Guten Abend.
Ich habe mir nun mehrere Seiten zu Transistoren durchgelesen, mir sind
da einige Sachen aber noch nicht ganz klar.
Angenommen wir haben ein NPN-Bipolartransistor:
1. Nur U_CE: Da noch kein Basisstrom fließt kann noch kein
Kollektorstrom fließen. Der "untere" PN-Übergang (damit meine ich den
BE-Übergang) ist zwar in Durchlassrichtung betrieben, die "obere" sperrt
aber.
2. Mit U_BE (min. 0,6 V (bei SI) und ~1 mA): Die Elektronen fließen
jetzt vom Emitter zur Basis. Dabei ist diese so dünn, dass einige
Elektroden "die die Kurve nicht bekommen" (??) und/oder (??) vom
Kollektor, der ja am Pluspol der Spannungsquelle angeschlossen ist,
angezogen werden (??). Dabei baut sich die obere
Raumladungszone/Sperrschicht ab (??). Die Elektronen, die eigentlich zum
I_B Strom gehören, übernehmen jetzt die Arbeit des Potentialausgleichs
vom I_C?!
3. Wird I_B weiter erhöht, verstärkt der Transistor immer mehr. Wir
übersteuern den Transistor.
4. Irgendwann verändert sich der Kollektorstrom nicht mehr - egal wie
stark I_B erhöht wird. I_C != f(I_B). Der Transistor ist gesättigt?!
Stimmt alles was ich bislang gesagt habe? Wo irre ich mich? An manchen
Stellen habe ich alternativen stehen gelassen - welche trifft zu?
Zwar habe ich mich da wirklich viel eingelesen, aber irgendwie bin ich
immer verwirrter je mehr ich dazu lese.
Vielleicht könnt ihr mir da meine Lücken erklären. Habe ich die
Sättigung richtig verstanden oder ist das in Wirklichkeit etwas ganz
anderes?
Beste Grüße, jorgeB.
Von einer Sättigung sprechen wir, wenn der Transistor über den IB
vollständig durchgesteuert wird. Dann hat der CE-Widerstand seinen
kleinsten Wert und der Transistor verheizt die geringste Leistung.
Dieses tritt bei stromgesteuerten bipolaren Transistoren auf. Im
Gegensatz zu den unipolaren (FET), die Spannungsgesteuert sind.
In dieser Funktion wird der Transistor als Schalter betrieben und dabei
ist ein möglichst geringer CE-Widerstand halt erwünscht. Der Strom der
hierfür nötig ist, ist vom Transistor abhängig. Ein Ansatz kann dafür
auch der Gleichstromverstärkungsfaktor B liefern.
Hierzu bitte einmal lesen:
http://www.elektronik-kompendium.de/sites/bau/1506161.htm
Hier findest du auch ein Diagramm mit den Kennlinien eines Transistors,
der mit unterschiedlichem Basisstrom angesteuert wird.
Der Transistor als Schalter ist schon mal eine ganz nette Sache. Viel
interessanter ist aber der Transistor als Steuerglied oder als
Verstärker. Als Anfang würde ich da einmal die drei Grundschaltungen
-> Emitterschaltung
-> Basisschaltung
-> Kolektorschaltung
empfehlen, die alle unterschiedliche Eigenschaften haben und sich daher
für verschiedene Einsatzzwecke eignen.
http://www.elektronik-kompendium.de/sites/slt/0203111.htm
Auf dieser Seite sollte das wesentliche stehen oder weiter verlinkt
sein. Ein Augenmerk würde ich hierbei auch auf die Strom- und
Spannungsgegenkopplung legen.
