Hallo,
ich bin hier grad ein bisschen am verzweifeln, komme einfach nicht auf
einen grünen Zweig.
Ich habe einen n-MosFet (IRF530A) folgendermaßen angeschlossen:
An Gate +10V, an Drain +30V, an Source einen Widerstand mit 120R. Masse
von meinen +10V und +30V liegen auf der Source-abgewandten Seite des
Widerstandes.
Die Spannungen liegen sauber an, mit nem Oszi nachgemessen. Trotzdem
fallen über den Widerstand nur 7V ab. Das sollten doch aber annäherdn
30V sein, oder nicht?
Habe es mit drei MosFets getestet, immer das Gleiche. Wo könnte hier der
Fehler liegen, oder verstehe ich grundsätzlich was nicht?
Ist das erste Mal, dass ich mit MosFets arbeite..
viele Grüße, Tobias
Anfänger84 schrieb:> Habe es mit drei MosFets getestet, immer das Gleiche. Wo könnte hier der> Fehler liegen, oder verstehe ich grundsätzlich was nicht?
Zweiteres. Mit deiner genannten Verdrahtung und einem N-Kanal-MosFET
hast du einen sogenannten Sourcefolger aufgebaut.
Da liegt das Sourcepotential etwas unter dem Gatepotential, wobei etwas
die Treshold (?) Spannung ist, je nach MosFET 3 - 6V.
Anfänger84 schrieb:> einen n-MosFet
...
> an Source einen Widerstand mit 120R
Damit der N-MOSFET durchschaltet, muss die Gatespannung höher sein als
die Spannung an Source. Ist der MOSFET noch nicht durchgeschaltet, sind
10V natürlich höher als das Sourcepotential, nach dem durchschalten aber
nicht mehr, wie Floh schon gesagt hat, hast du einen Spannungsfolger
bzw. Sourcefolger gebaut.
Wenn du Source auf Masse legst und den Widerstand an Drain, hast du das,
was du wolltest :)
Gruß Christian
Das verstehe ich nicht, wo liegt da genau das Problem?
Hier mal meine verwendete Verschaltung.
Ich denke mir, zwischen Gate und Source liegen 10V an, also sollte der
MosFet aufmachen. Zwischen Drain und Source liegen 30V an; RDSOn liegt
bei 0,1R oder so, der nachgeschaltete Widerstand bei über 100R, also
sollten doch fast die gesamten 30V am nachgeschaltetem Widerstand
abfallen.
Googeln nach Sourcefolger hat mir leider auch nicht weiter geholfen.
Christian Str schrieb:> Damit der N-MOSFET durchschaltet, muss die Gatespannung höher sein als> die Spannung an Source. Ist der MOSFET noch nicht durchgeschaltet, sind> 10V natürlich höher als das Sourcepotential, nach dem durchschalten aber> nicht mehr, wie Floh schon gesagt hat, hast du einen Spannungsfolger> bzw. Sourcefolger gebaut.
*an den Kopf schlag..
Klar, logisch, danke fürs Erklären! :-)
Ich habe sogar mal gelernt wofür eine Bootstrap-Schaltung ist, aber
konnte das in diesem Moment nicht auf mein Problem übertragen..
Du willst einen High Side Schalter ;-)
Wenn theoretisch der MOSFET ganz aufmachen würde und die 30V am
Widerstand anliegen, dann liegt dein Source Potenzial ja auch auf 30V.
10V - 30V = -20V. Da ist nix mit Ansteuern des MOSFET.
Steck den MOSFET unter die Last mit Source an GND als Low Side Schalter,
dann geht das so.
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