Hilfe zu Latching Circuit gesucht

3. da sollten diverse LL-PMOS gehen. Man müsste die Schaltung, wenn die Baterrie keine weiteren Verbindungen mit Massebezug haben, auch auf NMOS umbauen können, dann gibt's deutlich mehr Auswahl.
4. Warum nicht?

Das ist keine eigenständige "latch"-Schaltung. Das ist ein simpler High-Side-Schalter, der entweder durch die Taste oder ein Haltesignal (Pin 2) eingeschaltet wird. D.h., wenn der Mikrocontroller durch Betätigen des Tasters Strom bekommt, muß er zügig das Haltesignal auf high setzen, sonst ist der Strom wieder weg (sobald die Taste losgelassen wird).

Geeignet ist jeder P-MOSFET der den Laststrom verträgt und mit 5V Gatespannung auskommt. Ggf (kleiner Strom, Spannungsabfall ok) tut es auch ein bipolarer PNP.

Svensche schrieb:

(THT Bauform)

Warum diese extreme Einschränkung?

Der Taster soll durch ein PIR ersetzt werden. Sprich, bei einer Bewegung soll der ESP Dinge tun und sich danach selber wieder abschalten.

Wie lange ist der Impuls, den der PIR ausgibt?

Mini-PIR z.B. Typ HC-SR505

Der hat eine Default-Impulsdauer von 8 Sekunden: https://elektro.turanis.de/html/prj108/index.html

Wenn deine Software mit ihrer Arbeit in dieser Zeit fertig wird, dann brauchst du gar keine "Selbsthaltung".

Kann ich den Taster aus der Schaltung einfach durch einen Mini-PIR z.B. Typ HC-SR505 ersetzen, ohne weitere Bauteile (z.B. Transistor) zum Schalten einfügen zu müssen?

Diesen PIR kannst du dank des high-aktiven Ausgangs sogar direkt an die im Schaltplan ungeschickterweise unbenamte linke Diode (nennen wir sie D1) anschließen.

Sprich, bei einer Bewegung soll der ESP Dinge tun und sich danach selber wieder abschalten. Mit der Schaltung soll also der Stromverbrauch im 'Standby' minimiert werden, in dem der mc nur Strom verbraucht, wenn er benötigt wird.

Normalerweise macht man das so, dass der µC dauernd im Sleep-Modus ist und dann per externem Ereignis aufgeweckt wird, schnell siene Arbeit verrichtet und dann wieder Schlafen geht. Nur Bastler drehen dem µC den Saft ab...

Svensche schrieb:

ich möchte folgende Schaltung nachbauen, ...

Mach das nicht, die Leute haben sich nicht wirklich Gedanken gemacht wie man es richtig macht.

Der 220k Ohm Widerstand ist vollkommen nutzlos.

Da fließen 10mA in die Basis des NPN-Transistors, wobei er nur einen Strom von etwa 42µA schalten muss, da hätten er auch 100k Ohm nehmen können.

Die Bauteile sind nicht Mal beschriftet. Du kannst also den 220k Widerstand weg lassen und alle restlichen Widerstände gegen 100k Ohm ersetzen.

Svensche schrieb:

Gibt's die Schaltung fertig als Breakout Board?

Das wirst du doch auch auf eine Lochrasterplatine löten können, das sind nun wirklich nicht viele Teile. Das geht schneller als hier im Forum eine Frage zu stellen.

Svensche schrieb:

4. Kann ich den Taster aus der Schaltung einfach durch einen Mini-PIR z.B. Typ HC-SR505 ersetzen, ohne weitere Bauteile (z.B. Transistor) zum Schalten einfügen zu müssen?

Das sollte kein Problem sein, den Transitor in der "Latching Schaltung" kann auch ein BC547C sein und der benötigt nur einen Mikro-Ampere um den MosFET zu schalten zu können.

Ich nutze den HC-SR501 auch für Batterieanwendungen, dazu muss man aber den Spannungsregler austauschen und gegen einen 3,3V Low-Drop Typen austauschen und die Diode (Verpolschutz) muss auch weg.

Ich ersetze die Diode durch einen 1k Ohm Widerstand und setze die Diode nach den Widerstand nach Minus, wenn es dann eine Verpolung gibt, dann fließt der Strom über den Widerstand und über die Diode nach Masse. Die Schaltung sieht dann -0,7V. Durch den 1k Widerstand darf dort dann aber keine große Last an den Ausgang, sondern es dient nur um ein I/O-Eingangs-Pin eines µC den Status zu übergeben.