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Power MOSFET mit Bulk-Anschluss
Gast
#2384798
Hallo, hätte da eine Frage die sicher häufig gestellt wird, aber hab auf die Schnelle keine wirklich passende Antwort gefunden. Gibt es Power MOSFETs mit separaten Bulk Anschluss? Wenn nicht, warum? Damit wäre Wechselspannung doch viel einfacher zu schalten, als mit gewöhnlichen MOSFET, wo das Bulk mit dem Source verbunden ist, oder? Gruß Thomas
Gast
#2384886
Die verbauten Gratisdioden dürften Deiner Idee trotzdem im Wege stehen, so daß es keinen Sinnn macht...
Gast
#2384901
Thomas schrieb: > Gibt es Power MOSFETs mit separaten Bulk Anschluss? Wenn nicht, warum? Die ist strukturbedingt: http://www.irf.com/technical-info/appnotes/an-1084.pdf
Gast
#2384905
Welche Dioden? Die Body-Diode gibts nicht, wenn das Substrat nicht mit Source verbunden ist. Die Ansteuerung vom Gate muss natürlich potentialgetrennt von Drain und Source sein, aber das ist sie meistens ohnehin, wenn man zB Netzspannung per Mikrocontroller schalten will.
Gast
#2384909
hinz schrieb: > Thomas schrieb: >> Gibt es Power MOSFETs mit separaten Bulk Anschluss? Wenn nicht, warum? > > Die ist strukturbedingt: > > http://www.irf.com/technical-info/appnotes/an-1084.pdf Hm was genau verhindert dort jetzt, das getrennte Rausführen vom Bulk-Anschluss?
Gast
#2384910
Thomas schrieb: > Hm was genau verhindert dort jetzt, das getrennte Rausführen vom > Bulk-Anschluss? Der vertikale Verlauf des Kanals.
Gast
#2384918
hinz schrieb: > Thomas schrieb: >> Hm was genau verhindert dort jetzt, das getrennte Rausführen vom >> Bulk-Anschluss? > > Der vertikale Verlauf des Kanals. Hm ich versteh leider nicht warum man deshalb gezwungen wird die p-Body Region mit Source zu verbinden.
Gast
#2384941
Thomas schrieb: > Welche Dioden? Da sind mehr als nur die eine Bodydiode, die bei der Herstellung entstehen.
Gast
#2384947
mhh schrieb: > Thomas schrieb: >> Welche Dioden? > > Da sind mehr als nur die eine Bodydiode, die bei der Herstellung > entstehen. Welche meinst du? Die zwischen Drain und Bulk bzw Source und Bulk leiten nicht bei getrennte Potentialen.
Gast
#2384953
http://www-user.tu-chemnitz.de/~heha/bastelecke/Konsumg%C3%BCter-Bastelei/DDR-Halbleiter/smy50.gif Die Daten lassen auf mehr schließen. Thomas schrieb: > Hm was genau verhindert dort jetzt, das getrennte Rausführen vom > Bulk-Anschluss? Schau dir mal die Abb. 3 an, so sind die modernen Power-Mosfets aufgebaut. Der Strom fließt dabei in vertikaler Richtung und es gibt keine Trennung zwischen Drain und Bulk; man kann den Drain gar nicht separat herausführen. Und selbst wenn, dann wären die nicht voneinender potentialgetrennt, es würde also nichts nützen. Nur bei Kleinsignaltransistoren kann man das machen, bei denen ist der Bulk-Anschluss p-dotiert und liefert normalerweise keinen Beitrag zur Stromleitung.
Gast
#2384961
Johannes E. schrieb: > Schau dir mal die Abb. 3 an, so sind die modernen Power-Mosfets > aufgebaut. Der Strom fließt dabei in vertikaler Richtung und es gibt > keine Trennung zwischen Drain und Bulk; man kann den Drain gar nicht > separat herausführen. > > Und selbst wenn, dann wären die nicht voneinender potentialgetrennt, es > würde also nichts nützen. > > Nur bei Kleinsignaltransistoren kann man das machen, bei denen ist der > Bulk-Anschluss p-dotiert und liefert normalerweise keinen Beitrag zur > Stromleitung. Ja indem Fall übernimmt anscheinend auch die p-Body Region die Funktion die sonst das Substrat hat. Also warum sollte man die nicht separat rausführen können? Antwort schreiben |
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