Hi, Ich suche nach super schnellen MOSFET's die ca 2A schalten können bei ca. 25V und den passenden Treiber dazu. Die Fall Time ist der für mich Interressante Parameter!!! Ich brauche eine FALL Time von unter 15ns. Gibts da was in dem Bereich ?? Es spielt keine rolle wie lange das Signal vom controller zum treiber und von dem zum MOSFET braucht, nur das abschalten des MOSFET's muss in der genannten Zeit passieren! Wenn mir jemand n Tipp geben könnte wäre ich euch super dankar. Wie geht ihr bei der suche nach den richtigen Teilen eigentlich vor ?? Mfg Bouni
Was hast du denn für Gate-Kapazitäten? Der TC4451 von Microchip kann 12A Spitzenstrom liefern. Das entspricht laut Datenblatt 42ns Fall Time bei 22.000pF gruß reiner
Gast
#884469
Hi, also die IRF DirectFETs sind einen Blick wert... IRF6665: t_r=2,8ns t_f=4,3ns mit entsprechender Ansteuerung auch die restlichen Parameter sollten passen... Nur die Handhabung dieser MOSFET ist wegen dem Package etwas anspruchsvoller. Bei der Suche ist die Farnell Online-Suche ganz schick. Viele Grüße
IXFK21N100Q (typ. 12 ns, 1000V, 21A, 0,5 Ohm, 500W) IXFX27N80Q (typ 13ns, 800V, 27A, 0,3 Ohm, 500W)
Denke auch an einen induktivitaetsarmen Aufbau
Morgen Ich möchte aus den MOSFET's eine vollbrücke bauen! und damit den Strom über eine Diode rasend schnell umkehren um die trr zu messen (Oszi). was muss ich denn beachten wegen induktivitäts / kapazitätsarm ?? Mfg Bouni
Hi, Ich hab noch eine Frage bezüglich der Werte im DB: td(off) (time delay off) ist die Zeit bis das ausschalten beginnt ?? tf (time fall) ist die Zeit die der ausschaltvorgang effektiv dauert ?? Ich hab da grade noch ein weiteres Problem festgestellt: VSD ist die Source-Drain Diode, und die hatt ne trr von 31ns ( irf6665pbf )!! gibts denn auch MOSFETS ohne SD-Diode ?? Mfg Bouni
Gast
#884954
Nein, die Diode ist immer dabei. Was ist das Problem mir der ?
Gast
#884998
>und damit den Strom über eine Diode rasend schnell umkehren um die trr zu messen (Oszi). aha...sowas hab ich schon gebaut kannste gucken bei http://damp.byethost33.com/ forum->anmelden->login unter: forum->messtechnik->mosfet-tester
Gast
#885014
Wenn dir auch 18V reichen: Nimm einen Mosfet Treiber wie den zuvor vorgeschlagenen TC4451. Der kann weitaus mehr als 2A und die Zeiten werden auch erreicht. Einfacher geht es kaum.
Gast
#885095
Hallo, Nochmal zur Body-Diode - normalerweise sperrt die und hat keinen Einfluss auf die t_r und t_f. Da die Dioden die du messen möchtest sicher keine ausgeprägte Induktivität aufweisen sollte es keine Probleme geben. Der Hinweis zum Induktivitäts/Kapazitätsarmen Aufbau ist wichtig sonst schwingt Dir deine Schaltung und Du kannst nicht sauber messen. Falls Du deine Volbrücke bauen solltest bitte darauf achten das du keine Kurzschlüsse beim Umschalten erhälst (dead time). ps: bitte nicht so viele ???? auf einmal und nur ganz wenige !!!! verwenden - Danke Den Vorschlag von Benedikt finde ich sehr gut.
Morgen, Zur Dead time, die muss dann ja aber kürzer sein als die trr der zu messenden Diode und länger als die tf oder ? Was ist zu beachten damit das ganze nicht schwingt ? Hat die trr der MOSFET Diode keinen einfluss auf meine Messung ? Mfg Bouni
Gast
#886494
haste dir angeschaut, wie ich den "mosfet-tester" gebaut habe? dürfte die einfachste variante sein, die aber locker bis 30A testen kann bei welchem strom willste denn testen?
Hi, @ Düsentrieb: Was für Zeiten sind mit deinem Tester möglich ? Ich hab mir mal erlaubt dein Bild aus dem D-AMP Forum anzuhängen. #46 vom 08.12.2007 - 02:46 Ich nehme mal an das das untere Signal Der Dioden Strom ist !? Im roten kreis ist die diode in Fluss richtung nehme ich mal an. Im gelben wird sie abgeschalten, bzw geht in sperrichtung. Wieso aber fällt das Signal dann (grüner kreis) linear ab ? Mfg Bouni
Angehängte Dateien:
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IRF540z_-_Test.jpg
(24 KB)
Gast
#887664
>Was für Zeiten sind mit deinem Tester möglich ?
im prinzip sehr kleine: Tfall vom ir640n liegt bei 6 ns. Trise bei 20ns;
somit etwa 20ns für die trr der diode (dut im plan, die diode in nem
mosfet)
mit schnellerem mosfet natürlich noch kleinere zeiten möglich
aber!!!!
entscheidend is der mechanische aufbau, bei einer grösse von etwa 40mm
(kleiner bekommst du den loop fet-spule-diode-kondensator kaum) begrenzt
ab einigen ampere die induktivität der drähte+bauteile die stromänderung
!
der kondensator muss ja die energie für den puls liefern, daher genug
ladung haben -> mechanisch rel. gross -> induktivität unvermeidlich
hier is etwas experimentieren mit folien+ker. smd caps angesagt :-)
der dreh an der schaltung is ja: hohe pulsenergie möglich, ohne kühlung;
mit einfachem aufbau, alles ca < 5 eu ; der treiber is noch das teuerste
davon.
geht so:
1. fet on , spule bekommt stromanstieg
2. fet off, (roter kreis), diode bekommt jetzt den vollen spulenstrom
3. fet on , spule bekommt wieder stromanstieg (grün), aber: diode muss
dazu abschalten, man sieht schön wie sie das tut...(gelb)
soweit klar?