Wie es sich anhört, hast nicht viel Ahnung von Elektronik. Lass das. Mit
230V spielen ist mitunter lebensgefährlich. Fang lieber klein an (mit
5V/12V).
andy schrieb:> Wie es sich anhört, hast nicht viel Ahnung von Elektronik. Lass das. Mit> 230V spielen ist mitunter lebensgefährlich. Fang lieber klein an (mit> 5V/12V).
Blöde Antwort. Mit 30V eingangsspannung habe ich sowas schon gebaut.
Aber mit 230V
Natürlich könnte ich dass ganze auch ohne die Brücke bauen. Indem ich
nur einen Transistor nehme und die Energie die überschüssig ist im
sperrvorgang wider zurück zum Kondensator leite. So sind die PSUs die
die ich im Internet so finde auch aufgebaut. Aber mit einer vollbrücke
bekomme ich das irgendwie hin an 230V ?
An sich ist das möglich, das macht man aber mit vier N-Kanal-FETs oder
NPN-Transistoren. Welche Leistung soll das Netzteil liefern? Vollbrücke
lohnt sich erst ab vlt 1kW, darunter tut es auch eine Halbbrücke, wie
sie oft in PC-Netzteilen verwendet wird. Ich habe schon ein Netzteil aus
den (umgewickelten) Trafos eines PC-NTs gebaut, trotzdem hat es mir
einige Halbleiter zerlegt.
Trotzdem pflichte ich Andy bei. Wer schon bei so einer Grundlagenfrage
hängt sollte lieber nicht mit 230V basteln. Auch dass du die galvanische
Trennung sicher hinbekommst wage ich zu bezweifeln. Die Regelung eines
Schaltnetzteils ist auch nicht grade was für Anfänger.
Naja die regelung habe ich bei diesem 30V auch schon geschafft..
Wie hoch muss dann die spannung an gate bzw. Basis sein?
Doch eigentlich noch höher als 230V bei NPN mindestens 231 wie macht man
das mit einer
Ladungspumpe? Oder verzichtet man einfach auf diese ca. 1V die da
abfallen..??
Hallo Jan,
wenn wir von 230V - Wechselspannung sprechen ist damit der Effektivwert
gemeint. Was meinst Du wohl wie hoch der Spitzenwert ist?
Gruss Klaus.
> Gibt es Transistoren die auf der Gate Source Strecke 230V aushalten.
Nein.
Der Weg zu einer funktionierenden Vollbrücke scheint noch weit.
Erstens mal weil es nicht 230 sondern 320V sind.
Dann weil von diesem Prinzipschaltbild bis zur betriebssicheren
Schaltung noch ungefähr 100 Bauteile fehlen die nicht in Wikipedia
stehen.
Vielleicht hilft das
http://www.irf.com/technical-info/refdesigns/irsolwib.pdf
Klaus Ra. schrieb:> Hallo Jan,> wenn wir von 230V - Wechselspannung sprechen ist damit der Effektivwert> gemeint. Was meinst Du wohl wie hoch der Spitzenwert ist?> Gruss Klaus.
230*sqrt(2)
MaWin schrieb:>> Gibt es Transistoren die auf der Gate Source Strecke 230V aushalten.>> Nein.>> Der Weg zu einer funktionierenden Vollbrücke scheint noch weit.>> Erstens mal weil es nicht 230 sondern 320V sind.>> Dann weil von diesem Prinzipschaltbild bis zur betriebssicheren> Schaltung noch ungefähr 100 Bauteile fehlen die nicht in Wikipedia> stehen.>> Vielleicht hilft das> http://www.irf.com/technical-info/refdesigns/irsolwib.pdf
Wechselrichter ??
Aber nochmal natürlich fehlen da superviele teile aber, wir sind uns
doch einig, dass der obere transistor einen Emitterfolger bildet. Die
spannung zwischen basis und emitter sollte also mindestens mal Ue
betragen. Und für diese Frage, ist es völlig wurst ob vollbrücke
halbbrücke
Welche regelung whatever. Denn mit den 30V klappt das alles wunderbar.
Ich kenne auch schaltungen die nur mit einem MOSFET und einer schottkey
arbeiten.
