http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/3/34/Gegentaktwandler_vollbrücke.svg Hi habe hier einen mit vollbrücke. Würde diese Brücke aus p und n Chanal aufbauen. Da meine frage. Gibt es Transistoren die auf der Gate Source Strecke 230V aushalten. Denn wenn ich den oberen beispielsweise mit 5V ansteuern würde, wäre er ja in drainschaltung und würde um die 226v (307v) fressen. Gibt es Transistoren mit zwei unabhängig - Polen einmal Minuspol an Substrat und einmal an Source. http://www.elektronik-kompendium.de/sites/bau/bilder/05101611.gif
Wie es sich anhört, hast nicht viel Ahnung von Elektronik. Lass das. Mit 230V spielen ist mitunter lebensgefährlich. Fang lieber klein an (mit 5V/12V).
andy schrieb: > Wie es sich anhört, hast nicht viel Ahnung von Elektronik. Lass das. Mit > 230V spielen ist mitunter lebensgefährlich. Fang lieber klein an (mit > 5V/12V). Blöde Antwort. Mit 30V eingangsspannung habe ich sowas schon gebaut. Aber mit 230V Natürlich könnte ich dass ganze auch ohne die Brücke bauen. Indem ich nur einen Transistor nehme und die Energie die überschüssig ist im sperrvorgang wider zurück zum Kondensator leite. So sind die PSUs die die ich im Internet so finde auch aufgebaut. Aber mit einer vollbrücke bekomme ich das irgendwie hin an 230V ?
An sich ist das möglich, das macht man aber mit vier N-Kanal-FETs oder NPN-Transistoren. Welche Leistung soll das Netzteil liefern? Vollbrücke lohnt sich erst ab vlt 1kW, darunter tut es auch eine Halbbrücke, wie sie oft in PC-Netzteilen verwendet wird. Ich habe schon ein Netzteil aus den (umgewickelten) Trafos eines PC-NTs gebaut, trotzdem hat es mir einige Halbleiter zerlegt. Trotzdem pflichte ich Andy bei. Wer schon bei so einer Grundlagenfrage hängt sollte lieber nicht mit 230V basteln. Auch dass du die galvanische Trennung sicher hinbekommst wage ich zu bezweifeln. Die Regelung eines Schaltnetzteils ist auch nicht grade was für Anfänger.
Naja die regelung habe ich bei diesem 30V auch schon geschafft.. Wie hoch muss dann die spannung an gate bzw. Basis sein? Doch eigentlich noch höher als 230V bei NPN mindestens 231 wie macht man das mit einer Ladungspumpe? Oder verzichtet man einfach auf diese ca. 1V die da abfallen..??
Hallo Jan, wenn wir von 230V - Wechselspannung sprechen ist damit der Effektivwert gemeint. Was meinst Du wohl wie hoch der Spitzenwert ist? Gruss Klaus.
> Gibt es Transistoren die auf der Gate Source Strecke 230V aushalten. Nein. Der Weg zu einer funktionierenden Vollbrücke scheint noch weit. Erstens mal weil es nicht 230 sondern 320V sind. Dann weil von diesem Prinzipschaltbild bis zur betriebssicheren Schaltung noch ungefähr 100 Bauteile fehlen die nicht in Wikipedia stehen. Vielleicht hilft das http://www.irf.com/technical-info/refdesigns/irsolwib.pdf
Klaus Ra. schrieb: > Hallo Jan, > wenn wir von 230V - Wechselspannung sprechen ist damit der Effektivwert > gemeint. Was meinst Du wohl wie hoch der Spitzenwert ist? > Gruss Klaus. 230*sqrt(2)
MaWin schrieb: >> Gibt es Transistoren die auf der Gate Source Strecke 230V aushalten. > > Nein. > > Der Weg zu einer funktionierenden Vollbrücke scheint noch weit. > > Erstens mal weil es nicht 230 sondern 320V sind. > > Dann weil von diesem Prinzipschaltbild bis zur betriebssicheren > Schaltung noch ungefähr 100 Bauteile fehlen die nicht in Wikipedia > stehen. > > Vielleicht hilft das > http://www.irf.com/technical-info/refdesigns/irsolwib.pdf Wechselrichter ??
