MOSFET fuer PWM (IRLB8743PBF)

Alex H. OP #2575738
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Hallo!

Auf der suche nach einem Power MOSFET fuer (schon wieder) eine LED PWM 
steuerung (1m RGB strip, 60LED, 24V) bin ich bei RS auf den IRLB8743PBF 
gestossen.

Dieser schein mir aus mehreren gruenden interessant zu sein:

1
TO220 (fuer lochraster aufbauten)

2
VDSS=30V 

3
RDSON=4/6mOhm (Tj=25/125°C) bei VGS=4V (logic level?)

4
RDSON=3,2/5mOhm (Tj=25/125°C) bei VGS=5V (sollte ohne kuehlung auskommen)

5
IDM=78/620A (Package limit/Pulsed)

6
Preis=0,77EUR excl. (halbwegs guenstig)


Fuer meinungen und belehrungen immer empfaenglich,
gruesse,
Alex.
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ArnoR Gast #2575782
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Es ist nicht immer das Schlaueste einen möglichst fetten FET zu nehmen, 
denn der muss ja bei PWM auch schnell angesteuert werden und da gibt es 
bei einem µC schnell Probleme. Der Fet sollte i.A. so groß sein, dass 
die Kühlung kein Problem ist, aber nicht größer. Ein sehr großer FET, 
der nicht schnell gesteuert werden kann, wird sonst wärmer als ein 
kleiner, weil die Schaltverluste (Analogbetrieb während der Flanken) 
größer sind als die ohmschen ON-Widerstands-Verluste.
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Alex H. OP #2576115
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@ Falk Brunner (falk)

> Hoffnungslos überdimensioniert.

Huch, ja, stimmt. Habe jetzt noch mal ueberschlagsmaessig nachgerechnet. 
Das sind ja bloss ca. 200mA pro Farbkanal bei 1 Meter laenge (Laut 
Hersteller hat der 5m strip 72W. Also ca. 72Wm/5m/3Kanal/24V=200mA). Wo 
war da mein Hirn?

> Das macht vor allem dem Treiber
> Probleme, denn der muss die große Gatekapazität schnell umladen. Nimm
> was ne Nummer kleiner, IRLZ34N oder so, reicht immer noch dicke.

Als "treiber" haette ich von NXP den PCA9685 genommen. Hat 10mA source 
und 25mA sink. Bei 5V haette ich da einen 560R Gate-Widerstand genommen.

Jetzt ist es so, dass laut datenblatt
 IRLZ34N     max. 25nC
 IRLB8743PBF max. 54nC, typ. 36nC
haben. Stimmt schon. Das ist doppelt so viel. Gibt das aber dennoch so 
viel aus? Habe ein wenig im Forum gelesen. Da gibt es noch viel hoehere 
Gate Kapazitaeten... (allerdings auch deutlich weniger wie ich in ein 
paar Datasheets gelesen habe).

Mir stellt sich jetzt die frage, wie ich diesen Um-/Ladeprozess Zeiten 
berechnen kann. Zumal MOSFETs recht nicht-linear sind. Gibts da wo einen 
Link dazu?

Mein naiver Auswahlprozess vom IRLB war halt:
 auf die MOSFET Seite von RS
 N-Kanal
 TO220 Gehaeuse
 mindestens 30V UDS
 Sortieren nach kleinstem RDSon
 einen nehmen, der einen guenstigen preis hat

War wohl nicht die beste strategie, wie es scheint :-)

Ich werd mir mal ein paar IRLZs beim Con besorgen (a 0,77EUR) und 
spielen.

Danke,
Alex.
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