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MOSFET passend?
Gast
#1333675
Hab mal die H-Brücke entworfen. Angesteuert wird ein 300W Getriebemotor 24V. Bin mir nicht ganz sicher, ob der eingesetzte MOSFET passend ist bzw bin ich für Kritik an der Schaltung jederzeit offen.
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Gast
#1333677
sry mein doofer Kolege neben mir hats auch raufgeladen
Gast
#1333681
Es fehlen Bauteile, um Störungen zu vermeiden, am Motor und an den Versorgungsspannungen der ICs. So sieht die Schaltung danach aus: Wir haben das drauf getan was nötig war und wissen gar nicht warum andere Platinen immer so voll sind.
Gast
#1333692
Sry hab ich vergessen dazuzuschreiben... Die Entstörer für die IC's sitzen hinter dem Stecker zum uC. R und L für den Motor sitzen auch hinter dem Stecker Motor. Lukas
Gast
#1333734
ähhh nicht R sondern C und L un mir hinter dem Stecker ist direkt am Motor gemeint. sry
Gast
#1333855
Schrieb nicht mal jemand der es wissen müsste, daß die üblichen 100nF Entkoppelkondensatoren "so nah wie möglich" an die ICs sollten ? Bei Beschleunigung oder Abwürgen bemerkt wer?, dass der Strom des Motors ansteigt? Eine Strommessung sehe ich nicht, eine Überstromabschaltung machen dann wohl die MOSFETs mit magischem Rauch. Denn die 25A des Transistors (bei Montage auf geeignetem Kühlkörper) sind nicht so weit von den 12.5A des Dauerstroms entfernt, als dass der Blockier-Strom nicht drüber liegen würde. 150V MOSFETs speziell für Audio-Anwendungen mit eher hohem RDSon haette man nicht unbedingt auswaehlen muessen, aber vielleicht habt ihr ja eine Stange davon überflüssig rumliegen.
Gast
#1334017
Gut ok die C's werden versetzt und keine Sorge ne Strommessschaltung ist vorhanden und nur im gezeigten Plan nicht eingezeichnet. Und ja genau darum gings haben ca 30 Stück von denen geschenkt bekommen. Und ich war nicht sicher ob eben der RDSon wert passend ist. Danke auf jedenfall. Falls du willst kann ich ja mal die ganze Schaltung posten. Lukas > haben ca 30 Stück von denen geschenkt bekommen.
Dann schalt besser jeweils 2 von denen parallel.
Gast
#1334129
Würde auch gehn aber dann sollte ja noch ein kleiner Widerstand (< 1 Ohm)zu jedem Gate? Achja und für die Stromüberwachung wird ein MAX4372 verwendet (stolzer Preis aber leicht zu integrieren).
Gast
#1336796
Sodala bitte nochmals um Verbesserungsvorschläge kritik etc. PS: Es ist ziemlich schwierig nen CS-IC zu finden, der nicht SMD ist. Lukas
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@Lukas R. (Gast) >Würde auch gehn aber dann sollte ja noch ein kleiner Widerstand (< 1 >Ohm)zu jedem Gate? Nöö - wozu?
Gast
#1337051
Ka Wurde uns so beigebracht... steht aber nirgendswo Der Professor meinte wegen irgendeiner Verteilung aber naja... Ich meinte das passt so er meinte nein Resultat nen 4er statt nen 1er.. Wollte es nur nochmal bestätigt haben. Sonnst müsste v on meiner Sicht her alles passen oder? man kann generell einen Gate-R reinmachen, um die Schaltflanken zwecks besserer EMV weicher zu machen, oder um zu große Gate-Ströme zu vermeiden (schont evtl. den Treiber), aber es muß nicht jeder Mosfet in einer Parallelschaltung derselben einen separaten R da dran haben. Und <1Ohm hat sowieso keinen echten Effekt - oder?
Gast
#1337064
Die Schaltung funktioniert so NICHT!!! Es fehlt die Bezugsleitung für den Highside MOSFET! Laut Datenblatt ist VS mit dem Halbbrückenausgang zu verbinden. Bei der direkten Kopplung der Gates ohne Widerstände entsteht ein parasitärer Schwingkreis aus den Leitungsinduktivitäten und den internen Kapazitäten der Mosfets. Dadurch können beim Schalten der FETs heftige Schwingungen (klingeln) auftreten, die EMV verursachen und auch den Wirkungsgrad verschlechtern. Ein paar Ohm in Serie zum Gate helfen. Grüße, Peter
Gast
#1337095
Bloß die Frage wieviel? Das einzig was ich gefunden hätte wären 220Ohm Sry die referenzleitung wurde leider beim austausch von 1 auf 2 fets vergessen. und Widerstände pro gate oder gesamt? Lukas R. schrieb: > Bloß die Frage wieviel? Das einzig was ich gefunden hätte wären 220Ohm Zum Testen ok, aber später vom Gefühl her so 4,7 .. 22 Ohm einbauen. (Grob überschlagen: Gate-Charge ist wahrscheinlich 50nC (Schau im Datenblatt), also dauert das Umschalten mit 220 Ohm bei 10V (im Mittel 5V an 220 Ohm, also 23mA) etwa 2µs) > und Widerstände pro gate oder gesamt? Jedes Gate ein Widerstand. Die FETs sollen nicht unterschiedlich schnell schalten und wenns EMV-Störungen gibt bist du dankbar um die Widerstande. Grüße, Peter
Gast
#1337745
Ok danke erstamal. ich werd mal die Sachen bei Farnell bestellen. Ich überleg aber noch, ob ich nicht doch noch nen MOSFET mit geringerem RDSon finde. Naja mal sehn danke auf jedenfall.
Gast
#1337765
Hatte so an IRF 1404 gedacht Hat aber leider 131nC. Besser geeignet wäre der IRF3103. Was meint ihr? hab immerhin ca 13A dauer. Antwort schreiben |
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