Aber nochmal natürlich fehlen da superviele teile aber, wir sind uns doch einig, dass der obere transistor einen Emitterfolger bildet. Die spannung zwischen basis und emitter sollte also mindestens mal Ue betragen. Und für diese Frage, ist es völlig wurst ob vollbrücke halbbrücke Welche regelung whatever. Denn mit den 30V klappt das alles wunderbar. Ich kenne auch schaltungen die nur mit einem MOSFET und einer schottkey arbeiten. Ich will wirklich nur wissen, wenn ich eine brücke einsetze. Welche spannung muss zwischen gate/base ---------> GND liegen. Geht man den verlusst von ca. 0,7 V beim NPN wenn man ue anlegt ein?
>Welche spannung muss zwischen gate/base ---------> GND liegen.
hängt vom Transistor ab -> RTFM - Datenblatt
bei Fet U gs üblich so +/- 20V max.,je nach Transistor, typ. reichen 10V
zur Vollbrücke - potentialgetrennte Ansteuerung der High Side
Transistoren zwingend erforderlich
bei den vorhandenen Kenntnissen reicht es sicher nur zum schnellen
ableben der Transistoren
was bei 30V grad noch so geht muss nicht auch bei 230V funktionieren!
ftz schrieb: >>Welche spannung muss zwischen gate/base ---------> GND liegen. > > hängt vom Transistor ab -> RTFM - Datenblatt > > bei Fet U gs üblich so +/- 20V max.,je nach Transistor, typ. reichen 10V Um ihn kaputt zu Kriegen oder was? > zur Vollbrücke - potentialgetrennte Ansteuerung der High Side > Transistoren zwingend erforderlich Was meiste damit mosfet mit Extra Substrat Ausgang ? Galvanische Trennung? > bei den vorhandenen Kenntnissen reicht es sicher nur zum schnellen > ableben der Transistoren > was bei 30V grad noch so geht muss nicht auch bei 230V funktionieren! Ist mir doch so klar.
Jan R. schrieb: > Galvanische Trennung? Ja, oder ein Treiber mit Levelshifter. Es gibt da diverse Fertig-ICs.
> wir sind uns doch einig, dass der obere transistor einen > Emitterfolger bildet Nein. > Geht man den verlusst von ca. 0,7 V beim NPN wenn man ue anlegt ein? Nein.
Jan, erzähl uns mal, was Du mit dem Gegentaktflusswandler anfangen willst. Was soll denn hinten rauskommen? Postest Du nur Prinzipschaltbilder oder hast Du Dir schon Gedanken über das Design gemacht? Hast Du Dir überlegt, ob eine Vollbrücke tatsächlich für Deinen Zweck nötig ist oder nicht vielleicht eine Halbbrücke reicht? Es ist schwierig, Tipps zu geben, wenn keine konkreten Spezifikationen vorliegen. Gewiss ist, dass der Sprung von 30 auf 320V weit ist und wenn dann auch höhere Ströme ins Spiel kommen, sonst würdest Du wohl nicht wegen einer Vollbrücke angefragt haben, wirds lustig. Also, her mit den Infos. Das meint einer, der im Feierabendprojekt nun seit 2 Monaten an einer 1,5kW-PFC entwickelt hat und zu oft den Elektronikdetailteufel erlebt hat. Und: Ja, es gibt genug Halbleiter, die Deinen Anfdorderungen genügen. Du musst entscheiden, ob Du bipolar oder mit MOSFETs fahren willst und dementsprechend die Ansteuerung designen - MOSFETs saufen am Gate, wenn sie schnell geöffnet und geschlossen werden wollen, viel Strom. Ebenso will der Snubber dimensioniert werden - nur, weil nur 320V in den Wandler fliessen muss das nicht heissen, dass die Schalttransistoren nur diesen Wert aushalten müssen (->Peaks), etc... Tu Dir einen Gefallen: Schieb mal ein kleines 230VAC-Eintaktflusswandlerprojekt zum Üben dazwischen, entweder als Nachbauprojekt oder noch besser selbstberechnet, studiere diverse Literatur, gockle, oder lies zum Bleistift www.joretronik.de, vergiss nicht auf http://schmidt-walter.eit.h-da.de/smps/smps.html. Bei Deinen gestellten Fragen und verlinkten Inhalten wirds auf diesem Wege eher besser laufen, da auch ich denke, dass Du für ein "dickes" SMPS-Design noch nicht reif bist...
Will es erstmal auch garnicht bauen. Willerstmal nur die grundlage verstehen, desshalb hier das Prinzipschaltbild. Wichtig für mich aber dennoch: wie steuert man die transistoren am besten an? Wie verhindere ich dass der transistor als emitterfolger/sourcefolger arbeitet??
