Plasmalautsprecher

OP #1281125
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Hallo Leute, ich habe ein problem, ich habe nach einer schaltung aus dem 
internet einen plasmalautsprecher nachgebaut. Mein Problem ist das der 
irf 540 mosfet extrem heiß wird kann, mir jemand eine alternative nenen? 
Die schaltung ist im Anhang und hier die Adresse zu der seite, wo ich 
diese schaltung gefunden habe: 
http://www.instructables.com/id/Build_A_Plasma_Speaker/
Angehängte Dateien:
Gast #1281151
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Was ich so, ganz auf die Schnelle, im DB des TL494 gesehen habe:
der Treiberausgang Pin 9 ist ein Emitterfolger.
Wie soll denn der MOSFET schnell zumachen, wenn niemand da ist, der im 
die Gatespannung wieder auf Null bringt?
Siehe auch ONSEMI-Datenblatt, Bild 1 - da sind sie eingebaut!
Baue mal einen Widerstand von Gate nach Source hin - so ein paar hundert 
Ohm sollten zumindest meine Befürchtungen ausräumen.
Gast #1281233
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hab noch mal in das datenblatt geschaut. es ist eh ein anreicherungstyp. 
diese sind selbstsperrend. allerdings benötigt das sein zeit. der 
widerstand Rgs wird aufjedenfall helfen das gate unter Vgs(th) zu 
bringen, nachdem an pin 9 die spannung steigt.
Gast #1281251
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>edit: egal welchen typ, du musst die ladungsträger aus dem gate schaffen

Ich meinte nichts anderes.

Pass aber auf - ich weiss nicht, wie sich die Schaltung mit dem Trafo 
jetzt verhält, nachdem der Transistor wesentlich schneller zumacht. Das 
könnte zu viel mehr Spannung am Trafo führen!
Ausserdem muss der Widerstand mit seiner Leistung an die max. 
Gatespannung angepasst werden.

Übrigens, dein anderer vorgeschlagener FET hat noch viel mehr 
Gatekapazität (fast 10n) - da wäre die Hitze vermutlich noch größer 
geworden!
#1281309
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Kondi zwischen Gate und Source 0.o. Dann hat der TL nochmehr zu leisten 
und die schaltgeschwindigkeit des FETs sinkt weiter was zu mehr 
erhitzung und verlustleistung führt. Man müsste einen guten treiber 
statt des TL-Ausgangs nehmen um die Gate-Ladungen schnell umzuschaufeln 
und die erhitzung zu vermindern. Induktionsspitzen müssen dann mit der 
Freilaufdiode beseitigt werden.

Mfg Echo
#1281324
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Steffen I. schrieb:
> Induktionsspitzen müssen dann mit der
> Freilaufdiode beseitigt werden.

Nein. Freilaufdiode bei einem Flybackwandler funktioniert nicht.
Da hilft nur ein Snubber.
Aufgrund der großen Streuinduktivität wird man aber immer viel Energie 
der Streuinduktivität verheizen müssen, entweder im Mosfet (wenn dieser 
in den Avalanche Durchbruch kommt), oder eben im Snubber.

Oder man verwendet gleich eine bessere Schaltung wie einen 
Gegentakttreiber oder erweitert die obige Schaltung zu einer eine Class 
E Endstufe.
#1281342
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Ein Flyback lebt von der Induktionspannung:
In der Einschaltphase baut sich ein Strom in der Primärwicklung und 
somit im Kern auf.
In der Abschaltphase fließt der Strom über die Sekundärwicklung und 
erzeugt in dieser die Ausgangsspannung.
Die in der Ausschaltphase induzierte Spannung liegt üblicherweiße um 
Faktor 2-10 über der normalen Spannung. In einem TV/Monitor sind es 
meist um die 1200V die bei 50-100V Betriebsspannung entstehen.
Mit der Diode würde man diese Spannung kurzschließen, so dass am Ausgang 
nur die 50-100V mit den entsprechenden Übersetzungsverhältnis ankommen 
würde. In obiger Schaltung sogar nur die 40V.
Das wären am Ausgang nur wenige kV.
OP #1281424
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Habe das problem wahrscheinlich gelöst, habe die selbstgewickelte spule 
am flyback in reihe mit einer internen geschaltet, habe jetzt also einen 
widerstand von 0.8 ohm anstatt 0,00..1 ohm und der mosfet wird nur noch 
mäßig heiß. dafür ist der lichtbogen jetzt ein bißchen kleiner. nun aber 
noch eine frage: wenn ich den 2,2 k widerstand zwischen dem 22 k poti 
und pin 6 verkleinere geht dann die frequenz noch höhr? ( es ist noch 
leicht am feifen)
#1281431
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Tim Hafner schrieb:
> Habe das problem wahrscheinlich gelöst, habe die selbstgewickelte spule
> am flyback in reihe mit einer internen geschaltet, habe jetzt also einen
> widerstand von 0.8 ohm anstatt 0,00..1 ohm und der mosfet wird nur noch
> mäßig heiß.

Der Widerstand interessiert kaum, nur die Induktivität zählt.
Und die Streuinduktivität:
Dadurch dass die interne Wicklung direkt unter der Hochspannunsgwicklung 
liegt, ist die Kopplung viel besser weshalb weniger Energie in der 
Streuinduktivität gespeichert wird. Dadurch ist die Spannungsspitze die 
der Mosfet abbekommt viel kleiner.

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