Ich hab mal ne kurze Frage zum N-Kanal MOSFET (Sperrschicht FET), genauer zum IRF530. Ich hab folgendes Problem, ich möchte über den FET eine variable Spannung nach Masse durchschalten und hab zur Ansteuerung des FET einen Open-Collector-Ausgang von einem Komparator. Das Ganze soll nur als einfacher Schalter funktionieren, also keine hohen Schaltfrequenzen. Meine Idee ist jetzt einfach einen 10K Pullup vom Gate an die 11-15V Versorgungsspannung und dann das Gate mit dem Open-Collector-Ausgang nach Masse zu Schalten. Source kommt an Masse und am Drain liegt dann meine variable Eingangsspannung. Jetzt kann es passieren, dass meine variable Eingangsspannung deutlich unter der Versorgungsspannung liegt und somit die Gate Spannung höher ist als die Drain Spannung. Tut das dem FET was? Im Datenblatt steht dazu nichts. Keine Angabe zu Drain to Gate Voltage oder ähnlich. Normal sollte das ja egal sein, solange die maximale Gate to Source Spannung nicht überschritten wird oder? Weil das Gate ist ja isoliert. Mfg Bimbo385
Gast
#2815655
1. doch es steht im datenblatt, in den diagrammen. 2. hast du ein riesiges problem, wenn Uds größer ist als Ugs, wenn Ugs bei 12 V liegt. Das schafft der nur bei ca. 100 A. legts du 12 V an das gate, wird der Transistor leitend und die Spannung an D-S sollte zusammenbrechen und ist damit zwangsläufig kleiner als Ugs.
Ich sollte abends nicht mehr sowas machen.... Danke für den Wink. Irgendwie lag da ne Hirnwindung bei mir quer... logisch, sobald ich die Spannung ans Gate lege hab ich ja fast 0V über der Drain Source Strecke. Meine Frage hat sich somit erübrigt. Danke und schönen Abend noch! HANNOVER 5:1! Die armen Polen...