Ich will wirklich nur wissen, wenn ich eine brücke einsetze. Welche
spannung muss zwischen gate/base ---------> GND liegen. Geht man den
verlusst von ca. 0,7 V beim NPN wenn man ue anlegt ein?
>Welche spannung muss zwischen gate/base ---------> GND liegen.
hängt vom Transistor ab -> RTFM - Datenblatt
bei Fet U gs üblich so +/- 20V max.,je nach Transistor, typ. reichen 10V
zur Vollbrücke - potentialgetrennte Ansteuerung der High Side
Transistoren zwingend erforderlich
bei den vorhandenen Kenntnissen reicht es sicher nur zum schnellen
ableben der Transistoren
was bei 30V grad noch so geht muss nicht auch bei 230V funktionieren!
ftz schrieb:>>Welche spannung muss zwischen gate/base ---------> GND liegen.>> hängt vom Transistor ab -> RTFM - Datenblatt>> bei Fet U gs üblich so +/- 20V max.,je nach Transistor, typ. reichen 10V
Um ihn kaputt zu Kriegen oder was?
> zur Vollbrücke - potentialgetrennte Ansteuerung der High Side> Transistoren zwingend erforderlich
Was meiste damit mosfet mit Extra Substrat Ausgang ?
Galvanische Trennung?
> bei den vorhandenen Kenntnissen reicht es sicher nur zum schnellen> ableben der Transistoren> was bei 30V grad noch so geht muss nicht auch bei 230V funktionieren!
Ist mir doch so klar.
> wir sind uns doch einig, dass der obere transistor einen> Emitterfolger bildet
Nein.
> Geht man den verlusst von ca. 0,7 V beim NPN wenn man ue anlegt ein?
Nein.
Jan, erzähl uns mal, was Du mit dem Gegentaktflusswandler anfangen
willst. Was soll denn hinten rauskommen? Postest Du nur
Prinzipschaltbilder oder hast Du Dir schon Gedanken über das Design
gemacht? Hast Du Dir überlegt, ob eine Vollbrücke tatsächlich für Deinen
Zweck nötig ist oder nicht vielleicht eine Halbbrücke reicht? Es ist
schwierig, Tipps zu geben, wenn keine konkreten Spezifikationen
vorliegen. Gewiss ist, dass der Sprung von 30 auf 320V weit ist und wenn
dann auch höhere Ströme ins Spiel kommen, sonst würdest Du wohl nicht
wegen einer Vollbrücke angefragt haben, wirds lustig.
Also, her mit den Infos. Das meint einer, der im Feierabendprojekt nun
seit 2 Monaten an einer 1,5kW-PFC entwickelt hat und zu oft den
Elektronikdetailteufel erlebt hat. Und: Ja, es gibt genug Halbleiter,
die Deinen Anfdorderungen genügen. Du musst entscheiden, ob Du bipolar
oder mit MOSFETs fahren willst und dementsprechend die Ansteuerung
designen - MOSFETs saufen am Gate, wenn sie schnell geöffnet und
geschlossen werden wollen, viel Strom. Ebenso will der Snubber
dimensioniert werden - nur, weil nur 320V in den Wandler fliessen muss
das nicht heissen, dass die Schalttransistoren nur diesen Wert aushalten
müssen (->Peaks), etc...
Tu Dir einen Gefallen: Schieb mal ein kleines
230VAC-Eintaktflusswandlerprojekt zum Üben dazwischen, entweder als
Nachbauprojekt oder noch besser selbstberechnet, studiere diverse
Literatur, gockle, oder lies zum Bleistift www.joretronik.de, vergiss
nicht auf http://schmidt-walter.eit.h-da.de/smps/smps.html. Bei Deinen
gestellten Fragen und verlinkten Inhalten wirds auf diesem Wege eher
besser laufen, da auch ich denke, dass Du für ein "dickes" SMPS-Design
noch nicht reif bist...
Will es erstmal auch garnicht bauen. Willerstmal nur die grundlage
verstehen, desshalb hier das Prinzipschaltbild.
Wichtig für mich aber dennoch: wie steuert man die transistoren am
besten an?
