Durchbruchspannung im unendlichen Vakuum

OP #4525128
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Hallöchen,

Laut Wikipedia liegt die Durchbruchspannung im idealem Vakuum bei etwa 
gigantischen 10^12 MV/m (= 10^18V/m)
Bei "High-Vacuum" sinds laut wiki "nur" etwa 30MV/m.

Laut Grafik rechts im Bild hat man sogar bei 10^-4 Torr nur etwa 10MV/m 
und die Kurvensteigung faellt hier schon deutlich ab.
Wuerde ich der Grafik jetzt imaginaer folgen gings da ja noch ewig 
weiter bis ich an den in wikipedia angegebenen 10^18V/m ankaeme.

Wo liegt da der Haken? Gibt es da noch einmal einen Sprungartigen 
anstieg der Durchbruchspannung nahe dem totalen Vakuum oder woher kommt 
diese extreme Zahl auf Wikipedia?

Danke fuer ein paar Aufklaerende Worte von denjenigen die sich damit 
schon mehr beschaeftigt haben. ;)

LG
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Gast #4525445
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Ich würde sagen: Die Durchbruchspannung in hohem und idealem Vakuum 
liegt bei 0.

Denn so bald ein Elektron auf einer Seite vorhanden ist, fliegt es zur 
gegenüberliegenden Seite ganz ohne Behinderung (siehe Elektronenröhre), 
wie in einem optimalen (Supra-)Leiter.

Der einzige "Widerstand" den ein Vakuum-Strecke dem Stromfluss 
entgegensetzt, ist die Austrittsarbeit der Elektronenn aus der 
Elektrode. Bei Kupferplatten halt höher als bei Nadelspitzen und bei 
bariumbeschichteten Drähten besser und bei Glühkathoden nahe 0.
Gast #4525900
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Hi, Renato,

> Wo liegt da der Haken? Gibt es da noch einmal einen Sprungartigen
> anstieg der Durchbruchspannung

Nein, es gibt keinen Sprung. Nur mehr oder weniger Gasmoleküle, die sich 
ionieren lassen - beispielsweise, weil die hohe Spannung ihnen die 
Elektronen entreißt - und dann elektrische Ladung transportieren.

Ciao
Wolfgang Horn
Gast #4525910
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MaWin schrieb:
> Ich würde sagen: Die Durchbruchspannung in hohem und idealem Vakuum
> liegt bei 0.

Wie das Wort "Durchbruchspannung" schon sagt, setzt die Angabe solch 
einer Größe voraus, dass da irgendetwas durchbricht.

Bei einem Durchbruch baut sich eine Plasmastrecke auf, die dann gut 
leitet, insbesondere wesentlich besser als das Medium in dem Zustand 
vorm Durchbruch.

Irgendwelche einzelnen Elektronen, die sich da auf den Weg machen, 
zählen sicher nicht dazu. Wenn du mal mit Röhren gearbeitet hättest, 
solltest du das wissen.
Gast #4526348
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Wichtig ist an dieser Stelle sicherlich, dass man ein Strom Kriterium 
wählt, auf das man sich bezieht. Wikipedia ist da schmerzlos und 
schmeißt viele Quellen in einen Topf.

Im Hochvakuum ionisierte Ladungen bilden einen winzigen Strom im 
Vergleich zum Durchbruch in Luft oder durch einen Isolator, bei dem das 
Material selbst zerstört wird. Weiterhin spielt die Geometrie im Vakuum 
DIE entscheidende Rolle.
Mit einer punktförmigen Anode und einer kugelförmigen Kathode um die 
Anode herum (im UHV), könnte man bspw. das Feld an der Kathode stark 
abschwächen. An der Anode hingegen wäre das Feld sehr viel höher. Hier 
treten aber keine Elektronen durch Feldemission aus. Es kommt zu einer 
sehr hohe Feldstärke an der Anode.

Spannung ist hier i.Ü. auch das falsche Wort.
Gast #4526404
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Harald W. schrieb:
> Nun, man kann auch im UHV einen recht kräftigen Elektronenstrom
> erzeugen.

Das hat aber nichts mit "Durchbruchspannung" zu tun. Sonst könntest Du 
auch behaupten, Vakuum hätte eine Durchbruchspannung von 100V/mm, weil 
ja Elektronenröhren mit 100V Anodenspannung (und weniger) schon 
funktionieren.