Eine sehr gute Übung für den Einstieg ist dann auch der Transistor als
Konstantstromquelle. Hier kann man schön sein Wissen über die einfache
Funktion von Transistoren und allgemeine Elektronikgrundlagen vertiefen
und testen.
http://www.elektronik-kompendium.de/sites/slt/0210253.htm
Wenn das dann geklappt hat, kann man sich mal mit dem Transistor als
Verstärker beschäftigen.
http://www.elektronik-kompendium.de/sites/slt/0303311.htm
Noch ein einfacher Tip:
Besorge dir ein einfaches Breadboard, ein digitales Messgerät eine
Auswahl an Widerständen und ein paar Transistoren zum Testen. Damit
kannst du dann selber testen und mal etwas messen. Solltest du Probleme
haben mit einem Messgerät die Ströme zu messen, dan denke daran, Ströme
kann man auch indirekt über am Widerstand abfallende Spannungen messen.
Lass am besten für den Anfang die Finger von Multisim und co. und stecke
selber.
Danke für die sehr ausführliche Antwort!
> ... Sättigung ... Dann hat der CE-Widerstand seinen> kleinsten Wert und der Transistor verheizt die geringste Leistung.
Genau. So habe ich das auch verstanden. Wie kommt es, dass r_CE fast 0
Ohm bzw. ideal 0 Ohm ist? Weil zu diesem Zeitpunkt die CE-Sperrschicht
komplett abgebaut ist oder wird diese überhaupt 0% abgebaut und die
Elektronen einfach über diese RLZ/Sperrschicht geschubst? Mir ist der
physikalische Vorgang nicht ganz klar.
Ich versuche mich zwar in ein "Elektron hineinversetzen", aber gerade
dieser Vorgang ist in jeder Lektüre schlecht beschrieben (bzw. wir oft
auch einfach übersprungen).
-
Morgen wollte ich mich intensiv mit den verschiedenen Grundschaltungen
beschäftigen. Ich habe da heute schon etwas drüber geschaut, es hat aber
noch nicht klick gemacht ;) Naja, morgen weiß ich hoffentlich mehr.
Danke für den Typ mit dem nachbauen. Das sollte ich mir wohl tatsächlich
mal zur Brust nehmen. Dieses ganze gelese ist auch nicht das Wahre :)
Na ja, Elektronen, die die Kurve nicht kriegen, gibt es eher bei der
Bildröhre. Die hat ein ringförmiges Anodenblech. Elektronen werden durch
Hochspannung so stark beschleunigt, daß sie geradeaus durch die
Ringanode fliegen und auf der Leuchtschicht auftreffen. Bei kleiner
Anodenspannung hätten die Elektronen eine geringe Geschwindigkeit. Sie
könnten dann die Kurve kriegen und im Bogen zur Anode selbst fliegen.
Folge: kein Bild.
Beim Transistor ist es ungefähr so, wie Du schon sagtest. Gut erklärt
wird es hier http://www.halbleiter.org/, siehe oben links unter
Grundlagen, pn-Übergang und Funktionsweise eines Transistors.
Es gibt keine Elektronen, die zum Kollektor fließen, aber eigentlich zum
Basisstrom gehören. Elektronen des Basisstroms fließen zw. Emitter- und
Basis-Anschluß und fließen entweder aus der Basis heraus oder in die
Basis hinein. Was sonst? Fremdgehen ist nicht möglich.
Ich wollte mich mal im "Transistorschaltungen selbst ausprobieren"
versuchen. Dabei ist mir aufgefallen, dass bei vielen (quasi allen, die
ich vorrätig habe) im Datenblatt die Kennlinien fehlen. Wie kann ich
denn jetzt den Arbeitspunkt finden? Ich habe mich soo auf die Kennlinien
und Korrdinatensysteme gefreut :(
jorgeB. schrieb:> Ich wollte mich mal im "Transistorschaltungen selbst ausprobieren"> versuchen. Dabei ist mir aufgefallen, dass bei vielen (quasi allen, die> ich vorrätig habe) im Datenblatt die Kennlinien fehlen. Wie kann ich> denn jetzt den Arbeitspunkt finden? Ich habe mich soo auf die Kennlinien> und Korrdinatensysteme gefreut :(
Da gibt es mehrere Möglichkeiten:
1. Du hast vereinfachte Datenblätter und solltest dir die komplette,
z.B. via Google, suchen
2. Deine Transistoren sind eigentlich nur für den Schalterbetrieb
geeignet
3. Sicher, dass du Transistoren hast?
Über welche Typen reden wir denn hier?