Wie verhindere ich dass der transistor als emitterfolger/sourcefolger
arbeitet??
Jan R. schrieb:> Will es erstmal auch garnicht bauen. Willerstmal nur die grundlage> verstehen, desshalb hier das Prinzipschaltbild.Jan R. schrieb:> Mit 30V eingangsspannung habe ich sowas schon gebaut.
Das passt irgendwie nicht zusammen. Da musst du das doch auch schon
gemacht haben und nach deiner Aussage ja auch so, dass es funktioniert
hat.
Warum willst du das überhaupt mit Transistoren machen? Sowas macht man
mit MOSFETs oder IGBTs. Wenns dann Bipolar-Transistoren sein sollen,
bitteschön: Google mal nach "NPN Transistor High-side", ich wette Google
schmeißt da auf der ersten Seite gleich die richtigen Treffer raus.
Gruß Christian
Jan R. schrieb:> Wichtig für mich aber dennoch: wie steuert man die transistoren am> besten an?
Mit einer Bootstrapschaltung. Kannst du googlen, es gibt Bausteine
dafür.
Jan R. schrieb:> Wie verhindere ich dass der transistor als emitterfolger/sourcefolger> arbeitet??
Frage verstehe ich nicht.
Wie kommst du auf die 230V Eingangsspannung? Meinst du 230V
Wechselspannung aus der Steckdose? Ist dir klar, dass du auf der
Eingangsseite Gleichspannung benötigst?
Jan R. schrieb:> ... wir sind uns> doch einig, dass der obere transistor einen Emitterfolger bildet.
Das sehe ich nicht so, das hat überhaupt nichts mit einem Emitterfolger
(=Kollektorschaltung) zu tun.
Der obere Transistor wird in Emitterschaltung betrieben, das bedeutet,
der Gate-Treiber hat als Bezugsmasse das Emitterpotential und gibt
einfach ca. 10 - 15 V aus, um den Transistor anzusteuern.
Johannes E. schrieb:> ... der Gate-Treiber hat als Bezugsmasse das Emitterpotential und gibt> einfach ca. 10 - 15 V aus, um den Transistor anzusteuern.
Hab erst jetzt gesehen, dass du nach Bipolartransistoren gefragt hast.
In diesem Fall hat man einen Treiber, der den Transistor mit dem
passenden Basis-Strom versorgt. Es ist aber trotzdem so, dass der
High-Side Treiber eine floatende Bezugsmasse hat, das bedeutet, dass die
BE-Spannung unabhängig davon ist, auf welchem Potential der Emitter
liegt.
Johannes E. schrieb:> Jan R. schrieb:>> ... wir sind uns>> doch einig, dass der obere transistor einen Emitterfolger bildet.>> Das sehe ich nicht so, das hat überhaupt nichts mit einem Emitterfolger> (=Kollektorschaltung) zu tun.>> Der obere Transistor wird in Emitterschaltung betrieben, das bedeutet,> der Gate-Treiber hat als Bezugsmasse das Emitterpotential und gibt> einfach ca. 10 - 15 V aus, um den Transistor anzusteuern.
Dann braucht der gatetreiber aber eine galvanische trennung.
http://frankheit.de/wp-content/uploads/2009/08/npn-high-side-vs-low-side-switch.png
Der highside swich ist was ich schon die ganze zeit predige. Aber 0,8 V
gehen am Transistor verloren.. Also muss der obere transistor mit
Zwischen Basis und Emitter liegen natürlich nur 0,7 Volt. Aber zwischen
basis und GND bestehen 311V (Spitzenwert, weil ihr da ja alle drauf
pocht.)
> Der highside swich ist was ich schon die ganze zeit predige.
Wie kommst du darauf, daß am NPN low side switch 0.8V anfallen ?
Ein gut durchgeschalteter Transistor hat bei UCEsat weniger,
ein high side Switch eher mehr (nämlich UCEsat+Ube).
MaWin schrieb:>> Der highside swich ist was ich schon die ganze zeit predige.>> Wie kommst du darauf, daß am NPN low side switch 0.8V anfallen
Da komme ich garnicht drauf.
