CMOS-RAM puffern

Rüdiger H. schrieb:

Einfach eine Knopfzelle zwischen VCC und Gnd hier anzuschließen halte ich für Quatsch, weil sie den gesamten anderen Teil der Elektronik mitversorgen müßte, dann wäre sie in höchstens 5 Minuten leer.

Entkopple die Versorgungsspannungen mit zwei geeigneten Schottky-Diode.

Eine kommt zwischen Knopfzelle und den VCC-Anschluss Deiner SRAMs und eine kommt zwischen die restliche Versorgungsspannung und den VCC-Anschluss Deiner SRAMs.

Bedenke allerdings, wie sich Deine SRAMs verhalten, wenn alle ihre Eingänge auf Low-Pegel liegen; wenn sie diesen Zustand für einen Lesezugriff halten, werden sie aktiv an ihren Ausgängen Spannung anlegen, was für Deine Knopfzelle abträglich ist.

Du brauchst also SRAMs, die über einen active-High-Enable/Chipselect verfügen, oder Du musst eine entsprechende Schaltung aufbauen und diese ebenfalls mit Deiner Knopfzelle puffern.

(Eine Alternative zur Wegwerfknopfzelle ist ein Goldcap-Kondensator, so etwas gibt es mit mehreren Farad Kapazität, womit sparsame SRAMs über Wochen/Monate mit Spannung versorgt werden können. Allerdings musst Du bei Anliegen der "richtigen" Versorgungsspannung auch dafür sorgen, daß der Goldcap aufgeladen wird ...)

1

5V o---|>|---+---o RAM

2

      Diode  |

3

             |

4

             ----o 4xNiMH

Low-Drop-Diode

1

5V o---|>|---+---o RAM

2

      Diode  |

3

            [ ]27 Ohm

4

             |

5

             ----o CAP / NiMH

Mehrere 1/4W parallel

M48Z12-70PC1 ist ein 2Kx8 RAM mit aufschnappbarer Knopfzelle und mit der nötigen Umschalt- und Schreibschutzlogik auf dem Chip. Es gibt auch noch ein paar ähnliche Modelle in der M48Z Familie. Oder als M48T mit eingebauter RTC.

Nachteil: nur 5V±10%, aber das ist auch schon das modernste daran. Die stammen ungefähr aus der gleichen Zeit wie die CD4000B.

Bauform B. schrieb:

M48Z12-70PC1 ist ein 2Kx8 RAM mit aufschnappbarer Knopfzelle

Ich kenne die Dinger nur mit im Gehäuse integrierter Zelle.

(prx) A. K. schrieb:

Bauform B. schrieb:

M48Z12-70PC1 ist ein 2Kx8 RAM mit aufschnappbarer Knopfzelle

Ich kenne die Dinger nur mit im Gehäuse integrierter Zelle.

Stimmt, /aufschnappbar/ sind die Batterien nur bei den M48T. Der RTC-Oszillator braucht wohl doch deutlich mehr Strom als ein RAM.

Steve van de Grens schrieb:

Die 1N4148 ist keine Shottky Diode.

Das stimmt. Denn es gibt keine Shottkydioden. Der gute Mann hiess Walter Schottky, war Deutscher und starb am 4. März 1976 in Pretzfeld in der Fränkischen Schweiz, wo er im Jahr 1946 ein Siemens-Labor für Halbleiter mitgründete.

Es gibt dafür ordentliche Supervisor-ICs, z.B. MAX691. Die schalten zwischen VCC und VBATT um. Außerdem trennen sie das /CE Signal, damit nicht versehentlich der RAM überschrieben wird bei low VCC.

Wenn das ganze Dings mit CMOS aufgebaut wird und man den Takt stoppt, muss man da nichts extra puffern. Es fliessen lediglich geringe Leckströme und man kann die ganze Kiste mit einer oder zwei LiIon Zelle bis in alle Ewigkeit puffern.

Matthias S. schrieb:

Wenn das ganze Dings mit CMOS aufgebaut wird und man den Takt stoppt, muss man da nichts extra puffern. Es fliessen lediglich geringe Leckströme und man kann die ganze Kiste mit einer oder zwei LiIon Zelle bis in alle Ewigkeit puffern.

LEDs und Displays abschalten.

Ein olles Nokia Handy läuft ohne SIM-Karte mit altem Akku auch mehrere Wochen.