Jan R. schrieb: > Will es erstmal auch garnicht bauen. Willerstmal nur die grundlage > verstehen, desshalb hier das Prinzipschaltbild. Jan R. schrieb: > Mit 30V eingangsspannung habe ich sowas schon gebaut. Das passt irgendwie nicht zusammen. Da musst du das doch auch schon gemacht haben und nach deiner Aussage ja auch so, dass es funktioniert hat. Warum willst du das überhaupt mit Transistoren machen? Sowas macht man mit MOSFETs oder IGBTs. Wenns dann Bipolar-Transistoren sein sollen, bitteschön: Google mal nach "NPN Transistor High-side", ich wette Google schmeißt da auf der ersten Seite gleich die richtigen Treffer raus. Gruß Christian
Jan R. schrieb: > Wichtig für mich aber dennoch: wie steuert man die transistoren am > besten an? Mit einer Bootstrapschaltung. Kannst du googlen, es gibt Bausteine dafür. Jan R. schrieb: > Wie verhindere ich dass der transistor als emitterfolger/sourcefolger > arbeitet?? Frage verstehe ich nicht. Wie kommst du auf die 230V Eingangsspannung? Meinst du 230V Wechselspannung aus der Steckdose? Ist dir klar, dass du auf der Eingangsseite Gleichspannung benötigst?
Jan R. schrieb: > ... wir sind uns > doch einig, dass der obere transistor einen Emitterfolger bildet. Das sehe ich nicht so, das hat überhaupt nichts mit einem Emitterfolger (=Kollektorschaltung) zu tun. Der obere Transistor wird in Emitterschaltung betrieben, das bedeutet, der Gate-Treiber hat als Bezugsmasse das Emitterpotential und gibt einfach ca. 10 - 15 V aus, um den Transistor anzusteuern.
Johannes E. schrieb: > ... der Gate-Treiber hat als Bezugsmasse das Emitterpotential und gibt > einfach ca. 10 - 15 V aus, um den Transistor anzusteuern. Hab erst jetzt gesehen, dass du nach Bipolartransistoren gefragt hast. In diesem Fall hat man einen Treiber, der den Transistor mit dem passenden Basis-Strom versorgt. Es ist aber trotzdem so, dass der High-Side Treiber eine floatende Bezugsmasse hat, das bedeutet, dass die BE-Spannung unabhängig davon ist, auf welchem Potential der Emitter liegt.
Johannes E. schrieb: > Jan R. schrieb: >> ... wir sind uns >> doch einig, dass der obere transistor einen Emitterfolger bildet. > > Das sehe ich nicht so, das hat überhaupt nichts mit einem Emitterfolger > (=Kollektorschaltung) zu tun. > > Der obere Transistor wird in Emitterschaltung betrieben, das bedeutet, > der Gate-Treiber hat als Bezugsmasse das Emitterpotential und gibt > einfach ca. 10 - 15 V aus, um den Transistor anzusteuern. Dann braucht der gatetreiber aber eine galvanische trennung.
http://frankheit.de/wp-content/uploads/2009/08/npn-high-side-vs-low-side-switch.png Der highside swich ist was ich schon die ganze zeit predige. Aber 0,8 V gehen am Transistor verloren.. Also muss der obere transistor mit Zwischen Basis und Emitter liegen natürlich nur 0,7 Volt. Aber zwischen basis und GND bestehen 311V (Spitzenwert, weil ihr da ja alle drauf pocht.)
> Der highside swich ist was ich schon die ganze zeit predige.
Wie kommst du darauf, daß am NPN low side switch 0.8V anfallen ?
Ein gut durchgeschalteter Transistor hat bei UCEsat weniger,
ein high side Switch eher mehr (nämlich UCEsat+Ube).
MaWin schrieb: >> Der highside swich ist was ich schon die ganze zeit predige. > > Wie kommst du darauf, daß am NPN low side switch 0.8V anfallen Da komme ich garnicht drauf. > > Ein gut durchgeschalteter Transistor hat bei UCEsat weniger, > ein high side Switch eher mehr (nämlich UCEsat+Ube). Ja natürlich da es eine kollektorschaltung ist.
