Tool um eingelötetes 24C512 EEPROM beschreiben

Gast #5036481
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Hallo Leute,

mal eine dumme Frage: Wie programmiert man am besten ein I2C EEPROM per 
ISP (also im eingelöteten Zustand, bei 3,3V) mit einem Binärfile?
Kann man dafür den USBASP programmer verwenden? (Den hätte ich schon da)
http://www.fischl.de/usbasp/

Wenn nicht, was verwendet man dann? Gibts da spezielle Tipps? Bei Ebay 
hab ich dieses Tool gefunden:
http://www.ebay.com/itm/USB-Programmer-CH341A-Series-Burner-Chip-24-EEPROM-BIOS-Writer-25-SPI-Flash-NEW-/191674211030
#5036667
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Bei I2C ist das normalerweise kein Problem, Du kannst Dein I2C Interface 
einfach zusätzlich an den Bus klemmen (Data, Clock und GND).
Aber Du musst sicherstellen, dass während dem Programmiervorgang der 
andere Master auf dem Bus nicht auch mit dem EEPROM kommuniziert (z.B. 
den Reset Pin des Masters ansteuern oder sowas in der Art).
Gast #5038723
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> Aber Du musst sicherstellen, dass während dem Programmiervorgang der
> andere Master auf dem Bus nicht auch mit dem EEPROM kommuniziert

Das ist klar.

Es sieht so aus als gäbe es nicht den gängigen I2C EEPROM 
programmierer den ich übersehen hätte.
Dann bestelle ich mal das Ebay-Teil und berichte.

Vielen Dank für eure Tipps.
Gast #5038742
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Hallo,

je nach Datenmenge, würde ich mit einen Atmega mit einem Programm 
erstellen, dass das EEprom direkt beschreibt.
Und die Binärdaten liegen dabei im Flash Speicher.

Also anschließen, Strom einschalten und los geht's.
Gast #5038743
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Man beachte beim AT24C512 auch noch das Pin WP.

>WRITE PROTECT (WP): The write protect input, when connected to GND, allows normal 
write operations. When WP is connected high to VCC, all write operations to the 
memory are inhibited. If the pin is left floating, the WP pin will be internally 
pulled down to GND if the capacitive coupling to the circuit board VCC plane is <3 
pF. If coupling is >3 pF, Atmel recommends connecting the pin to GND. Switching WP 
to VCC prior to a write operation creates a software write protect function.

http://www.atmel.com/images/doc1116.pdf

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