Hallo nochmal.
Ich habe versucht eine Transistor-Schaltung aufzubauen, aber scheinbar
funktioniert sie nicht so wie ich mir das vorgestellt habe.
Nach aufgebauter Schaltung fallen aber an R2 4,7V ab und an Ucb fallen
6V ab und an Ube fallen 0,65V ab. Restliche Angaben sind auf dem Bild zu
finden.
Re haben wir nicht eingebaut und bei den Rechnungen als 0 dimensioniert.
Was habe ich falsch gemacht bzw. wo liegt der Fehler in der Schaltung?
Sera schrieb:> Was habe ich falsch gemacht bzw. wo liegt der Fehler in der Schaltung?
Die LED ist falschrum, UR2 und Ube müssen gleich sein, und Re
wegzulassen ist keine gute Idee, weil die Schaltung dann extrem
exemplar- und temperaturabhängig ist.
Außerdem kannst Du die Uce i.d.R. vernachlässigen. Dann dimensionierst
du den Rc, der hier als Vorwiderstand für die LED dient so:
Rc = (Ub - Uf) / If
Dabei ist Uf die Flusspannung der LED und If entsprechend der Strom.
..ach und B wird nicht ausgerechnet, sondern steht im Datenblatt des
verwendeten Transistors. Je nach benötigtem If = Ic ergibt sich Ib. Den
Strom durch (bei dir) R2 dimensioniert man (Fautsregel) 10xIb. Dann hast
Du den Gesamtstrom durch R1. Die Spannung an R1 ist Ub weniger UR2 = UCE
(wenn kein RE vorgesehen ist).
Sera schrieb:> Nach aufgebauter Schaltung fallen aber an R2 4,7V ab...
Dann ist entweder der Transistor kaputt oder falsch angeschlossen, da
die Spannung an R2 ja gleich der Basis-Emitter-Spannung ist. Oder die
Spannungsquelle ist verpolt angeschlossen.
Danke für die vielen Antworten.
Nach einigen Veränderungen (wir wissen selbst nicht mehr was alles :()
hat es dann doch noch geklappt.
Dabei viel uns auf, dass wir da total unsicher waren und auch nie
wirklich wussten, ob wir da alles richtig machen - manchmal selbst nicht
was wir genau machen.
Deshalb würden wir gerne nochmal von Vorne beginnen.
Da sich Transistorschaltungen doch in 3 verschiedene Typen einteilen
lassen, wir aber nur eine Basisschaltung anstreben, dachten wir uns: da
muss es doch eine konkrete Vorgehensweiße geben. Quasi ein "Kochrezept".
Könnt ihr uns da etwas unter die Arme greifen?
Wir benutzen den Transistor: BC547
Bitte nichts vorkauen. Zukünftig wollen wir sowas auch selbst schaffen.
Es geht eher um den Weg.
Hat irgendwer gute Ratschläge?
Sera schrieb:> da> muss es doch eine konkrete Vorgehensweiße geben. Quasi ein "Kochrezept".
Das Rezept ist: schau was du für Vorgaben hast (z.B. Verstärkung,
Eingangs- und Ausgangswiderstand, Betriebsspannung...) und dimensioniere
die Schaltung so, dass es geht.
Na gut,
vielleicht kann ich mein Weg aufzeigen und ihr schaut mir dabei auf die
Finger und interveniert, wenn da irgendwas falsch abläuft.
Der Einfachheit halber möchte ich erstmal nur ein Spannungsteiler für
den Strom Ib, ein Kollektorwiderstand und ein Emitterwiderstand
einfügen.
