Bs170 Verlustleistung berechnen

OP #4265435
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Hallo Community,

ich würde gern die Verlustleistung des BS170 berechnen.
Dazu ist folgende Schaltung geplant:
http://www.mikrocontroller.net/articles/Relais_mit_Logik_ansteuern

Der BS170 hat Vgs= 5v und schaltet U=24v.
Als Relais soll das HF3FA verwendet werden.
DB:http://cdn-reichelt.de/documents/datenblatt/C300/DS_HF3FA.pdf

Zur Berechnung:
Der Bs170 hat ein Rds(on)= max. 5ohm.
Das Relais hat R=1600ohm.
Bei 24v sind das nach dem einschalten 24V/1600ohm= I= 15mA

Ist die Verlustleistung jetzt Pl= 15mA²* 5ohm= 1,125mW ?
Oder ist da noch mehr zu beachten?

grüße
Jan
OP #4265571
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Danke für eure Antworten:)

Was passiert eigentlich wenn der Mosfet nicht ganz durchsteuert?
Zieht er dann dauerhaft Strom am Gate oder gibt es irgendwelche andere 
Nebeneffekte die man beachten muss?


> Na, du meinst wohl eher 1.5 * Rds(on), Figure 2 ist Rds(on) Normalized

Wo finde ich die besagten 1.5 *Rds(on) im DB?
#4265591
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Jan R. schrieb:
> Was passiert eigentlich wenn der Mosfet nicht ganz durchsteuert?
> Zieht er dann dauerhaft Strom am Gate

Ein MOSFET? Wenn er das tut ist er im Eimer.

Grob gesagt kann man einen MOSFET bei niedrigem Strom als 
spannungsgesteuerten Widerstand sehen, bei hohem Strom als 
spannungsgesteuerte Stromquelle. Das wär der Knick in der eben genannten 
Kurve, von links nach rechts gelesen.
#4265622
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Falk B. schrieb:
> Nö. Bei niedriger Drain-Source Spannung ist der MOSFET ohmsch linear,
> sowohl bei kleinen wie auch großen Strömen, typisch unter 1-2V.

Bezogen auf Figure 2:

Im unteren Strombereich bei z.B. 200mA erkennt man einen grob linearen 
Zusammenhang von Ugs und Rds. In diesem Bereich variiert Id in einer 
Schaltanwendung normalerweise nicht wesentlich, weil i.d.R. primär die 
Last den Strom bestimmt, nicht der Transistor.

Andererseits erkennt man bei einem Rds von 2,5 Ohm einen grob linearen 
Zusammenhang von Ugs und Id, Ugs beschränkt hier den Strom. In diesem 
Bereich will man bei einem Schalter nicht statisch landen wollen.
#4265634
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Jan R. schrieb:
> Was passiert eigentlich wenn der Mosfet nicht ganz durchsteuert?

Er schaltet nicht ganz durch. Der effektive Widerstand zwischen Drain 
und Source (vulgo: R_ds_on) ist größer als im voll durchschalteten 
Zustand. D.h. wenn da Strom drüber fließt, fällt entsprechend mehr 
Spannung am MOSFET ab, was zu mehr Verlustleistung führt.

Das ist nicht notwendigerweise ein Problem, denn an sich ist ein MOSFET 
ein analoges Bauteil. Man kann ihn genauso in analogen Schaltungen (z.B. 
Verstärker) einsetzen wie z.B. Transistoren. Aber wenn man den MOSFET 
als Schalter verwenden will, dann legt man natürlich Wert darauf, ihn 
möglichst vollständig durchzusteuern.

> Zieht er dann dauerhaft Strom am Gate

Das macht nur ein kaputter MOSFET.

> oder gibt es irgendwelche andere
> Nebeneffekte die man beachten muss?

