Mosfet durchsteuern 2.5V Gate -> 4.1V LEDs

OP #778316
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Huhu.
Ich habe einen µC, der mit einer IO-Spannung von 2.5V arbeitet. Dieser 
soll per PWM (<5kHz) eine Reihe von LeitsungsLEDs (4.1V) steuern. Die 
PWM steuert also einen LeistungsMosfet an.. dieser muss aber richtig 
durchgesteuert werden, da ich Ströme von  bis zu 6A schalten will.
Bisheriger Aufbau:
Masse ---- Mosfet --- LEDs --- +
             ^
PWM->--------|

Das Ganze klappt - wie zu erwarten war - NICHT.
Die 2.5V steuern den Mosfet nichtmal weit genug durch, um ein minimales 
leuten der LEDs zu erwirken. Haue ich auf das Gate 4.1V (mehr steht auch 
nicht zur verfügung) wird der Mosfet fast ganz durchgesteuert.

Meine Idee ist nun, das Gate so zu beschalten, dass durch die 2.5V das 
Gate auf 4.1V gelegt wird. Also durch einen anderen Mosfet oder einen 
Transistor am Gate...

Oder gibt es andere Möglichkeiten..? Andere Mosfets, die bereits bei 
sehr niedigen Gate-Spannungen durchschalten..? (auch solche Lasten)
Wie würde meine gate-Beschaltung aussehen? Habe bereits bissel 
rumprobiert.. aber nix hat so geklapt, wie gewünnscht.

Kann jemand helfen?
#778386
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Vom IO Pin via Widerstand auf Basis NPN Transistor. Emitter an Masse, 
Kollektor via Widerstand auf 4.4 Volt (oder was auch immer Vcc ist). Das 
Gate des FET dann an den Kollektor des NPN.

Achtung: Dabei wird die Logik invertiert. Das muss in der Ansteuerung 
des IO Pins berücksichtigt werden.

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