So habe ich das mit den 30v gemacht http://de.m.wikipedia.org/wiki/Datei:Transistor_pegelumsetzer.svg
Jan R. schrieb: > So habe ich das mit den 30v gemacht > > http://de.m.wikipedia.org/wiki/Datei:Transistor_pegelumsetzer.svg Ich geb dir nochmal das Stichwort für die Schaltung eines High-Side-MOSFETSs oder Bipolartransistors: "BOOTSTRAPSCHALTUNG" Es wäre schön, wenn du deine Fragestellungen präziser formulieren könntest und auch die Rechtschreibung oder zumindest die Interpunktion in korrekter Weise anwenden würdest. Dann könnten wir nämlich auf deine Fragen auch ohne hellseherische Fähigkeiten eingehen.
üblicherweise schaut man doch vorher mal was andere bisher gebaut haben z.b. https://www.google.de/search?q=switch+mode+power+supply+hommemade es gibt massig App Notes der Halbleiterhersteller, teilweise incl. allen Infos mit Layout u.a. http://www.hobbielektronika.hu/forum/getfile.php?id=193679 dazu Literatur http://www.amazon.de/s/ref=nb_sb_noss/277-1766068-1392263?__mk_de_DE=%C3%85M%C3%85%C5%BD%C3%95%C3%91&url=search-alias%3Daps&field-keywords=Power+Supply+Cookbook+ dann viel lesen, versuchen zu verstehen und irgendwann einsehen das es nie was wird oder anfangen Fets zu killen
Jan R. schrieb: > So habe ich das mit den 30v gemacht > > http://de.m.wikipedia.org/wiki/Datei:Transistor_pegelumsetzer.svg Gut gemacht, am High Side Transistor ordentlich Leistung verbraten. Versuche erst einmal, deine 30V Brücke ordentlich hinzukriegen, bevor du dich an Projekte wagst, die dich umbringen könnten. Es wurde ja noch nicht oft genug erwähnt, aber: Bootstrap ist eine Möglichkeit. Treiber-GND am Emitter wäre eine Möglichkeit. PNP-Transistor wäre eine Möglichkeit. Potentialgetrennter Treiber wäre eine Möglichkeit. Wie gesagt: Versuch dich erstmal an 30V, da gibts noch genug Probleme. Und bau die wirklich auf. Simulationen erweitern nur beschränkt den Horizont. Und MESSE. Glaube nicht, dass du das vorher gemacht hast, bzw. richtig gemacht hast, sonst wäre dir aufgefallen, dass was an deiner Brücke nicht stimmt. Aller Anfang ist schwer, da mussten wir alle durch, bzw. sind noch drin, sich gleich an überdimensionalen Projekten austoben kann auch richtig ins Auge gehen...oder übers Herz, das wars dann ;) Gruß Christian
Christian S. schrieb: > Jan R. schrieb: >> So habe ich das mit den 30v gemacht >> >> http://de.m.wikipedia.org/wiki/Datei:Transistor_pegelumsetzer.svg > > Gut gemacht, am High Side Transistor ordentlich Leistung verbraten. > Versuche erst einmal, deine 30V Brücke ordentlich hinzukriegen, bevor du > dich an Projekte wagst, die dich umbringen könnten. Es wurde ja noch > nicht oft genug erwähnt, aber: > Bootstrap ist eine Möglichkeit. Treiber-GND am Emitter wäre eine > Möglichkeit. PNP-Transistor wäre eine Möglichkeit. Potentialgetrennter > > Gruß Christian Der high-sight transistor ist ein p-chanal bei 30V psu Neien ich möchte den 230er eh nicht bauen. Finde es aber wichtig zu wissen wie es geht.
Jan R. schrieb: > Der high-sight transistor ist ein p-chanal bei 30V psu > Neien ich möchte den 230er eh nicht bauen. Finde es aber wichtig zu > wissen wie es geht. Dann ist das aber nicht das, was du gepostet hast...da müsstest du in Zukunft besser drauf achten, du hast einen NPN High Side Switch gepostet...bzw. halt nen Emitterfolger. Hast du den 30V Wandler gebaut? Gruß Christian
Auch wenn's nit in so kleinen SMD's geliefert wird.. ;) Relativ beliebt ist ein kleiner Impulsübertrager. Eine Primärwicklung aus dem Schaltregler gespeist, und für jeden Transistor eine eigene Sekundärwicklung. Das geht sowohl für bipolare Transistoren als auch für IGBT und MOSFET.