MaWin schrieb:
> Denn so bald ein Elektron auf einer Seite vorhanden ist, fliegt es zur
> gegenüberliegenden Seite ganz ohne Behinderung (siehe Elektronenröhre),
> wie in einem optimalen (Supra-)Leiter.

Du kannst komisches Zeug erzählen, wenn der Tag lang ist.
#4526449
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MaWin schrieb:
> Ich würde sagen: Die Durchbruchspannung in hohem und idealem Vakuum
> liegt bei 0.
>
> Denn so bald ein Elektron auf einer Seite vorhanden ist, fliegt es zur
> gegenüberliegenden Seite ganz ohne Behinderung (siehe Elektronenröhre),
> wie in einem optimalen (Supra-)Leiter.

Sobald ein Elektron vorhanden ist ist die Durchbruchspannung aber schon 
überwunden. Das gilt ganz unabhängig vom Medium.
Gast #4526510
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Timm T. schrieb:
> Du kannst komisches Zeug erzählen, wenn der Tag lang ist.

Deinem Geschwätz nach liegt die Durchbruchspannung von Kupfer bei der 
Spannung, ab der so viel Strom fliesst, dass der Draht 
durchschmilzt^Wbricht.

Da im Vakuum Strom fliessen kann, ist Vakuum ein Leiter. Im absoluten 
(theoretischen) Vakuum gibt es nichts ionisierbares, also kein Plasma 
und keine Art der spontanen Ladungsträgererzeugung ausser den Elektronen 
aus den Elektroden.

Michael K. schrieb:
> Sobald ein Elektron vorhanden ist ist die Durchbruchspannung aber schon
> überwunden.

Daher weise ich auf die Austrittsarbeit an den Elektroden hin.
Gast #4526669
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Wolfgang schrieb:
> Irgendwelche einzelnen Elektronen, die sich da auf den Weg machen,
> zählen sicher nicht dazu. Wenn du mal mit Röhren gearbeitet hättest,
> solltest du das wissen.

Du nennst eine Gleichrichterröhre also einen idealen Isolator?
Nicht nur Plasma leitet Strom. Emittierte Elektronen sind quasi "Strom 
pur".
Gast #4527323
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MaWin schrieb:
> Da im Vakuum Strom fliessen kann, ist Vakuum ein Leiter.

Ich will auch das Zeug, das Du da rauchst!

Stimmt, Vakuum ist ein Leiter. Nur Leiter kein elektrischer. Den Leiter 
fehlt ihm eine entscheidende Eigenschaft eines elektrischen Leiters: Die 
freien Ladungsträger.

Tja, nun kann man ja in das Vakuum Elektronen und Ionen entlassen, damit 
Strom fließt. So bei Vakuumfunkröhren. Und beim Sputtern. Nur Leiter, 
Leiter ist das Vakuum mit Anwesenheit dieser Ladungsträger genaugenommen 
kein Vakuum mehr.

Aber mach Dir nichts draus. Wie heißt nochmal das Zeug, das Du da 
rauchst?
Persönliche Seite #4527434
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Wenn man es verstanden hat, ist es einfach. Wenn man es nicht verstanden 
hat, überlegt man weiter. Die Formel zum Schwinger-Limit ist ein 
bisschen wie ein das Integral zum Masse-Energie-Äquivalent geteilt durch 
etwas Räumliches oder Flächiges. Prinzipiell leitet Hochvakuum gar 
nichts, alle Vorredner, die hervorragende Isolationseigenschaften 
isolieren konnten behalten Recht. Keine freien Ladungsträger bedeutet 
reine Elektronenströme und die bekommt man nun mal mit aufmunternden 
Worten nicht hin, sondern ordentlicher Motivation mit viel Spannung(, 
Spiel und Kokarde).

Röhren gehen, weil da was glüht und Wärme schon mal bisschen am soliden 
Gitter rüttelt und ein paar verschlafene Elektronen den Schritt zurück 
der übrigen nicht mitbekommen.

