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Schottky vs Silizium Diode (Überspannungsschutz)
Gast
#5896800
Guten Abend, ich grübel zur Zeit ob ich für einen Verpolungsschutz Schottky Dioden (BAT86) oder lieber Siliziumdioden nehmen soll (1N4148). Das ganze soll den Eingang eines OPV schützen. Im Fehlerfall fließen 350 mA, im Normalbetrieb max 3 mA. Ich überlege den Strom allerdings noch weiter zu begrenzen auf bis zu 0.03 mA im Normalfall. Für welchen Fall würde sich welche Diode eurer Meinung nach besser eignen ? VG Kai
Gast
#5896842
Zu wenig infos. Zeige den Schaltplan und beschreibe das Signal. Wo kommt es her, wie hoch ist der Ausgangswiderstand der Quelle? Kai schrieb: > Für welchen Fall würde sich welche Diode eurer Meinung nach besser > eignen ? Schottky-Dioden haben oft recht ansehnliche Leckströme (in beide Richtungen). Je nachdem, was du tatsächlich damit machen willst (kann man ja leicht im Schaltplan sehen) könnten dir die 5uA gehörig in die Suppe spucken. > Das ganze soll den Eingang eines OPV schützen. Welches OPV? > Im Fehlerfall fließen 350 mA, im Normalbetrieb max 3 mA. Woher, wohin? Kai schrieb: > Im Fehlerfall fließen 350 mA... ...durch die Schutzdioden? Dann scheiden deine 2 genannten schon aus.
Gast
#5897270
Kai schrieb: > Für welchen Fall würde sich welche Diode eurer Meinung nach besser > eignen ? Die meisten CMOS-OpAmps haben Dioden nach GND und VCC schon eingebaut, die brauchen nur einen Vorwiderstand der den maximalen Diodenstrom begrenzt, der beim hohen Eingangswiderstand des OpAmps und niedrigen Eingansstrom auch keinen relevanten Fehler produziert. 10k oder 100k kann man also pronblemlos vor jeden Eingang setzen, das reicht mit den oft zulässigen 10mA über die Eingangsschutzdioden bis zu 1000V. Will man 2500V oder 4000V ESD-fest sein, muss man genauer rechnen. Will man trotzdem externe Dioden, ruiniert man sich mit Schottky-Dioden den Eingangswiderstand der OpAmps, weil Schottky erheliche Ströme in Rückwärtsrichtung zulassen. Also normale Siliziumdioden ie BAV199. Da damit die Spannung am geschützten Punkt zwar mit +/-1V vs. VCC/GND immer noch so hoch sein kann, so daß zu viel Strom über die Eingangsschutzdioden fliesst, braucht man einen zweiten Widerstand.
Auch bei 1V über VCC am Knotenpunkt bleibt damit der Strom über die Eingangsschutzdioden unter 0.5mA. Nicht nur haben Schottky Dioden höhere Innenwiderstände als Si Dioden vor allem wenn sie hohe Spannungen können sollen, dass hat damit zu tun wie man diese Dotieren muss. Und auch wie oben erwähnt sind die Leckströme teils enorm und machen sie für sowas unbrauchbar. Und sie sollen auf keinsten fall im 3. Quadranten betreiben werden also in Durchbruch. Denn durch den TK kommt es zum Thermischen Durchgehen innerhalb des Metall-Halbleiter Übergangs.
Gast
#5906508
Super, vielen Dank für Erklärungen und die Hilfe ! :) Vollständigkeitshalber könnte man noch VTS Dioden erwähnen. https://en.wikipedia.org/wiki/Transient-voltage-suppression_diode Die werden lieber als Schottky oder normale Dioden zum Schutz verwendet. Arbeiten ähnlich wie z-dioden. zB SMAJ Serie - gibt es mit einer Diode und anti-seriell mit zweien.
Gast
#5906748
Lothar M. (lkmiller) (Moderator) schrieb: > Schottky-Dioden haben oft recht ansehnliche Leckströme (in beide ***** > Richtungen). Wieder was gelernt. SCNR Antwort schreiben |
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