Am Anfang überlege ich mir doch, wo ich überhaupt den Arbeitspunkt
hinlegen möchte. Dabei habe ich die Betriebsspannung von 12 Volt zur
Verfügung und weiß, dass ich den Strom Ic von 30 mA benötige.
So, ich habe also die Arbeitsgerade eingezeichnet und entscheide mich
für den Ib von 50 µA. Der Arbeitspunkt wird eingezeichnet (Uce = 7,2 V).
Mein gewünschtes Ib kenne ich somit schon. Den Querstromfaktor lege ich
auf 10 fest.
Damit muss ein Iq = 10 * Ib = 500µA fließen. Durch R1 also 550 µA.
Woher weiß ich nun aber, wie das Spannungsteilerverhältnis sein soll?
Überlege ich mir einfach ein Wert für Ube (Basis - Emitter)? Immerhin
sind auch im Datenblatt 2 Werte dafür angegeben:
Darf dieser Wert nun nicht 5 V überschreiten oder 0,7 V?
Da komme ich schon ins straucheln.
Vielleicht kann mir jemand erklären wie ich Ube bestimme? Dann würde ich
weiter machen.
Bin da zwar kein Profi, aber vielleicht hilft es:
Ube wird meistens im Bereich 0.6...0.7V bei Silizium angenommen, da
durch Temperatur- und Bauteilschwankungen der "richtige" Wert eh nicht
berechnet werden kann.
In der Praxis hat man deswegen zB noch einen Emitterwiderstand Re, der
als Stabiliserung dient: Steigt der Strom durch diesen an, steigt auch
der Spannungsabfall Ure, was zur Folge hat, dass Ube kleiner wird, was
wiederum zur Folge hat, dass weniger Strom durch Re fliesst, ...
Johannes E. schrieb:> ..., da die Spannung an R2 ja gleich der Basis-Emitter-Spannung ist.
...weil die Maschenregel auch gilt für R2-Ube.
Für Ube kann man sich zB auch eine Diodenkennlinie ansehen. Die zieht ja
auch exponetiell nach oben
(http://commons.wikimedia.org/wiki/File:Dioden-Kennlinie_1N4001.svg).
Wenn da 5V anliegen, hättest Du unter anderem einen extrem hohen Strom
Ib, dass der pn-Übergang durchbrennt.
Halle Sera
wäre LTSPice, das kostenlose Elektronik-Simulationsprogramm etwas für
Euch? Da könnt ihr nach Herzenslust experimentieren und erst dann den
Lötkolben einschalten wenn alles verstanden worden ist.
Beiliegend 2 simple Beispiele der Simulation einer Emitterschaltung.
..Emitter_DC: Spannungsteiler zur Einstellung von Uc, Emitterwiderstand
zur Stabilisierung des Arbeitspunktes, "Oszillogramm" verschiedener
Messpunkte
..Emitter_AC: Wechselspannungsverstärker, mit stufig geändertem Wert des
Kondensators zu Re - Auswirkung auf Verstärkung, Verzerrung,
Phasenverschiebung...
Hier ein paar Links dazu:
Download: [http://www.linear.com/designtools/software/#Spice]
Tutorial: [http://www.elektronikschule.de/~krausg/]
Infos, Modelle, Tips: [http://tech.groups.yahoo.com/group/LTspice/]
mfG Ottmar
meine bisher beste Lektüre zu Transistorschaltungen:
The Art of Electronics, Paul Horowitz
Das ist leider etwas teuer ( vollkommen zurecht ) aber in guten
Unibibliotheken sollte es vorhanden sein.
Vielleicht noch zu erwähnen, ich habe schon viele Bücher überflogen,
aber so ausfü+hrlich wie in diesem habe ich es noch nie gesehen, es geht
auch auf die ganzen nicht idealisierten Vorgänge im Halbleiter ein und
soweiter und da sKApitel über Transistoren sit trotzdem nicht zu dick.
Sera schrieb:> Woher weiß ich nun aber, wie das Spannungsteilerverhältnis sein soll?> Überlege ich mir einfach ein Wert für Ube (Basis - Emitter)?
