Gast
#1537508
Hallo! Ich habe eine Frage bezüglich der MOSFET Ansteuerung. Es geht nur darum einen N-Channel FET zu schalten, der Masse schaltet. Das Problem ist, ich habe 10 FETs Parallel und die haben nun insgesamt ca. 50nF Eingangskapazität Derzeit sieht meine Ansteuerung so aus, das aus meinem AVR das PWM Signal auf einen 2n7000 Fet geht, und an Drain ein 1k nach +15V ist, und dahinter eine Gegentaktendstufe aus Bipolaren Transistoren. Das Problem ist natürlich, dass die Transistoren in Verstärkerschaltung sind, und bei 1k nach +15V heißt das bei ca. 300 Verstärkung maximalen Strom von 1.5A, das ist zwar nicht so schlecht, aber Kurzzeitig hätte ich die Gates gerne etwas schneller umgeladen. Nun Meine Frage, soll ich hinter dieser Gegentaktendstufe einfach noch eine Gegentaktendstufe aus Bipolaren Transistoren machen, oder besser aus FETs eine Gegentaktendstufe? Als Gate Widerstände habe ich überall 2.2R drin, um die Schwingungen zu reduzieren, aber die Gates dennoch schnell zumladen zu können! Danke Guten Rutsch! Markus