi%20V%20datasheetparameters_img_29.jpg,
was durch
http://www.powerguru.org/wordpress/wp-content/uploads/2012/08/Diode-Reverse-Recovery-with-Loss-Components.jpg
recht genau bestätigt wird.
Danach teilt sich die Sperrverzugszeit bei rampenförmiger Stromänderung
in zwei ungefähr gleich lange Zeitabschnitte auf: Zuerst ist die
Diodenspannung noch positiv, aber der Strom schon negativ. Das bedeutet,
dass die Diode, während die Sperrverzugsladung schon abgebaut wird,
Leistung abgibt. Danach wird die Diodenspannung zunehmend negativ
während der Strom ebenfalls negativ ist, so dass die Diode Leistung
aufnimmt. Da das Leistungsintegral in diesem Zeitabschnitt deutlich
höher als das vorherige ist, gibt es natürlich hauptsächlich Verluste.
Aber damit scheint mir auch die Komplexität deutlicher: Es geht nicht um
Strom x Spannung oder Ladung x Spannung x Frequenz. Die Integrale müssen
berechnet werden. Ich weiß nicht, wie sich Zeit bis zum
Spannungsnulldurchgang ergibt und wie viel Ladung dann noch abzubauen
ist. Das könnte ich nicht vorhersagen und daher nicht berechnen. Oder
gibt es Zusammenhänge, die mir nicht bewusst sind? Und auch für
nicht-rampenförmige Stromänderung? Wie kommt es zu ((Vr+Vf)*Qrr*f)/2?
Über die Einschaltverluste habe ich wenig gefunden. Nur dass sie
deutlich geringer sein soll, sowie ein Diagramm in
http://www.nxp.com/documents/data_sheet/BYV32EB-200.pdf, die eine
zeitlich undefinierte, erhöhte Vorwärtsspannung von wenigen 100 mV mehr
als die normale Vorwärtsspannung zeigt.
Grüße, Uwe