Damit die Schaltung einigermaßen temperaturstabil wird, sollte der
Spannungsabfall an R3 nicht zu klein sein im Verhältnis zur
Basis-Emitter-Spannung. Mit 10 Ohm und 30 mA kommst du auf 0,3V
Spannungsabfall an R3. Zu dieser Spannung addiert sich die
Basis-Emitter-Spannung, insgesamt 1V.
Das ist dann die Spannung, die an R2 anliegt.
Der Strom im unteren Transistor ist also 1 V / R2 = 500 µA, also ist R2
= 2 kOhm. Der Strom in R1 ist dann 550 µA, also ist R1 = 20 kOhm.
> Dabei habe ich die Betriebsspannung von 12 Volt zur> Verfügung und weiß, dass ich den Strom Ic von 30 mA benötige.>> So, ich habe also die Arbeitsgerade eingezeichnet und entscheide mich> für den Ib von 50 µA. Der Arbeitspunkt wird eingezeichnet (Uce = 7,2 V).
Damit du im Arbeitspunkt mit 7,2V einen Strom von 30 mA bekommst,
brauchst du einen Kollektor-Widerstand mit 160 Ohm: R4 = (12 V - 7,2 V)
/ 30 mA.
Die Arbeitsgerade beginnt dann bei 75 mA, nicht bei 30 mA.
Sera schrieb:> Am Anfang überlege ich mir doch, wo ich überhaupt den Arbeitspunkt> hinlegen möchte.
Ja. Der hängt aber von den ungenannten Forderungen an die Schaltung ab.
Die Schaltung soll doch etwas bestimmtes machen und nicht einfach nur so
exsistieren. Du willst eine bestimmte Verstärkung (z.B. 20dB) bei z.B
>20k Eingangswiderstand und <1k Ausgangswiderstand oder so.> Dabei habe ich die Betriebsspannung von 12 Volt zur> Verfügung und weiß, dass ich den Strom Ic von 30 mA benötige.
Woher weißt du das?
> So, ich habe also die Arbeitsgerade eingezeichnet und entscheide mich> für den Ib von 50 µA. Der Arbeitspunkt wird eingezeichnet (Uce = 7,2 V).
Bei IC=30mA und Ib=50µA brauchst du einen Transistor mit B=600, die sind
eher selten und der Transistor, dessen Kennlinienfeld du oben gezeigt
hast hat auch nur B=240. Du hast das Kennlinienfeld falsch verstanden.
> Woher weiß ich nun aber, wie das Spannungsteilerverhältnis sein soll?
Du beginnst die Dimensionierung am Ausgang (Kollektor-Emitter-Strecke)
denn dort wird die Verstärkung festgelegt (V~Ra/Re+Rd) und damit das
Verhältnis aus Kollektor- und Emitterwiderstand. Mit dem geforderten
Ausgangswiderstand Ra ergibt sich der Kollektorstrom, der
Kollektorwiderstand und der Emitterwiderstand. Mit dem jetzt
festliegenden Kollektorstrom schließlich der Basis- und der
Teilerquerstrom. Das Kennlinienfeld brauchst du gar nicht, nur B.
> Ube wird meistens im Bereich 0.6...0.7V bei Silizium angenommen, da> durch Temperatur- und Bauteilschwankungen der "richtige" Wert eh nicht> berechnet werden kann.
Stimmt. Ich war nur etwas verwirrt, da bei "Electrical Characteristics"
verschiedene Werte stehen und bei "Absolute Maximum Ratings" sogar 5 V
als Maximum. Da Ube wohl auch nicht linear sein dürfte, hätte ich dann
wenigestens eine Kennlinie zu erwartet wo ich den Arbeitspunkt
"hinloten" könnte.
> ...weil die Maschenregel auch gilt für R2-Ube.
