Wann MOS Barrier Schottky oder "normal" Schottky - zum Verständnis

MaWin schrieb:
> dafür sperren sie etwas
> langsamer dafür aber besser.

Die gezeigte zumindest nicht, die MOS Barrier Schottky hat da wesentlich 
schlechtere Werte.


"Trench MOS Barrier Schottky (TMBS) rectifier: A Schottky rectifier with 
higher than parallel plane breakdown voltage

A new rectifier structure, called Trench MOS Barrier Schottky (TMBS) 
rectifier, is proposed and demonstrated by modeling and fabrication to 
have excellent characteristics. Two-dimensional numerical simulations 
have demonstrated coupling between the charge in the N− drift region and 
the metal on the trench sidewalls resulting in an improved electric 
field distribution. For epitaxial layer doping of 1 × 1017cm−3, 
simulations show that break-down voltages of three times the plane 
parallel breakdown can be achieved with low leakage current. The 
measured on-state voltage drops for the devices fabricated using 0.5 μm 
technology at 60 and 300 A/cm2 were 0.2 and 0.28 V, respectively. Due to 
smaller drift region resistances, TMBS rectifiers can be operated at 
large current densities (∼ 300 A/cm2) resulting in small evice sizes."
(http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/003811019400166D;https://doi.org/10.1016/0038-1101(94)00166-D)

Scheint so, als lassen sich damit Dioden mit ähnlichen Werten, billiger 
herstellen....?

Frager schrieb:
> Dennoch haben dennoch ihre parallele Daseinsberechtigung...

Haben sie die wirklich noch?
Ich setze Schottky-Dioden jedenfalls nicht mehr ein.

Für die Gleichrichtung und Regelung hoher Ströme nimmt man besser 
MOSFETs.
Viele Schaltregler-ICs (z.B. XR76208) haben auch den Low-Side-FET 
integriert oder stellen dafür die Ansteuerung bereit.
Für einen 24V/5A Gleichrichter habe ich den Ansteuer-IC TEA1795T 
benutzt. Die SMD-FETs (PSMN016-100YS) werden nichtmal handwarm.
Und für hohe Spannungen gibt es ja schnelle SI-Dioden, z.B. setze ich 
die STTH108 bei 350V/50kHz ein.

Manfred schrieb:
> Kannst Du das begründen, die Dinger sind doch überall in Mode?

Die brennen mir zu oft durch. Sie können sich leicht aufschaukeln, da 
der Sperrstrom sehr hoch ist und mit der Temperatur exponentiell steigt.
Z.B. für die MBR40250 werden 30mA bei 125°C angegeben, das sind bei 250V 
schon 7,5W Abwärme in Sperrichtung.

Bei hohen Spannungen ist also eine schnelle Si-Diode eindeutig im 
Vorteil.
Und bei kleinen Spannungen ist ein geschalteter MOSFET das Optimum.
Der MOSFET mag vielleicht teurer sein, aber dafür spart man den 
Kühlkörper mit Montageaufwand ein.

Wie schon gesagt, viele moderne Schaltregler arbeiten mit MOSFETs 
anstelle der Schottky-Diode.