Kein Nebeneffekt. Aber natürlich muß man die SOA (safe operation area) 
beachten. Siehe https://de.wikipedia.org/wiki/SOAR-Diagramm
#4265647
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Axel S. schrieb:
> Aber wenn man den MOSFET
> als Schalter verwenden will, dann legt man natürlich Wert darauf, ihn
> möglichst vollständig durchzusteuern.

Ich würde das etwas anders formulieren: Man will ihn so weit 
durchsteuern, dass Spannungverlust/Verlustleitung nicht mehr relevant 
sind. Bei Ugs=5V sind 100mA für Relais-Schalter meist noch vertretbar.
#4265713
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A. K. schrieb:
> Michael K. schrieb:
>> Na, du meinst wohl eher 1.5 * Rds(on), Figure 2 ist Rds(on) Normalized
>
> Ok. Aber angesichts vom Bezugspunkt von 1,2 Ohm typ macht das keinen arg
> grossen Unterschied. Als 1,8 statt 1.5. ;-)

Kein großer Unterschied? Hm, 1,8 Ohm statt 1,5 Ohm sind mal eben 
läppische 20% mehr Verluste. Das ist IMO schon ein riesiger Unterschied. 
Also ich will z.B. nicht 20% weniger Geld im Monat verdienen.
Und das gilt ja nur, wenn du einen erwischst, der 1,2 Ohm hat. Und wenn 
du einen erwischst der im Bezugspunkt die 5 Ohm hat wäre das dann schon 
etwas mehr. ;)
Grade was Verluste beanlangt würde ich nicht von typischen Werten 
ausgehen sondern von den ungünstigsten Werten und nach dem Datenblatt 
wären dass dann 5 Ohm bei Rds(on). ;)
#4265725
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Michael K. schrieb:
> Kein großer Unterschied? Hm, 1,8 Ohm statt 1,5 Ohm sind mal eben
> läppische 20% mehr Verluste.

Keep cool. ;-)

> Grade was Verluste beanlangt würde ich nicht von typischen Werten
> ausgehen

Bei eingeschränkten Betriebsbedingungen sehe ich das etwas anders. Zwar 
gehört deutlich Reserve eingerechnet, aber wenn man ein Device weder in 
Sibirien noch im Kochtopf des Bergarbeiters einsetzt muss man die dort 
ggf. auftretenden Extreme nicht zwingend berücksichtigen.
#4265743
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A. K. schrieb:
> Bei eingeschränkten Betriebsbedingungen sehe ich das etwas anders. Zwar
> gehört deutlich Reserve eingerechnet, aber wenn man ein Device weder in
> Sibirien noch im Kochtopf des Bergarbeiters einsetzt muss man die dort
> ggf. auftretenden Extreme nicht zwingend berücksichtigen.

Naja, hat ja nix mit Kochtopf oder Sibieren zu tun (das kommt 
schlimmsten Falls nur hinzu). Der Rds(on) liegt typischer Weise bei 1.2 
Ohm bei Raumtemperatur, du kannst aber auch eine Serie bekommen wo er 
bei 4 Ohm liegt oder aber eine wo er bei 0.5 Ohm liegt. Das ist ne ganz 
normale Streuung. Und hier gehe ich dann immer vom ungünstigsten Falle 
aus. OK, hier in der Anwendung ist das eh Pille-Palle, ob jetzt 2 mW 
oder 10 mW Heizleistung dürfte hier nicht beeindrucken ;)
#4265752
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Hallo,

ich gehe mal davon aus, daß er nicht von einer Großserie sondern von 
einem üblichen Home-Projekt redet.

Ein übliches 24V-Relais zieht auch bei 22V sicher und schnell genug an.
Also kann man sich 2V Spannungsabfall über dem BS170 durchaus leisten.
Wären dann bei ca. 15mA rund 30mW (es fleißt ja eigentlich eetwas 
weniger).

Wozu also darüber nachdenken? Natürlich geht das.

Gruß aus Berlin
Michael

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