>> Ein gut durchgeschalteter Transistor hat bei UCEsat weniger,> ein high side Switch eher mehr (nämlich UCEsat+Ube).
Ja natürlich da es eine kollektorschaltung ist.
Jan R. schrieb:> So habe ich das mit den 30v gemacht>> http://de.m.wikipedia.org/wiki/Datei:Transistor_pegelumsetzer.svg
Ich geb dir nochmal das Stichwort für die Schaltung eines
High-Side-MOSFETSs oder Bipolartransistors: "BOOTSTRAPSCHALTUNG"
Es wäre schön, wenn du deine Fragestellungen präziser formulieren
könntest und auch die Rechtschreibung oder zumindest die Interpunktion
in korrekter Weise anwenden würdest. Dann könnten wir nämlich auf deine
Fragen auch ohne hellseherische Fähigkeiten eingehen.
Jan R. schrieb:> So habe ich das mit den 30v gemacht>> http://de.m.wikipedia.org/wiki/Datei:Transistor_pegelumsetzer.svg
Gut gemacht, am High Side Transistor ordentlich Leistung verbraten.
Versuche erst einmal, deine 30V Brücke ordentlich hinzukriegen, bevor du
dich an Projekte wagst, die dich umbringen könnten. Es wurde ja noch
nicht oft genug erwähnt, aber:
Bootstrap ist eine Möglichkeit. Treiber-GND am Emitter wäre eine
Möglichkeit. PNP-Transistor wäre eine Möglichkeit. Potentialgetrennter
Treiber wäre eine Möglichkeit.
Wie gesagt: Versuch dich erstmal an 30V, da gibts noch genug Probleme.
Und bau die wirklich auf. Simulationen erweitern nur beschränkt den
Horizont. Und MESSE. Glaube nicht, dass du das vorher gemacht hast, bzw.
richtig gemacht hast, sonst wäre dir aufgefallen, dass was an deiner
Brücke nicht stimmt. Aller Anfang ist schwer, da mussten wir alle durch,
bzw. sind noch drin, sich gleich an überdimensionalen Projekten austoben
kann auch richtig ins Auge gehen...oder übers Herz, das wars dann ;)
Gruß Christian
Christian S. schrieb:> Jan R. schrieb:>> So habe ich das mit den 30v gemacht>>>> http://de.m.wikipedia.org/wiki/Datei:Transistor_pegelumsetzer.svg>> Gut gemacht, am High Side Transistor ordentlich Leistung verbraten.> Versuche erst einmal, deine 30V Brücke ordentlich hinzukriegen, bevor du> dich an Projekte wagst, die dich umbringen könnten. Es wurde ja noch> nicht oft genug erwähnt, aber:> Bootstrap ist eine Möglichkeit. Treiber-GND am Emitter wäre eine> Möglichkeit. PNP-Transistor wäre eine Möglichkeit. Potentialgetrennter>> Gruß Christian
Der high-sight transistor ist ein p-chanal bei 30V psu
Neien ich möchte den 230er eh nicht bauen. Finde es aber wichtig zu
wissen wie es geht.
Jan R. schrieb:> Der high-sight transistor ist ein p-chanal bei 30V psu> Neien ich möchte den 230er eh nicht bauen. Finde es aber wichtig zu> wissen wie es geht.
Dann ist das aber nicht das, was du gepostet hast...da müsstest du in
Zukunft besser drauf achten, du hast einen NPN High Side Switch
gepostet...bzw. halt nen Emitterfolger.
Hast du den 30V Wandler gebaut?
Gruß Christian
Auch wenn's nit in so kleinen SMD's geliefert wird.. ;)
Relativ beliebt ist ein kleiner Impulsübertrager. Eine Primärwicklung
aus dem Schaltregler gespeist, und für jeden Transistor eine eigene
Sekundärwicklung. Das geht sowohl für bipolare Transistoren als auch für
IGBT und MOSFET.