Stimmt. Deswegen wollte ich auch Ube kennen. Da muss ja ein
Entscheidungsprozess stattfinden. Man sagt ja nicht einfach "hmm, min:
0,66V max: 5V - da nehme ich mal einfach die mitte => ~3V"
> wäre LTSPice, das kostenlose Elektronik-Simulationsprogramm etwas für Euch?
Prinzipiell schon. Wir müssten uns dann auch erst da noch einarbeiten.
Ich werde mir das Programm mal runterladen und etwas damit
experementieren.
Das wird jedenfalls schneller gehen als immer jeden möglichen
Widerstandwert zu ändern um dann zu hoffen, dass es klappt :)
> The Art of Electronics, Paul Horowitz
Ich werde mal der Bib ein besuch abstatten :)
> Die Arbeitsgerade beginnt dann bei 75 mA, nicht bei 30 mA.
Verstehe ich nicht. Habe ich die Arbeitsgerade falsch konstruiert?
Entschuldigt, dass ich bislang kein konkretes Ziel genannt habe. Wir
haben aber auch keins.
Es hat uns einfach geärgert, dass wir Klausuren über Klausuren und
Vorlesungen über Vorlesungen über das Thema schreiben oder hören und
praktisch kein einfachen Transistor als Schalter aufbauen können.
Irgendwie wurde uns das alles zu theoretisch - schlimmer noch: Diese
können wir gerade nichtmal auf unser "Vorhaben" anwenden.
Erst wollen wir eine LED über ein Poti am Steuerkreis regeln können.
Danach dachten wir an einen Verstärker und dann vielleich auch ein
mehrstufigen.
Eine Transistorschaltung, bei der wir alles selbst berechnet haben (also
kein Nachbau) war unser Ziel :)
Vielleicht ist die Spice+Buch Kombination anfangs das Beste. Aber
einfach solange irgendwelche Werte zu verändern, bis es passt ist uns zu
einfach.
Irgendwann wollen wir den Titel "Ingeneur" doch auch verdient haben :(
Sera schrieb:> Stimmt. Deswegen wollte ich auch Ube kennen. Da muss ja ein> Entscheidungsprozess stattfinden.
Nein, du hast (normalerweise) überhaupt keine Freiheit im Festlegen der
Spannung, weil die durch die Verhältnisse im K-E-Kreis gegeben ist.
> Das wird jedenfalls schneller gehen als immer jeden möglichen> Widerstandwert zu ändern um dann zu hoffen, dass es klappt :)
Was soll denn das für eine Methode sein? Man kann das ganz leicht
berechnen.
> Habe ich die Arbeitsgerade falsch konstruiert?
Ja, nicht nur das.
> Eine Transistorschaltung, bei der wir alles selbst berechnet haben (also> kein Nachbau) war unser Ziel :)
Wie man es macht hatte ich vorhin beschrieben.
> Nein, du hast (normalerweise) überhaupt keine Freiheit im Festlegen der> Spannung, weil die durch die Verhältnisse im K-E-Kreis gegeben ist.
Dachte ist anfangs auch. Demzufolge müsste diese im Datenblatt stehen.
Für welchen Wert entscheidet man sich da nun? (Anhang).
> Was soll denn das für eine Methode sein? Man kann das ganz leicht> berechnen.
Eben scheinbar doch nicht. Vielleicht sehen wir gerade aber auch einfach
den Wald vor lauter Bäumen nicht mehr und sollten erstmal ein Schritt
zurück gehen.
>> Habe ich die Arbeitsgerade falsch konstruiert?> Ja, nicht nur das.
Na gut, auf ein neues.
Ich werde die Sachen erstmal wieder nachlesen und versuchen eure Tipps
anzuwenden und zu verstehen.
Danke für eure zahlreichen Tipps und Hilfestellungen :)
Sera schrieb:> Dachte ist anfangs auch. Demzufolge müsste diese im Datenblatt stehen.> Für welchen Wert entscheidet man sich da nun? (Anhang).
Du hast überhaupt nicht verstanden.
