SDR SDRAM Stromaufnahme bei Power-Down

OP #7572283
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Hallo,

beim Durchgehen von Datenblättern von SDR SDRAMs ist mir aufgefallen, dass die Dinger relativ viel Strom im Power-Down Mode ziehen. Die meisten liegen bei ca. 2 mA egal ob Self Refresh oder Power Down (Also Speicherinhalt geht verloren). Lediglich Micron hat bei manchen Chips wie dem MT48LC4M16A2 einen Low-Power Self Refresh Current von 0,5mA spezifiziert - allerdings nur in Stepping G, in Revision J ist das nicht mehr enthalten, der Self Refresh Current liegt hier sogar bei 3mA. Ohne Self Refresh müsste die Stromaufnahme doch deutlich sinken? Mich wundert das, denn heutzutage kommt diese Speichertechnik nur noch im Embeded Bereich zur Anwendung - und da ist die Ruhestromaufnahme manchmal nicht unwichtig. Ein PSRAM wie dem APS512XXN-OBR-BG hat einen Deep Power Down Mode mit max. 40µA. Weiss jemand warum die SDR SDRAMs bei Power Down so schlecht performen?

OP #7572630
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Nehmen wir an, der MC ist im Power Down und kann durch ein CAN-Event aufgeweckt werden. In diesem Zustand wird das SDRAM nicht benötigt. Nach dem Wakeup erfolgt ein Reset, dann wird das SDRAM neu initialisiert. Dem SDRAM den Saft abdehen bedeutet eine gesplittete VDD Plane mit P-MOSFET.

#7572634
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Harald K. schrieb:

Der Sinn, DRAM mit Spannung zu versorgen, aber auf Refresh zu verzichten, der erschließt sich mir nicht so recht.

Wenn Du VDD und VDDQ auf 0V setzt, dann vertragen die ganzen Pins am SDRAM nur maximal 0.3V. Heißt also: Du musst den kompletten Memory Controller im Prozessor abschalten und alle Pins entweder auf Hi-Z oder 0V setzen. Ich bin mir nicht sicher, ob das immer so einfach geht.

Aber es ist ja auch kein Problem in der echten Welt. LPDDR 1, 2, 3 und 4 sind längst erfunden.

fchk

#7572716
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Steffen K. schrieb:

Frank K. schrieb:

Aber es ist ja auch kein Problem in der echten Welt. LPDDR 1, 2, 3 und 4 sind längst erfunden.

Ich dachte die wurden dazu erfunden, bei weniger Spannung weniger Strom zu verbrauchen, auf Kosten der maximal möglichen Frequenz. Verbrauchen die im Power-Down auch deutlich weniger als DDR?

MT46H64M32LF – 16 Meg32 Bit4 Banks Mobile LPDDR:

Deep power-down current: Address and control pins are stable; Data bus inputs are stable: IDD8=10μA

fchk

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