Christian S. schrieb:> Jan R. schrieb:>> Der high-sight transistor ist ein p-chanal bei 30V psu>> Neien ich möchte den 230er eh nicht bauen. Finde es aber wichtig zu>> wissen wie es geht.>> Dann ist das aber nicht das, was du gepostet hast...da müsstest du in> Zukunft besser drauf achten, du hast einen NPN High Side Switch> gepostet...bzw. halt nen Emitterfolger.> Hast du den 30V Wandler gebaut?>> Gruß Christian
Ja der kann auch nicht nur 30v sondern ist so bis 35V dimensioniert und
regelt die ausgangsspannung auf 5V egal welche eingangsspannung anliegt.
Er betreibt Einen uC Motoren und LEDs. Er kann auch spannungsänderungen
am eingang ausregeln .
Er hat auch noch eine 12V schiene. Wenn ich zeit und lust habe, kann ich
ja ein bild posten..
besupreme schrieb:> Auch wenn's nit in so kleinen SMD's geliefert wird.. ;)>> Relativ beliebt ist ein kleiner Impulsübertrager. Eine Primärwicklung> aus dem Schaltregler gespeist, und für jeden Transistor eine eigene> Sekundärwicklung. Das geht sowohl für bipolare Transistoren als auch für> IGBT und MOSFET.
Ach dafür sind die minitrafos..
Jan R. schrieb:> Dann braucht der gatetreiber aber eine galvanische trennung.
Nicht unbedingt, es gibt integrierte High-Side Treiber, die haben einen
Level-Shifter ohne galvanische Trennung.
Aber im Prinzip hast du schon richtig gedacht, der High-Side-treiber hat
einen Eingang, der auf dem negativen Zwischenkreis-Potential liegt und
einen floatenden Ausgang, das verhält sich wie eine galvanische
Trennung.
Jan R. schrieb:> Aber 0,8 V gehen am Transistor verloren.
Die Basis-Emitter-Spannung am Transistor ist 0,7 oder auch 0,8 Volt,
allerdings fließt hier nur ein relativ kleiner Strom, so dass hier keine
große Verlustleistung entsteht.
Die Kollektor-Emitter-Spannung ist davon unabhängig, die hängt nur vom
Transistor ab. Was du anscheinend noch nicht verstanden hast, ist, dass
die Gate-Spannung größer als die positive Zwischenkreis-Spannung ist.
Das erreicht man z.B. mit einer Boot-Strap-Versorgung. Alternativ kann
man auch einen galvanisch getrennten DC/DC-Wandler verwenden, das ist
aber nur in bestimmten Situationen sinnvoll bzw. notwendig.
Jan R. schrieb:> Ja natürlich da es eine kollektorschaltung ist.
Nein, es ist keine Kollektorschaltung! Bei Kollektorschaltung wäre die
Bezugsmasse des Treibers, der die Basis ansteuert, die negative
Zwischenkreisspannung.
Johannes E. schrieb:> Jan R. schrieb:>> Dann braucht der gatetreiber aber eine galvanische trennung.>> Nicht unbedingt, es gibt integrierte High-Side Treiber, die haben einen> Level-Shifter ohne galvanische Trennung.>> Aber im Prinzip hast du schon richtig gedacht, der High-Side-treiber hat> einen Eingang, der auf dem negativen Zwischenkreis-Potential liegt und> einen floatenden Ausgang, das verhält sich wie eine galvanische> Trennung.>
Hast du einen schaltplan dieser Schaltung?
Wie schaft man es eine Bootstrapschaltun so zu bauen, dass sie die
higside nicht auf die doppelte betriebsspannung hoch pumpt.
Habe hier mal ne Bootstrap mit 14V Ugs Highside.
könnte man das so machen?
> Aber im Prinzip hast du schon richtig gedacht, der High-Side-treiber hat> einen Eingang, der auf dem negativen Zwischenkreis-Potential liegt und> einen floatenden Ausgang, das verhält sich wie eine galvanische> Trennung.
Was meinst du hier mit Zwischenkreis, kenne den begriff nur in
zusammenhang mit Gleichrichter/Umrichtern, wo dieser den
Glättungskondensator und bei dem Umrichter zusätzlich eine Rückspeisen
der Blindleistung. Was meinst du damit wie gesagt ein Schaltplan wäre
super, denn rein aus dem Wortlaut, erkenne ich jetzt nicht genau was du
meinst,
Aber danke schonmal.
