N-Fet leitet auch bei 0v Gate-Spannung?

Dennis S. OP #1218909
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Hi,

ich hab da ein kleines Problem mit einem N-FET.
Dieser sollte eigentlich als High-Side Schalter benutzt werden.

Das Funktioniert leider nicht so richtig, wenn die Gate-Spannung Low 
ist, hab ich trotzdem noch rund 3.46V am Drain von 4V am Source (+UB).

Bei +8V welche von einer Ladungspumpe (max 85mA) erzeugt werden, 
schaltet er die 4V durch.

Hab ich irgendwas missgedeutet?


Dennis
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A.Dent Gast #1218955
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Die 0,54V Spannungsdifferenz zwischen Source und Drain sehen doch 
verdächtig nach einer Diodendurchlassspannung aus. Wenn ich das richtig 
sehe, dann sind die Body-Dioden der Mosfets von +UB zum Schaltregler in 
Durchlassrichtung eingebaut. Wenn du Source und Drain der Mosfets 
vertauschst, dann solltest du die Schaltung auch abschalten können.

Gruß,
A.Dent
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Matthias L. Gast #1219032
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>ja das stimmt, hab ich ganz übersehen, werde Source-Drain tauschen dann
>dürfte es wie geplant funktionieren.

Nein. Dann ist zwar der N-FET korrekt in der Schaltung, aber du wirst 
diesen nicht ansteuern können, weil?

Richtig. Weil du U_gate_nach_source anlegen musst. Und wo ist das 
Source? Es ist schwimmend an der Drossel angeschlossen.
Diese Ansteuerung (N-Kanal alsHigh-SIde FET) ist nicht ganz so einfach. 
Erst recht nicht, bei solchen Frequenzen...
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yalu Gast #1219189
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> Aber das PRoblem der Ansteuerung bleibt bestehen.

Wieso? Das Drain-Potenzial liegt immer igendwo zwischen 0 und Ub=+4V.
Werden an das Gate +8V angelegt, liegt Ugs zwischen 4V und 8V, d.h. der
Mosfet ist in jedem Fall gut an (bei 4V etwa 20mOhm) und geht nicht
kaputt (Ugsmax=12V).
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