Wie geht ein MOSFET mit reverse diode in LTSpice

OP #3982163
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Hallo,

ich habe ein Anfänger Problem, für das ich leider bis jetzt keine 
Antwort gefunden habe.
Ich möchte in einer Schaltung einen 2N7002 verwenden, der auch die 
"reverse diode" beinhaltet.
Das Standard-Modell eines "Small signal N-channel MOSFET Transistor" 
scheint diese leider nicht zu berücksichtigen.

Bei Infineon habe ich ein SPICE Modell gefunden, aber hier müsste ich 
wiederum erst einmal lernen wie man dies verwendet.
Ich weiss auch nicht ob dieses Modell die Diode beinhaltet?

Ich denke mir das dies doch bestimmt auch viel einfacher geht?

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.SUBCKT 2N7002 drain gate source Tj Tcase PARAMS: dVth=0 dRdson=0 dgfs=0 dC=0 Zthtype=0 Ls=1n Ld=0.5n Lg=1n
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.PARAM Rs=73.66m    Rg=50        Rd=1m        Rm=1u
4
.PARAM Inn=0.5      Unn=10       Rmax=3       gmin=313.54m
5
.PARAM RRf=500m     Rrbond=922   Rtb=1.5k     g2=1000m
6
.PARAM act=0.0459
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.FUNC   Pb(I,dT,Rb)  {Rb/(2*Rtb)*(I-limit(dT/(max(I,1n)*Rb)+RRf*I*g2,0,I))**2}
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X1  d1 g s Tj S2_60_i_var PARAMS: a={act} dVth={dVth} dR={dRdson} dgfs={dgfs} Inn={Inn} Unn={Unn} 
11
                                        +Rmax={Rmax} gmin={gmin} Rs={Rs} Rp={Rd} dC={dC} Rm={Rm} heat=1
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Rg    g1     g    {Rg}   
13
Lg    gate   g1   {Lg*if(dgfs==99,0,1)}
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Gs    s1     s    VALUE={V(s1,s)/(Rs*(1+(limit(V(Tj),-200,999)-25)*4m)-Rm)}
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Rsa   s1     s    1Meg
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Ls    source s1   {Ls*if(dgfs==99,0,1)}
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Rda   d1     d2   {Rd}
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Ld    drain  d2   {Ld*if(dgfs==99,0,1)}
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RLs   source s1   10
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RLg   gate   g1   10
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RLd   drain  d2   10
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G_TH  0    Tb  VALUE =  {Pb(abs(I(Ls)),V(Tj,Tcase),Rrbond*(1+(limit((V(Tb)+V(Tj))/2,-200,999)-25)*4m))}
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Cthb  Tb      0               944.25n
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Rthb  Tb      Tj              {Rtb} 
26
Rth1  Tj      t1              {393.6m+limit(Zthtype,0,1)*286.81m}
27
Rth2  t1      t2              {3.02+limit(Zthtype,0,1)*2.19}
28
Rth3  t2      t3              {7.19+limit(Zthtype,0,1)*5.25}
29
Rth4  t3      t4              {11.11+limit(Zthtype,0,1)*3.38}
30
Rth5  t4      Tcase           {59.17+limit(Zthtype,0,1)*18.01}
31
Cth1  Tj      0               368.939n
32
Cth2  t1      0               641.8n
33
Cth3  t2      0               4.643u
34
Cth4  t3      0               223.105u
35
Cth5  t4      0               601.844u
36
Cth6  Tcase   0               6m
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.ENDS
#3982185
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Karsten M. schrieb:
> Das Standard-Modell eines "Small signal N-channel MOSFET Transistor"
> scheint diese leider nicht zu berücksichtigen.
 Doch, ein Standard-Modell berücksichtig die Diode. Die Frage ist halt, 
ob die Parameter richtig eingegeben wurden.

Karsten M. schrieb:
> Bei Infineon habe ich ein SPICE Modell gefunden, aber hier müsste ich
> wiederum erst einmal lernen wie man dies verwendet.

Das ist ein Subcircuit, wenn du dich mit Spice beschäftigst musst du 
dich auch zwangsläufig mit Subcircuits beschäftigen. Spice ohne diese 
geht zwar auch, macht die Sache allerdings nur unnötig unübersichtlich. 
Das Modell von Infinion berücksichtigt allerdings die Bulk-Diode 
anscheinend nicht.

Vielleicht genügt es dir aber auch wenn du selbst ein Modell der Diode 
erstellst und das einfach parallel zum FET "anklemmst". Die wichtigen 
Daten der Diode stehen ja gewiss im Datenblatt.

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