1. brauchst du immer einen Emitterwiderstand, um die Schaltung stabil zu
bekommen
2. brauchst du ein bestimmtes Verhältnis von Kollektor- zu
Emitterwiderstand, weil damit die Verstärkung bestimmt ist
3. brauchst du einen bestimmten Kollektorstrom
DIESE Werte bestimmen die Spannung an der Basis und nicht irgendwelche
Datenblattangaben, weil man in guter Näherung einfach Ube=0,7V einstezen
darf.
Sera schrieb:> verschiedene Werte stehen und bei "Absolute Maximum Ratings" sogar 5 V> als Maximum. Da Ube wohl auch nicht linear sein dürfte, hätte ich dann> wenigestens eine Kennlinie zu erwartet wo ich den Arbeitspunkt> "hinloten" könnte.>>> ...weil die Maschenregel auch gilt für R2-Ube.>> Stimmt. Deswegen wollte ich auch Ube kennen. Da muss ja ein> Entscheidungsprozess stattfinden. Man sagt ja nicht einfach "hmm, min:> 0,66V max: 5V - da nehme ich mal einfach die mitte => ~3V"
Die 5V beziehen sich aber in die Richtung "Emitter zu Basis"(Ueb) und
nicht "Basis zu Emitter"(Ube).
Sera schrieb:> Dachte ist anfangs auch. Demzufolge müsste diese im Datenblatt stehen.> Für welchen Wert entscheidet man sich da nun? (Anhang).
Es gibt eigentlich zwei unterschiedliche Wege, wie man mit Ube umgehen
kann:
1. Die Basis-Emitter-Spannung hängt über eine Kennlinie (e-Funktion) mit
dem Basis-Strom zusammen. Wenn man den Basis-Strom kennt und die
Temperatur auch bekannt ist, kann man im Prinzip auch Ube berechnen.
Allerdings hat man hier das Problem, dass Transistoren eine relativ
große Streuung haben, speziell die Stromverstärkung ist deshalb nur
ungefähr bekannt.
Deshalb kann man den Basis-Strom nicht so genau berechnen und damit auch
nicht die Basis-Emitter-Spannung.
2. Die andere Methode ist, dass man durch eine geeignete Gegenkopplung
(z.B. Stromgegenkopplung mit Emitter-Widerstand) die Stromverstärkung
des Transistors reduziert, die resultierende Stromverstärkung hängt dann
hauptsächlich vom Emitter-Widerstand ab und nicht mehr so sehr vom
Transistor selber.
Zusätzlich wird der Basis-Strom dann auch nicht mehr alleine durch die
Basis-Emitter-Spannung bestimmt, sondern durch die Gegenkopplung
stabilisiert, so dass der exakte Wert von Ube nicht mehr so wichtig ist.
In diesem Fall kann man für Ube einen festen Wert (z.B. 0.6V) annehmen.
Der weicht zwar vom tatschlichen Wert ab; durch die Gegenkopplung ist
der Fehler, den man dadurch macht, aber relativ gering.
Johannes E. schrieb:> 2. Die andere Methode ist, dass man durch eine geeignete Gegenkopplung> (z.B. Stromgegenkopplung mit Emitter-Widerstand) die Stromverstärkung> des Transistors reduziert, die resultierende Stromverstärkung hängt dann> hauptsächlich vom Emitter-Widerstand ab und nicht mehr so sehr vom> Transistor selber.
Das stimmt natürlich nicht. Die Stromgegenkopplung reduziert die
Steilheit
S=dIc/due, aber nicht die Stromverstärkung. Und die resultierende
Spannungsverstärkung Vu~Rc/Re hängt dann nicht mehr sehr vom
Transistor ab.
ArnoR schrieb:> Das stimmt natürlich nicht. Die Stromgegenkopplung reduziert die> Steilheit> S=dIc/due, aber nicht die Stromverstärkung. Und die resultierende> Spannungsverstärkung Vu~Rc/Re hängt dann nicht mehr sehr vom> Transistor ab.
Ja, stimmt.
