Hey Leute, ich bin gerade am Umrichter konstruieren mit LTspice. Nun häng ich fest bei den antiparallelen Dioden von dem Mosfets. Und zwar möchte ich da jetzt eine ideale Diode haben, d.h. keine Durchbruchspannung und unendlich hoher erlaubbarer Stromfluss. Leider kann ich die Werte, die dort eingetragen sind bei der Diode, nicht verändern. Kann ich daher meine eigene Diode konfigurieren und hinzufügen? Weiß einer wie das geht? Lg, Sarah
Jeder kann sich eigene Diode definieren. Man muss nur eine .model Anweisung machen. Die fügst du entweder direkt in den Schaltplan ein oder du nimmst .include filename Beispiel: Durchbruchspannung 500V .model HELMUT D(Is=1e-12 N=1.5 Rs=10m Ibv=1m Bv=500 Cjo=100p Tt=20n)
Ich hab noch einen Versuch mit den DIoden gemacht, sie scheinen doch ideal zu sein, hab einfach mal ne sinusförmige spannung angelegt und da flossen dann terraampere durch die diode und die negative spannung trotzdem geblockt
ähm wo trag ich das ein? bzw. wie mach ich eine "model-anweisung"?
Man muss nur eine .model Anweisung machen. Das geht mit dem Icon ".op" in der Menüleiste.Die dann im Schaltplan ablegen. .model HELMUT D(Is=1e-12 N=1.5 Rs=10m Ibv=1m Bv=500 Cjo=100p Tt=20n) Diese Zeile kannst du auch in eine Datei einfügen. Dann heißt das Kommandozeile im Schaltplan wie unten. .include filename
Angehängte Dateien:
Hierzu eine erweiterte Frage: ich habe gelesen (http://jeastham.blogspot.com/2009/11/modeling-diode-reverse-breakdown.html), dass die Durchbruchspannung in den üblichen Modellen wohl nicht berücksichtigt ist. Sowas hatte ich mir auch anhand Diagramm D1 gedacht, die Standard 4148 sperrt auch noch bei 200V. Das scheint so für alle in ltspice hinterlegten Dioden zu gelten, mit Ausnahme von Zeners. Wenn ich nun die Parameter der ltspice 1N4148er um vrev=75 erweitere, ist im Diagramm der Durchbruch zu erkennen, allerdings stimmt die Kennlinie davor nicht mehr überein. So wie ich verstanden habe, mische ich dabei aber zwei Abstraktions-Modelle, macht also keinen Sinn so. Aber wie dann? Und gibt es denn keine Diodenmodelle, die den Durchbruch schon korrekt abbilden?
Sarah E. schrieb: > ähm wo trag ich das ein? Dieter R. schrieb: > die Standard 4148 sperrt auch noch bei 200V Meine bei 120V.
Einfach Bv und Ibv eintragen. Bv ist die Durchbruchspnnung beim Strom Ibv. In dem Beispiel fließt 1mA Sperrstrom bei 100V. Ab da geht die Kennlinie I(U) steil hoch. .model Dxxxx D(... Bv=100 Ibv=1m ...) Die ... stehen für beliebige andere Parameter.
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Danke, so geht es. Habe ein anderes Modell für die 4148 gefunden, da sind auch Bv und Ibv parametrisiert. Aber wo liegt der Sinn, wenn sich die Standardmodelldaten im ltspice wie zB für 1N5817, -18 und -19 eigentlich nur in Vpk unterscheiden, und das nicht in die Simulation mit eingeht?
Dieter R. schrieb: > Danke, so geht es. Habe ein anderes Modell für die 4148 gefunden, da > sind auch Bv und Ibv parametrisiert. > Aber wo liegt der Sinn, wenn sich die Standardmodelldaten im ltspice wie > zB für 1N5817, -18 und -19 eigentlich nur in Vpk unterscheiden, und das > nicht in die Simulation mit eingeht? Da hat halt der Schreiber der Modelle zu früh Feierabend gemacht. Schreib doch einen bug report. Die email-Adresse steht in "Help -> Help About LTspiceXVII". Ich habe gerade mal beim Simulator Simetrix nachgeschaut. Die haben BV spezifiziert. .model D1n4148 D(IS=1.6f RS=1.0 IKF=22m CJO=3p M=0.3 VJ=0.75 ISR=2.6n BV=70 TT=20n) LTspiceXVII .model 1N4148 D(Is=2.52n Rs=.568 N=1.752 Cjo=4p M=.4 tt=20n Iave=200m Vpk=75 mfg=OnSemi type=silicon) Die vier folgenden Parameter sind nur Kommentar in LTspice. Die dienen als Suchkriterium im Auswahlfenster. Iave=200m Vpk=75 mfg=OnSemi type=silicon
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Helmut S. schrieb: > Jeder kann sich eigene Diode definieren. Man muss nur eine .model > Anweisung machen. Die fügst du entweder direkt in den Schaltplan ein > oder du nimmst > .include filename > > Beispiel: Durchbruchspannung 500V > > .model HELMUT D(Is=1e-12 N=1.5 Rs=10m Ibv=1m Bv=500 Cjo=100p Tt=20n) Hallo, ich habe ähnliches Problem...ich möchte gerne die Diode 'MR851' (siehe Datenblatt als Anhang) simulieren, komme jedoch mit den ganzen Abkürzungen nicht so zurecht. Deshalb die Frage, wie die .model ... - Anweisung hier aussehen müsste. Vielen Dank vorab und Gruß!
T. F. schrieb: >> .model HELMUT D(Is=1e-12 N=1.5 Rs=10m Ibv=1m Bv=500 Cjo=100p Tt=20n) > > Hallo, > > ich habe ähnliches Problem...ich möchte gerne die Diode 'MR851' (siehe > Datenblatt als Anhang) simulieren, komme jedoch mit den ganzen > Abkürzungen nicht so zurecht. Deshalb die Frage, wie die .model ... - > Anweisung hier aussehen müsste. > Vielen Dank vorab und Gruß! .model MR851 D(Is=1e-12 N=1.5 Rs=100m Ibv=500u Bv=150 Cjo=80p Tt=100n) Is : saturation current, ist ein Diodenparameter, welcher Leckstrom und Kennlinie bestimmt, kann ich jetzt nicht so schnell erklären, muss ich auch nachdenken N: Emissionskoeffizient, auch so ein "mystischer" Parameter Rs: differentieller Widerstand, kann man brauchbar aus der Kennlinie abschätzen, siehe FIG.3- TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS Man nehme die Punkte für 1 und 3A RS = dU/dI = (1,05V-0,85V)/(3A-1A) = 100mR ibv: Strom beim Durchbruch der Diode, ist manchmal im Datenblatt angeben, muss man ggf. messen oder kreativ schätzen. Ich hab mal geschätzt ;-) bv: breakdown voltage, Durchbruchsspannung, muss man auch messen oder kreativ schätzen. Das ist NICHT die maximal zulässige Spannung im Datenblatt, die ist logischerweise kleiner. Cjo: Sperrschichtkapazität, steht direkt im Datenblatt TT: Transistion Time, Durchlaufzeit der Ladungsträger in der Sperrschicht. Das ist NICHT die Reverse Recovery Time trr! Liegt aber in der gleichen Größenordnung. Die Umrechnung dazu kenne ich nicht. Man kann trr dort eintragen, passt schon grob.
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