Mahlzeit, liebe Forengemeinde,
es ist zum Verzweifeln... ;-)
ich sitz hier schon einige Tage im Praktikum und soll eine Platine von
SMD-Bestückung auf THT-Bestückung (bedrahtet) umbauen, also eine neue
Platine erstellen, welche die selbe Funktionalität erfüllt, aber eben
nur mit bedrahteten Bauteilen bestückt ist.
Soweit alles ganz in Ordnung, es ist ja nicht viel drauf, eigentlich im
Grunde nur "Hühnerfutter". Bloß bei den MOSFETs finde ich keine
Alternativen zu den auf der urspünglichen Platine verbauten SMD-Typen im
SOT23-Gehäuse.
Wenn ich auf den HPs der bekannten Halbleiterfirmen die Suche starte,
finde ich in bedrahteten Gehäusen immer nur voll die Riesenviecher (viel
zu große Sperrspannung, mordmäßiger max. Drianstrom usw.)
Konkret suche ich einen n-Kanal-MOSFET mit U_DSmax=ca. 30V und
I_Dmax=ca. 3...4 A.
Ich habe solche FETs bis jetzt immer nur als SMD-Variante gesehen. :-(
Ich hoffe, jemand von Euch hat mir einen hilfreichen Tip / Link zu
Hersteller-Page o.ä. !
Vielen Dank und viele Grüße vom Praktikanten!
Der ewige Praktikant schrieb:> Wenn ich auf den HPs der bekannten Halbleiterfirmen die Suche starte,> finde ich in bedrahteten Gehäusen immer nur voll die Riesenviecher (viel> zu große Sperrspannung, mordmäßiger max. Drianstrom usw.)
Das liegt daran, dass THT-Mosfets dort eingesetzt werden, wo ein
Kühlkörper erforderlich ist, d.h. bei größeren Leistungen. Die bei 4A
und 30V entstehende Verlustleistung kann meist problemlos auch mit
SMD-Gehäusen über Platinenkupfer abgeführt werden, so dass es kaum einen
Grund gibt, Mosfets dieser Leistungsklasse in THT-Gehäusen anzubieten.
Ein relativ kleines THT-Gehäuse für Leistungsmosfets ist das I-Pak. Ist
das für dich schon zu riesig? Wenn die Dinger 20A statt 4A können, ist
das ja nicht unbedingt ein Nachteil. Zwar ist dann i.Allg. die
Gatekapazität größer, was längere Schaltzeiten bewirkt, aber vielleicht
lässt sich das durch den geringeren RDSon halbwegs kompensieren.
> Ein relativ kleines THT-Gehäuse für Leistungsmosfets ist das I-Pak.
Danke yalu, für den Hinweis!
Ich hab mir das I-Pak grad mal angesehen. Würde vielleicht gehen. Kann
man das eigentlcih auch ohne Kühlkörper betreiben, vorausgesetzt
natürlich, die Verlustleistung hält sich in Grenzen? Oder muß da
zwingend immer ein Kühlkörper dran (mechanische Gründe o.ä.)?
Wenn die Verlustleistung über vorhandene Kupferflächen, an den Gehäusen
angebrachten Blechen oder sogar die Gehäuseoberfläche selbst abgeführt
werden kann, ist das kein Problem.
Der ewige Praktikant schrieb:> Kann man das eigentlcih auch ohne Kühlkörper betreiben, vorausgesetzt> natürlich, die Verlustleistung hält sich in Grenzen?
Ja, natürlich. Der entsprechende Wärmewiderstand ist in den Datenblät-
tern der meisten Typen angegeben und liegt so bei 110 K/W. Wenn die
mittlere Verlustleistung deutlich unter 1 W liegt, sollte das kein
Problem sein.
Lötest du den Mosfet mit der Kühlfläche auf ein Stück Platinenkupfer von
einem Quadratzoll Größe, liegt der Wärmewiderstand zwischen 40 und 50
K/W, dann sind schon bis zu 2 W Verlustleistung möglich.
Bei höherer Verlustleistung brauchst du einen richtigen Kühlkörper,
wobei der Mosfet an diesem angeklemmt oder angeklebt werden muss, da er
keine Bohrung für eine Schraube hat.
> Oder muß da zwingend immer ein Kühlkörper dran (mechanische Gründe> o.ä.)?
Die Masse des Mosfets ist so gering, dass man ihn bei mäßiger
mechanische Belastung (keine andauernden starken Vibrationen o.ä.)
stehend ohne zusätzliche Befestigung montieren kann. Mit zusätzlich
auf der Platine angelöteter Kühlfläche hält er aber bombenfest.
Hallo,
warum nicht einfach TO220 wie seit vielen Jahren üblich? Es ist auch
garnicht schlimm, wenn der MOSFET mehr V oder mehr A kann, das hat auf
die Schaltung keine Auswirkung.
Gruss Reinhard
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