Christian S. schrieb: > Jan R. schrieb: >> Der high-sight transistor ist ein p-chanal bei 30V psu >> Neien ich möchte den 230er eh nicht bauen. Finde es aber wichtig zu >> wissen wie es geht. > > Dann ist das aber nicht das, was du gepostet hast...da müsstest du in > Zukunft besser drauf achten, du hast einen NPN High Side Switch > gepostet...bzw. halt nen Emitterfolger. > Hast du den 30V Wandler gebaut? > > Gruß Christian Ja der kann auch nicht nur 30v sondern ist so bis 35V dimensioniert und regelt die ausgangsspannung auf 5V egal welche eingangsspannung anliegt. Er betreibt Einen uC Motoren und LEDs. Er kann auch spannungsänderungen am eingang ausregeln . Er hat auch noch eine 12V schiene. Wenn ich zeit und lust habe, kann ich ja ein bild posten..
besupreme schrieb: > Auch wenn's nit in so kleinen SMD's geliefert wird.. ;) > > Relativ beliebt ist ein kleiner Impulsübertrager. Eine Primärwicklung > aus dem Schaltregler gespeist, und für jeden Transistor eine eigene > Sekundärwicklung. Das geht sowohl für bipolare Transistoren als auch für > IGBT und MOSFET. Ach dafür sind die minitrafos..
Jan R. schrieb: > Dann braucht der gatetreiber aber eine galvanische trennung. Nicht unbedingt, es gibt integrierte High-Side Treiber, die haben einen Level-Shifter ohne galvanische Trennung. Aber im Prinzip hast du schon richtig gedacht, der High-Side-treiber hat einen Eingang, der auf dem negativen Zwischenkreis-Potential liegt und einen floatenden Ausgang, das verhält sich wie eine galvanische Trennung. Jan R. schrieb: > Aber 0,8 V gehen am Transistor verloren. Die Basis-Emitter-Spannung am Transistor ist 0,7 oder auch 0,8 Volt, allerdings fließt hier nur ein relativ kleiner Strom, so dass hier keine große Verlustleistung entsteht. Die Kollektor-Emitter-Spannung ist davon unabhängig, die hängt nur vom Transistor ab. Was du anscheinend noch nicht verstanden hast, ist, dass die Gate-Spannung größer als die positive Zwischenkreis-Spannung ist. Das erreicht man z.B. mit einer Boot-Strap-Versorgung. Alternativ kann man auch einen galvanisch getrennten DC/DC-Wandler verwenden, das ist aber nur in bestimmten Situationen sinnvoll bzw. notwendig. Jan R. schrieb: > Ja natürlich da es eine kollektorschaltung ist. Nein, es ist keine Kollektorschaltung! Bei Kollektorschaltung wäre die Bezugsmasse des Treibers, der die Basis ansteuert, die negative Zwischenkreisspannung.
Johannes E. schrieb: > Jan R. schrieb: >> Dann braucht der gatetreiber aber eine galvanische trennung. > > Nicht unbedingt, es gibt integrierte High-Side Treiber, die haben einen > Level-Shifter ohne galvanische Trennung. > > Aber im Prinzip hast du schon richtig gedacht, der High-Side-treiber hat > einen Eingang, der auf dem negativen Zwischenkreis-Potential liegt und > einen floatenden Ausgang, das verhält sich wie eine galvanische > Trennung. > Hast du einen schaltplan dieser Schaltung? Wie schaft man es eine Bootstrapschaltun so zu bauen, dass sie die higside nicht auf die doppelte betriebsspannung hoch pumpt.
Angehängte Dateien:
Habe hier mal ne Bootstrap mit 14V Ugs Highside. könnte man das so machen? > Aber im Prinzip hast du schon richtig gedacht, der High-Side-treiber hat > einen Eingang, der auf dem negativen Zwischenkreis-Potential liegt und > einen floatenden Ausgang, das verhält sich wie eine galvanische > Trennung. Was meinst du hier mit Zwischenkreis, kenne den begriff nur in zusammenhang mit Gleichrichter/Umrichtern, wo dieser den Glättungskondensator und bei dem Umrichter zusätzlich eine Rückspeisen der Blindleistung. Was meinst du damit wie gesagt ein Schaltplan wäre super, denn rein aus dem Wortlaut, erkenne ich jetzt nicht genau was du meinst, Aber danke schonmal.