An sich steht alles hier:
http://de.wikipedia.org/wiki/Bootstrapping_%28Elektrotechnik%29
Angesteuert wird der Transistor weiternin nur mit ~10V zwischen Gate und
Source. Bei 230V liegt das Sourcepotenzial maximal auf 325V, das
Gatepotenzial muss dann halt auf 335V liegen. Es gibt Treiber-ICs dafür
die das alles für dich regeln.
Jan R. schrieb:> Woher bekommen die ICs eig. Ihre logicspannung. Die ja höchstens 25V> sein darf ein Kleines Kondensatornetzteil oder was??
Ein Beispiel: Bild 8.2 B Geregeltes Eintakt-Flusswandler-Netzteil
http://www.joretronik.de/Web_NT_Buch/Kap8/Kapitel8.html#8.1
R1 und Zusatzwicklnung W3 machen das hier.
Gruss Klaus.
Klaus Ra. schrieb:> Jan R. schrieb:>> Woher bekommen die ICs eig. Ihre logicspannung. Die ja höchstens 25V>> sein darf ein Kleines Kondensatornetzteil oder was??>> Ein Beispiel: Bild 8.2 B Geregeltes Eintakt-Flusswandler-Netzteil> http://www.joretronik.de/Web_NT_Buch/Kap8/Kapitel8.html#8.1>> R1 und Zusatzwicklnung W3 machen das hier.> Gruss Klaus.
Was genau ist die Aufgabe von w3
Jan R. schrieb:> Klaus Ra. schrieb:>> Jan R. schrieb:>>> Woher bekommen die ICs eig. Ihre logicspannung. Die ja höchstens 25V>>> sein darf ein Kleines Kondensatornetzteil oder was??>>>> Ein Beispiel: Bild 8.2 B Geregeltes Eintakt-Flusswandler-Netzteil>> http://www.joretronik.de/Web_NT_Buch/Kap8/Kapitel8.html#8.1>>>> R1 und Zusatzwicklnung W3 machen das hier.>> Gruss Klaus.>> Was genau ist die Aufgabe von w3
Ok das war ne dumme frage,
Wie kann man aber versichern, dass die versorgungsspannung des 3844 nie
höher als diese 17V steigt, wird der Kondensator im laufenden Betrieb
viel schneller entladen,als über R1 geladen?
Dafür vorgesehene ICs haben eine Ein/Ausschalthysterese, sprich sie
schalten sich bei beispielsweise 15V ein und bei 10V aus. Der Strom
durch den Einschalt-Widerstand ist nur ein sehr kleiner Bruchteil von
dem, was die Schaltung im Betrieb braucht (sonst würde sehr viel
Leistung an diesem Widerstand verheizt werden). Damit lädt sich der
Kondensator für die IC-Betriebsspannung auf. Wenn das IC sich nun bei
15V einschaltet hat es "5V Zeit", bis die Versorgung von der
Hilfswicklung im Trafo erzeugt werden muß. Das IC versorgt sich dann
quasi selbst. Bis dahin muß der Kondensator die Energie zum Betrieb der
Schaltung bereithalten.
magic smoke schrieb:> Dafür vorgesehene ICs haben eine Ein/Ausschalthysterese, sprich sie> schalten sich bei beispielsweise 15V ein und bei 10V aus. Der Strom> durch den Einschalt-Widerstand ist nur ein sehr kleiner Bruchteil von> dem, was die Schaltung im Betrieb braucht (sonst würde sehr viel> Leistung an diesem Widerstand verheizt werden). Damit lädt sich der> Kondensator für die IC-Betriebsspannung auf. Wenn das IC sich nun bei> 15V einschaltet hat es "5V Zeit", bis die Versorgung von der> Hilfswicklung im Trafo erzeugt werden muß. Das IC versorgt sich dann> quasi selbst. Bis dahin muß der Kondensator die Energie zum Betrieb der> Schaltung bereithalten.
Ok. dann fließt doch aber weiterhin noch was durch den widerstand..
Ja und? Das lutscht sich der PWM-Regler schon rein. Für den Fall, daß es
da ein Problem gibt, kannst Du ja eine Z-Diode einbauen, die im
Fehlerfall diesen Strom übernimmt.