Zum Schluss sagt die 10^12 (MV/m oder 10^18V/m) nur, dass es ab da nicht 
mehr fein linear zugeht. Das Feld hat seine maximale Stärke erreicht und 
nun machts halt nicht-linear weiter. Das ist eine Frage von Masse (des 
Elektrons), der Lichtgeschwindigkeit und bisschen Geometrie. Von un an 
brauchts auch keine Glühleistung mehr und es leuchtet auch nichts (weil 
keine Atome dazu angeregt würden). Röntgenbremsstrahlung vielleicht, das 
wär' 'ne Option.
Gast #4528380
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Harald W. schrieb:
> Boris O. schrieb:
>
> Keine freien Ladungsträger bedeutet reine Elektronenströme und die
> bekommt man nun mal mit aufmunternden Worten nicht hin, sondern
> ordentlicher Motivation mit viel Spannung(,
>
> Bei kleinen Abständen geht das auch mit kleinen Spannungen.
> Das ganze nennt man dann Tunneleffekt und das nutzt man in RTMs.

Und bei den kleinen Abständen ist Vakuum dazwischen?
#4529047
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BB84 schrieb:
> Und bei den kleinen Abständen ist Vakuum dazwischen?

Der Begriff "Vakuum" ist eine Frage der Definition. Üblicher Weise meint 
man damit einen Druck der signifikant geringer ist als der 
Umgebungsdruck.
Bei einem RTM hat man entweder ein Vakuum (in welchem Bereich 
eigentlich?) oder Luft. Für ein REM ist ein Hochvakuum (<< 1mBar) nötig 
(? zumindest bei unserem REM ist das der Fall. Das hat ne Turbo dran und 
geht in einen Bereich um die 1.0e-6 Torr runter)
#4529298
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M. K. schrieb:
> Harald W. schrieb:
>> Will man Siliziumoberflächen untersuchen, geht das nur im UHV.
>
> UHV (< 1.0e-9 Torr)? Sicher? Das müsste doch auch "problemlos" im HV
> (ich denke dabei an ca. 1.0e-6 Torr) gehen, oder?
> Klar, ist auch vom zu untersuchenden Material abhängig.

Unser Meßgerät zeigte mBar an. So ca. 10 E-12...10E-15. Jenachdem
wie lange das Ausheizen der ganzen Apparatur (Tisch mit ca. 2x2m)
her war. Aber auch unter diesen Bedingungen bildete sich in einer
Woche o.ä. eine neue Oxydhaut. Immerhin konnten wir mit dem RTM
einzelne (Silizium-)Atome erkennen.
#4529407
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M. K. schrieb:

> OK, so tief kommt unser REM (RTM haben wir nicht) nicht runter (ist
> lediglich O-Ring gedichtet, bei 7e-9 Torr, ca. 1.0e-8 mBar, ist da
> praktisch Schluss) aber auch damit lassen sich schon Atome sichtbar
> machen.

Hmm, typisch für REMs(hatten wir auch) ist eine Auflösung
von 1...10nm. Unser RTM war nochmal um den Faktor 10....100
besser. Die Vacuum-Anlage dafür war auch deutlich aufwändiger.
Die Dichtung wurde übrigens mit speziellen Kupferringen gemacht.
Wechsel der Proben lief über eine Schleuse
#4529582
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Genaue Ahnung hab ich davon nicht, kann mich nur darauf verlassen was 
mir der entsprechende Ing an der Hochschule dazu erzählt hat bzgl. 
Auflösungsvermögen (klar, genau kann man die Atome nicht sehen aber man 
kann sie schon "erahnen") und was ich gesehen habe, hab da auch schon 
Teile getauscht und die Kammer war/ist ORing-gedichtet (z.B. 
Kabeldurchführungen). Da geht nicht wesentlich mehr als e-9 Torr. (ich 
mein, bin mir aber nicht sicher, es war/ist ein Tescan-REM dass die 
Hochschule hat). Es kommt wahrscheinlich auch auf die Varianten an.
An der Hochschule, was ich nur als Minijob habe, mache ich primär 
Elektronikentwicklung. Bei meinem Hauptjob kümmer ich mich um 
Implantationsanlagen. Die sind mit dem e-6er Torr-Bereich zufrieden. 
Reicht ja auch für einen Quasi-Sandstrahler :D
Gast #4529885
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Harald W. schrieb:
> M. K. schrieb:
>
> Bei einem RTM hat man entweder ein Vakuum (in welchem Bereich
> eigentlich?) oder Luft.
>
> Will man Siliziumoberflächen untersuchen, geht das nur im UHV.
> Denn unter Lufteinfluss kann man nur das sich sofort bildende
> Siliziumdioxyd scannen.

Was ich meinte ist folgendes:
Hier geht es um Durchbruchspannung im Vakuum. Dabei geht es doch nicht 
um Tunnelströme, denn diese hängen quasi nicht vom Umgebungsdruck ab.

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