LTspice Diode Kenngrößen verändern (average forward current, breakdown voltage)

Jeder kann sich eigene Diode definieren. Man muss nur eine .model 
Anweisung machen. Die fügst du entweder direkt in den Schaltplan ein 
oder du nimmst
.include filename

Beispiel: Durchbruchspannung 500V

.model HELMUT D(Is=1e-12 N=1.5 Rs=10m Ibv=1m Bv=500 Cjo=100p Tt=20n)

Ich hab noch einen Versuch mit den DIoden gemacht, sie scheinen doch 
ideal zu sein, hab einfach mal ne sinusförmige spannung angelegt und da 
flossen dann terraampere durch die diode und die negative spannung 
trotzdem geblockt

ähm wo trag ich das ein?

bzw. wie mach ich eine "model-anweisung"?

Man muss nur eine .model Anweisung machen. Das geht mit dem Icon ".op" 
in der Menüleiste.Die dann im Schaltplan ablegen.

.model HELMUT D(Is=1e-12 N=1.5 Rs=10m Ibv=1m Bv=500 Cjo=100p Tt=20n)

Diese Zeile kannst du auch in eine Datei einfügen. Dann heißt das 
Kommandozeile im Schaltplan wie unten.

.include filename

Hierzu eine erweiterte Frage: ich habe gelesen 
(http://jeastham.blogspot.com/2009/11/modeling-diode-reverse-breakdown.html), 
dass die Durchbruchspannung in den üblichen Modellen wohl nicht 
berücksichtigt ist. Sowas hatte ich mir auch anhand Diagramm D1 gedacht, 
die Standard 4148 sperrt auch noch bei 200V. Das scheint so für alle in 
ltspice hinterlegten Dioden zu gelten, mit Ausnahme von Zeners.

Wenn ich nun die Parameter der ltspice 1N4148er um vrev=75 erweitere, 
ist im Diagramm der Durchbruch zu erkennen, allerdings stimmt die 
Kennlinie davor nicht mehr überein. So wie ich verstanden habe, mische 
ich dabei aber zwei Abstraktions-Modelle, macht also keinen Sinn so.

Aber wie dann? Und gibt es denn keine Diodenmodelle, die den Durchbruch 
schon korrekt abbilden?

Einfach Bv und Ibv eintragen. Bv ist die Durchbruchspnnung beim Strom 
Ibv. In dem Beispiel fließt 1mA Sperrstrom bei 100V. Ab da geht die 
Kennlinie I(U) steil hoch.

.model Dxxxx D(... Bv=100 Ibv=1m ...)


Die ... stehen für beliebige andere Parameter.

Danke, so geht es. Habe ein anderes Modell für die 4148 gefunden, da 
sind auch Bv und Ibv parametrisiert.
Aber wo liegt der Sinn, wenn sich die Standardmodelldaten im ltspice wie 
zB für 1N5817, -18 und -19 eigentlich nur in Vpk unterscheiden, und das 
nicht in die Simulation mit eingeht?

Dieter R. schrieb:
> Danke, so geht es. Habe ein anderes Modell für die 4148 gefunden, da
> sind auch Bv und Ibv parametrisiert.
> Aber wo liegt der Sinn, wenn sich die Standardmodelldaten im ltspice wie
> zB für 1N5817, -18 und -19 eigentlich nur in Vpk unterscheiden, und das
> nicht in die Simulation mit eingeht?

Da hat halt der Schreiber der Modelle zu früh Feierabend gemacht.
Schreib doch einen bug report. Die email-Adresse steht in "Help -> Help 
About LTspiceXVII".


Ich habe gerade mal beim Simulator Simetrix nachgeschaut. Die haben BV 
spezifiziert.
.model D1n4148 D(IS=1.6f RS=1.0 IKF=22m CJO=3p M=0.3 VJ=0.75 ISR=2.6n 
BV=70 TT=20n)

LTspiceXVII
.model 1N4148 D(Is=2.52n Rs=.568 N=1.752 Cjo=4p M=.4 tt=20n Iave=200m 
Vpk=75 mfg=OnSemi type=silicon)


Die vier folgenden Parameter sind nur Kommentar in LTspice. Die dienen 
als Suchkriterium im Auswahlfenster.
Iave=200m Vpk=75 mfg=OnSemi type=silicon

Helmut S. schrieb:
> Jeder kann sich eigene Diode definieren. Man muss nur eine .model
> Anweisung machen. Die fügst du entweder direkt in den Schaltplan ein
> oder du nimmst
> .include filename
>
> Beispiel: Durchbruchspannung 500V
>
> .model HELMUT D(Is=1e-12 N=1.5 Rs=10m Ibv=1m Bv=500 Cjo=100p Tt=20n)

Hallo,

ich habe ähnliches Problem...ich möchte gerne die Diode 'MR851' (siehe 
Datenblatt als Anhang) simulieren, komme jedoch mit den ganzen 
Abkürzungen nicht so zurecht. Deshalb die Frage, wie die .model ... - 
Anweisung hier aussehen müsste.
Vielen Dank vorab und Gruß!

T. F. schrieb:
>> .model HELMUT D(Is=1e-12 N=1.5 Rs=10m Ibv=1m Bv=500 Cjo=100p Tt=20n)
>
> Hallo,
>
> ich habe ähnliches Problem...ich möchte gerne die Diode 'MR851' (siehe
> Datenblatt als Anhang) simulieren, komme jedoch mit den ganzen
> Abkürzungen nicht so zurecht. Deshalb die Frage, wie die .model ... -
> Anweisung hier aussehen müsste.
> Vielen Dank vorab und Gruß!

.model MR851 D(Is=1e-12 N=1.5 Rs=100m Ibv=500u Bv=150 Cjo=80p Tt=100n)

Is : saturation current, ist ein Diodenparameter, welcher Leckstrom und 
Kennlinie bestimmt, kann ich jetzt nicht so schnell erklären, muss ich 
auch nachdenken

N: Emissionskoeffizient, auch so ein "mystischer" Parameter

Rs: differentieller Widerstand, kann man brauchbar aus der Kennlinie 
abschätzen, siehe FIG.3- TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS Man nehme die 
Punkte für 1 und 3A

RS = dU/dI = (1,05V-0,85V)/(3A-1A) = 100mR

ibv: Strom beim Durchbruch der Diode, ist manchmal im Datenblatt 
angeben, muss man ggf. messen oder kreativ schätzen. Ich hab mal 
geschätzt ;-)

bv: breakdown voltage, Durchbruchsspannung, muss man auch messen oder 
kreativ schätzen. Das ist NICHT die maximal zulässige Spannung im 
Datenblatt, die ist logischerweise kleiner.

Cjo: Sperrschichtkapazität, steht direkt im Datenblatt

TT: Transistion Time, Durchlaufzeit der Ladungsträger in der 
Sperrschicht. Das ist NICHT die Reverse Recovery Time trr! Liegt aber in 
der gleichen Größenordnung. Die Umrechnung dazu kenne ich nicht. Man 
kann trr dort eintragen, passt schon grob.