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p-kanal mosfet (typischer Wert für Widerstand zw. S und G
Gast
#789971
Hallo, von was oder von wem hängt die Größe des Widerstandes zwischen Source und Gate ab. Der eingesetzt Mosfet ist der : IRMLM6402 Die Spannung die in der Schaltung auftreten kann liegt zwischen 6,8 und 9Volt. Grüße Axel @ Axel (Gast) >von was oder von wem hängt die Größe des Widerstandes zwischen Source >und Gate ab. >Der eingesetzt Mosfet ist der : IRMLM6402 Von der Gate-Source Spannung. >Die Spannung die in der Schaltung auftreten kann liegt zwischen 6,8 und >9Volt. Und? Was sagt das über die Gate Source Spannung aus? MfG Falk
Gast
#789977
> von was oder von wem hängt die Größe des Widerstandes..
von der restlichen Beschaltung des Gates und deinen Anforderungen
Gast
#789982
Hallo Falk, da ich in dem Gebiet noch nicht soooo fit bin hab ich gehofft hier eine passende Nachricht zu erhalten...... Der Mosfet soll eine Last trennen. Er hängt im positiven Stromzweig. Das Gate erhält entweder +UB von dem Akku, oder wird auf Masse runtergezogen.. Grüße Link auf Datenblatt?
Gast
#789985
www.irf.com/product-info/datasheets/data/irlml6402.pdf Seite 3, Fig. 1 Bei 5V Gate-Source Spannung hat der etwa 50mOhm RDS_ON. MFG Falk
Gast
#789993
ok...und das heißt für mich....? Grüße @ Axel (Gast)
>ok...und das heißt für mich....?
???
Das war doch deine Frage.
MFG
Falk
Gast
#789995
Vermutlich meinst du den Widerstand zwischen Drain-Source. Der liegt dann bei 50 mOhm, wenn das Gate 5 Volt niedriger vom Potenzial ist, als Source.
Gast
#790001
S| |D
+UB ---------- ----------
| G|----
| |
- |
R? | | |
| | |
- |
| |
|----
|
Ich weiß zwar nicht wirklich wo dein Problem liegt, aber versuch dir
trotzdem zu helfen.
Für deinen P-Kanal Mosfet:
S| |D
+UB ---------- ----------
| G|---- |
| | |
| | __|__
off o /O Schalter | |
/ | | Last
on o / | |
| |____|
| |
| |
_|_ _|_
Wenn du Gate mit Source verbindest leitet dein Mosfet nicht.
Wenn du Gate mit Ground verbindest leitet dein Mosfet.
Rdson wurde ja schon angegeben.
Manch einer macht vor das Gate noch einen 10 Ohm Widerstand, bei einem
einzelnen Mosfet brauchst du das aber nicht unbedingt.
Je höher der Spannungsunterschied zwischen Gate und Source, desto
geringer dein Drain-Source Widerstand.
> Die Spannung die in der Schaltung auftreten kann liegt zwischen 6,8
> und 9Volt.
An deinem Gate kannst du maximal -12V anlegen, also zerstörst du dein
Gate bei 9V nicht.
Deine Last sollte mindestens 4 Ohm betragen und du solltest eine kleine
Kupferfläche lassen um den Mosfet zu kühlen.
Hast du den IRMLM6402 gekauft oder irgendwo abgelötet?
Gast
#790135
ode:
IRLML6402 (MOSFET)
.--------o----------------------o-------+^+---o
| | | |||
| .-. | ===
| | | | |
| 100k| | | |
| '-' | |
| | | _ |
--- o---. o-|___|-o
- | | | 100k |
10x | .-. | | |
1,2V | | | | ICL7665S | |
NiMH | 820k| | | .----------. | |
--- '-' '---|HYST1 V+|---' |
- | | | |
| o---o---|SET2 OUT1|-----------'
| | | | |
| .-. '---|SET1 GND|---.
| | | '----------' |
| 130k| | |
| '-' |
| | |
'--------o----------------------o-------------o
so sieht das ganze aus....
Gast
#790172
Was für eine Funktion hat der 100k Widerstand der zwischen V+ und dem Gate liegt? Grüße
Gast
#790188
Ich würd sagen, klarer Fall von ungeschickt gefragt ;-) Das spricht mal wieder dafür, die Hintergründe zu formulieren, warum man etwas fragt bzw. kurzen Einblick in das zu geben, was man vor hat. Der Widerstand hält das Gate auf einem definierten Potenzial, sperrt den Mosfet also, wenn der Ausgang Out1 hochohmig ist. Vermutlich ein Open-Collector Ausgang, der nur nach Masse zieht und sonst offen ist.
Gast
#790234
Hallo Winfried.... merci für deine Antwort. Heißt das somit, dass der Widerstand beliebig sein kann? Grüße
Gast
#790245
Da das IC auch einen Widerstand zwischen durchgeschaltetem Ausgang und Masse hat, sollte der eingebaute Widerstand nicht beliebig klein sein. Sehr oft ist 10 kOhm ein guter Wert für einen Pull-up- bzw. Pull-Down-Widerstand.
Gast
#790375
Um Strom im eingeschalteten Zustand zu sparen, kannst du bis etwa 1MOhm hoch gehen. Darüber kann es störanfällig werden. Bedenken sollte man auch, dass je höher der Widerstand ist, um so länger dauert der Abschaltvorgang, was dann zu einer erhöhten Verlustleistung am Transistor im Ausschaltmoment führen kann. Bei hohen Strömen könnte das tödlich sein. Am besten du schaust in das Datenblatt, da müsste alles drin stehen. http://www.intersil.com/data/fn/fn3182.pdf Zu deinem Widerstand: Wenn du das Ganze mit Batterien betreiben möchtest solltest du besser einen größeren Widerstand ( 1M Ohm ) nehmen, dann ist dein Verlust an diesem nicht so groß. Ich hab gerade errechnet dass dein Mosfet im schlechtesten Fall 1/3 Sekunde zum abschalten braucht. (mit 633pF Gate Kapazität, ab 2.5V schaltet er gut genug durch, bei 6.8V +UB) Wenn du 100K Ohm nimmst ist das 10 mal schneller. (0.03s) In der Zeit erwärmt sich dein Mosfet dann nicht so sehr.
Gast
#790659
Ihr Jungs seit echt SUPER!! Fettes Kompliment! @Atmega, wäre es dir möglich die Vorgehensweise zu posten wie du das ganze berechnet hast. Das wäre genial. Viele Grüße Steht alles im Tafelwerk! Ich bin von der größten Gate-Kapazität ausgegangen, die war im Datenblatt mit 633pF angegeben. (Input Capacitance bei Vgs=0V) Hab allerdings einen Fehler gemacht: Ich denke die "Output Capacitance" = 145pF wär wohl besser gewesen und Pico ist 10^-12, ich hab 10^-9 genommen. Dann ist die Zeit bis der Kondensator geschlossen ist (kritischer Bereich liegt zwischen -1V und -2.5V GS-Spannung) ungefähr: ln(1V/6.8V) * -[1M Ohm*145^(-12)] = 0.000278 Sekunden Entladezeit bei einem 1M Ohm Widerstand. Das ist die Zeit bis der Gate-Kondensator(145pF) eine Spannung von nur noch 1.0V hat, von anfänglichen 6.8V die sich über einem 1M Ohm Widerstand entladen. Bei 9.6V Anfangsspannung sind es dann 0.00033 Sekunden. Kannst also einen 1M Ohm nehmen. Ich hab mich da diesmal hoffentlich nicht vertan. Antwort schreiben |
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