An sich steht alles hier: http://de.wikipedia.org/wiki/Bootstrapping_%28Elektrotechnik%29 Angesteuert wird der Transistor weiternin nur mit ~10V zwischen Gate und Source. Bei 230V liegt das Sourcepotenzial maximal auf 325V, das Gatepotenzial muss dann halt auf 335V liegen. Es gibt Treiber-ICs dafür die das alles für dich regeln.
IR2110/IR2113. Kannst Dir ja mal ein PC-Netzteil anschauen, die älteren Typen mit dem bekannten TL494 sind alles Halbbrücken-Gegentaktwandler.
Danke! Woher bekommen die ICs eig. Ihre logicspannung. Die ja höchstens 25V sein darf ein Kleines Kondensatornetzteil oder was??
Jan R. schrieb: > Woher bekommen die ICs eig. Ihre logicspannung. Die ja höchstens 25V > sein darf ein Kleines Kondensatornetzteil oder was?? Ein Beispiel: Bild 8.2 B Geregeltes Eintakt-Flusswandler-Netzteil http://www.joretronik.de/Web_NT_Buch/Kap8/Kapitel8.html#8.1 R1 und Zusatzwicklnung W3 machen das hier. Gruss Klaus.
Klaus Ra. schrieb: > Jan R. schrieb: >> Woher bekommen die ICs eig. Ihre logicspannung. Die ja höchstens 25V >> sein darf ein Kleines Kondensatornetzteil oder was?? > > Ein Beispiel: Bild 8.2 B Geregeltes Eintakt-Flusswandler-Netzteil > http://www.joretronik.de/Web_NT_Buch/Kap8/Kapitel8.html#8.1 > > R1 und Zusatzwicklnung W3 machen das hier. > Gruss Klaus. Was genau ist die Aufgabe von w3
Jan R. schrieb: > Klaus Ra. schrieb: >> Jan R. schrieb: >>> Woher bekommen die ICs eig. Ihre logicspannung. Die ja höchstens 25V >>> sein darf ein Kleines Kondensatornetzteil oder was?? >> >> Ein Beispiel: Bild 8.2 B Geregeltes Eintakt-Flusswandler-Netzteil >> http://www.joretronik.de/Web_NT_Buch/Kap8/Kapitel8.html#8.1 >> >> R1 und Zusatzwicklnung W3 machen das hier. >> Gruss Klaus. > > Was genau ist die Aufgabe von w3 Ok das war ne dumme frage, Wie kann man aber versichern, dass die versorgungsspannung des 3844 nie höher als diese 17V steigt, wird der Kondensator im laufenden Betrieb viel schneller entladen,als über R1 geladen?
Dafür vorgesehene ICs haben eine Ein/Ausschalthysterese, sprich sie schalten sich bei beispielsweise 15V ein und bei 10V aus. Der Strom durch den Einschalt-Widerstand ist nur ein sehr kleiner Bruchteil von dem, was die Schaltung im Betrieb braucht (sonst würde sehr viel Leistung an diesem Widerstand verheizt werden). Damit lädt sich der Kondensator für die IC-Betriebsspannung auf. Wenn das IC sich nun bei 15V einschaltet hat es "5V Zeit", bis die Versorgung von der Hilfswicklung im Trafo erzeugt werden muß. Das IC versorgt sich dann quasi selbst. Bis dahin muß der Kondensator die Energie zum Betrieb der Schaltung bereithalten.
magic smoke schrieb: > Dafür vorgesehene ICs haben eine Ein/Ausschalthysterese, sprich sie > schalten sich bei beispielsweise 15V ein und bei 10V aus. Der Strom > durch den Einschalt-Widerstand ist nur ein sehr kleiner Bruchteil von > dem, was die Schaltung im Betrieb braucht (sonst würde sehr viel > Leistung an diesem Widerstand verheizt werden). Damit lädt sich der > Kondensator für die IC-Betriebsspannung auf. Wenn das IC sich nun bei > 15V einschaltet hat es "5V Zeit", bis die Versorgung von der > Hilfswicklung im Trafo erzeugt werden muß. Das IC versorgt sich dann > quasi selbst. Bis dahin muß der Kondensator die Energie zum Betrieb der > Schaltung bereithalten. Ok. dann fließt doch aber weiterhin noch was durch den widerstand..
Ja und? Das lutscht sich der PWM-Regler schon rein. Für den Fall, daß es da ein Problem gibt, kannst Du ja eine Z-Diode einbauen, die im Fehlerfall diesen Strom übernimmt.
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