Bipolar-Transistor vs. FET

Hy, Danke für die schnelle Antwort.

Aber laut Kennlinie schaltet ein BT bei der Diodenspannung durch, also 
ca. 0,7 V zwischen Basis und Emitter.
Der Strom spielt da keine Rolle dann oder ?


LG Nikolina

>Der Strom spielt da keine Rolle dann oder ?


Ganz im Gegenteil! Bei einem BT wird der Transistor mit dem 
Basis-Emitter-Strom auf- und zugesteuert. Bei einem JFET ist es ein 
elektrisches Feld, das über die Gate-Source-Spannung vermittelt wird.

Der Basis-Emitter-Strom ist unweigerlich mit einer 
Basis-Emitter-Spannung verknüpft, weil es sich hierbei um einen 
pn-Übergang handelt. Beide bedingen sich gegenseitig.

Nikolina schrieb:
> Hy, Danke für die schnelle Antwort.
>
> Aber laut Kennlinie schaltet ein BT bei der Diodenspannung durch, also
> ca. 0,7 V zwischen Basis und Emitter.
> Der Strom spielt da keine Rolle dann oder ?

Doch, er ist über die sog. Stromverstärkung mit dem Ausgangsstrom
verknüpft. Übrigens können Transistoren nicht nur schalten, sondern
auch linear verstärken.
Gruss
Harald

>Ganz im Gegenteil! Bei einem BT wird der Transistor mit dem
>Basis-Emitter-Strom auf- und zugesteuert. Bei einem JFET ist es ein
>elektrisches Feld, das über die Gate-Source-Spannung vermittelt wird.

Das ist falsch: BJT und FET sind BEIDE spannungsgesteuert. Es wird zwar 
immer behaupte der BJT sei stromgesteuert aber das ist Quatsch: Es ist 
ein elektrisches Feld was die Verarmungszone zwischen Basis und Emitter 
verkleinert. Also beim NPN: Am Basisübergang treffen sich Löcher und 
freie Elektronen was die isolierende Verarmungszone erzeugt. Eine 
positive elektrische Spannung an der Basis drückt die Löcher in Richtung 
Emitter und verkleinert damit die isolierende Schicht. Dass einige 
Elektronen, die der Kollektor aus dem Emitter nach oben saugt in der 
Basis verschwinden, ist ein purer (unerwünschter) Nebeneffekt und für 
die Funktionsweise des BJT völlig unbedeutend. Diese von der Basis 
geschluckten Elektronen bewirken den Basisstrom. Zufälligerweise ist 
dieser parasitäre Strom in etwa proportional zum Kollektorstrom, 
weswegen in 99% aller Bücher dieser Schwachsinn von der Stromsteuerung 
steht. Es ist aber NICHT der Basisstrom der die Verarmungszone 
verkleinert sondern die Spannung zwischen Basis und Emitter!

Wer's nicht glaubt sehe sich das Ebers-Moll Modell an, welches diese 
physikalischen Fakten mathematisch abbildet.

Dass der FET stromlos gesteuert wird (also nur mit einer Spannung) ist 
übrigens genauso blödsinnig, weil zum Laden/Entladen des Gates natürlich 
ein Strom fliessen muss.

>Das ist falsch: BJT und FET sind BEIDE spannungsgesteuert. Es wird zwar
>immer behaupte der BJT sei stromgesteuert aber das ist Quatsch:

Warum sind dann in den Datenblättern von Transistoren Sromverstärkungen 
abgedruckt und nicht Transkonduktanzen?

>Dass der FET stromlos gesteuert wird (also nur mit einer Spannung) ist
>übrigens genauso blödsinnig, weil zum Laden/Entladen des Gates natürlich
>ein Strom fliessen muss.

Ja, aber wenn die Gate-Kapazität geladen ist, fließt beim FET kein Strom 
mehr, im Gegensatz zum BT.

>Es ist tatsächlich der STROM in der
>EB-Diode was die BC-Dioode des Transistors leitend macht

Seit wann wir diese Diode denn leitend? Am Kollektor können tausende 
Volt anliegen; es wäre schlimm wenn diese Diode die Basis nicht davon 
isolieren würde. Selbstverständlich sperrt diese Diode, und wenn Du 
die Kollektorspannung erhöhst dann verbreitert sich die 
BC-Verarmungszone nur.

>Erst durch den Strom in der EB-Diode werden Ladungsträger durch die
>Sperrschicht dieser Diode in die Basis transportiert und vom Feld der
>Kollektorsperrschicht aufgefangen

Das elektrische Feld an der Basis bewirkt dass diese Sperrschicht so 
dünn wird, dass sie leitet. Du verwechselst da was: Die BE-Diode wird 
leitend, nicht die BC-Diode! Dafür ist die Spannung verantwortlich, 
nicht der Strom. Der kommt in der Ebers-Moll Formel auch gar nicht vor:

Ic=Is(e^Vbe/Vt)

Er ist irrelevant.

>Das elektrische Feld an der Basis bewirkt dass diese Sperrschicht so
>dünn wird, dass sie leitet. Du verwechselst da was: Die BE-Diode wird
>leitend, nicht die BC-Diode! Dafür ist die Spannung verantwortlich,
>nicht der Strom. Der kommt in der Ebers-Moll Formel auch gar nicht vor:
>
>Ic=Is(e^Vbe/Vt)
>
>Er ist irrelevant.

Nein, ist er nicht. Nur, weil er in der Formel als Größe nicht vorkommt, 
heißt nicht, daß er irrelevant ist. Denke nur an eine mathematische 
Verkettung: Wenn Ic eine Funktion von Ib ist und Ib eine Funktion von 
Ube, dann kannst du Ic als eine Funktion von Ube darstellen, ohne daß Ib 
noch vorkommt. Und trotzdem kann der Strom Ib für diesen 
Funktionsmechanismus grundlegend sein.

Es passiert doch folgendes:

Die Spannung zwischen Basis und Emitter hebt die 
Basis-Emitter-Sperrschicht auf. Es fließt ein Basisstrom. Die Basis wird 
mit Elektronen überschüttet. Durch Diffusion gelangen einige Elektronen 
in die Sperrschicht zwischen Basis und Kollektor. Je nach Anzahl der 
Elektronen, die in die Sperrschicht gelangen, wird diese verkleinert, 
bzw. ganz aufgehoben. Dadurch wird die Kollektor-Emitter-Strecke 
leitend.
Wird zwischen Kollektor und Emitter eine Spannung gelegt, so kann ein 
Kollektorstrom fließen. Der Basisstrom steuert somit über die 
Veränderung der Sperrschichtgröße den Kollektorstrom.

Diese Ladungsträgerinjektion bzw. -diffusion im BT, die auch schon Peter 
angesprochen hat, steht so in jedem Lehrbuch. Wie kannst du das allen 
Ernstes anzweifeln??