Sicheres Schalten von MOSFET-Relais

Aber wie wird die Kapazität dann sicher abgeleitet, über die Solarzellen?

Erwin schrieb:

Wenn ich ein optisches MOSFET-Relais, hier ein Omron G3VM[1] schalte, ist der Schaltzustand dann garantiert, wenn kein Strom mehr durch die LED fließt?

Die Hintergrundfrage: Was willst Du damit schalten?

Thomas S. schrieb:

Erwin schrieb:

Wenn ich ein optisches MOSFET-Relais, hier ein Omron G3VM[1] schalte, ist der Schaltzustand dann garantiert, wenn kein Strom mehr durch die LED fließt?

Die Hintergrundfrage: Was willst Du damit schalten?

Einen Türsummer, um die Türe zu öffnen und eine Klingel, um diese ggf. über Nacht zu deaktivieren. Beides maximal 1 A.

H. H. schrieb:

Erwin schrieb:

Einen Türsummer, um die Türe zu öffnen und eine Klingel, um diese ggf. über Nacht zu deaktivieren. Beides maximal 1 A.

TVS nicht vergessen!

Vielen Dank für den Tipp!

Wäre damit folgende Annahme korrekt, um das MOSFET-Relais zu schützen?

Zwischen Pin 1 (Türöffner) und 3 (Common) eine bidirektionale TVS-Diode, die ab ca. 15 V zu leiten beginnt.

Das System in dem Falle ist übrigens ein einfaches 4+n: https://docs.fermax.com/manuales/97771b%20TELEFONO%20CITYMAX%204n%20V02_19.pdf

Erwin schrieb:

[1] Datenblatt: https://www.mouser.at/datasheet/2/307/en-3gvm_ar_dr-1771733.pdf

Erstmal ist das im Anhang von Hinz sehr gut beschrieben und dann schaue dir das Datenblatt richtig an. Da ist nur die Kapazität der Terminals angegeben und die ist sehr gering. Wenn das relevant wäre, würde etwas davon stehen. Da das Teil wie ein Relais arbeiten soll, spielt das keine Rolle.

H. H. schrieb:

Die TVS kommt parallel zum Ausgang des SSR. Nimm eine bidirektionale für 2/3 der Spannungsfestigkeit des SSR.

Dankeschön. Habe das nun entsprechend eingezeichnet. Hatte es fast vergessen, weil ich nicht an eine mögliche Induktivität beim Türöffner dachte, aber selbst wenn nicht, sind nur wenige Cent.

(Symbole nicht unbedingt stimmig)

Ich frage mich nur noch, ob Türöffner (1) und Common (3) bei diesem 4+n-System direkt kurzgeschlossen werden, ich habe es jetzt nicht nachgemessen, nehme es aber stark an.

H. H. schrieb:

Wenn bedrahtet, dann eher eine in DO-201.

Korrekt, bedrahtet soll es sein. Ich habe sogar kleinere DO-204AC/DO-15 (600 W) gefunden:

https://www.reichelt.de/tvs-diode-bidirectional-20-5-v-600-w-do-204ac-do-15-p6ke-24ca-p204408.html?&nbc=1

Oder meintest Du, ich solle dann eher die größere (1500 W) nehmen?

Erwin schrieb:

Normalerweise muss man die Gate-Kapazität über Pull-Down-Widerstände entladen, doch wie ist das hier?

Geht, aber dauert.

So schnell sind PhotoMOS nicht.

H. H. schrieb:

Erwin schrieb:

eher die größere (1500 W) nehmen?

Ja.

Interessant, dann muss ich auf jeden Fall die Bohrung größer machen. Geht es hier um Eventualitäten wie ein Blitzeinschlag irgendwo in die Hausversorgung, oder weshalb eine so große Diode?

Sollte ich dann nicht auch das Gleiche mit der Rufdetektion machen? Hier detektiere ich über ein PC817 das Drücken der Klingel über Pin 3 (Common) und 4 (Ruf).

H. H. schrieb:

Erwin schrieb:

weshalb eine so große Diode?

Dicke Spulen in Sicht.

H. H. schrieb:

Erwin schrieb:

Sollte ich dann nicht auch das Gleiche mit der Rufdetektion machen? Hier detektiere ich über ein PC817 das Drücken der Klingel über Pin 3 (Common) und 4 (Ruf).

814er nehmen, und auf 5mA LED-Strom auslegen.

Verstehe. Der LED des (LTV) 814 ist sogar die Richtung egal, auch ganz gut.

Hier mal als Simulation.

Wenn ich statt dem MOSFET-Relais ein elektromagnetisches Relais zum Schalten des Türsummers bzw. der Klingel verwenden würde, wäre hier auch eine TVS am Ausgang des Relais erforderlich, oder dann nur die Freilaufdiode an der Relaispule?