Guten Abend. Ich habe mir nun mehrere Seiten zu Transistoren durchgelesen, mir sind da einige Sachen aber noch nicht ganz klar. Angenommen wir haben ein NPN-Bipolartransistor: 1. Nur U_CE: Da noch kein Basisstrom fließt kann noch kein Kollektorstrom fließen. Der "untere" PN-Übergang (damit meine ich den BE-Übergang) ist zwar in Durchlassrichtung betrieben, die "obere" sperrt aber. 2. Mit U_BE (min. 0,6 V (bei SI) und ~1 mA): Die Elektronen fließen jetzt vom Emitter zur Basis. Dabei ist diese so dünn, dass einige Elektroden "die die Kurve nicht bekommen" (??) und/oder (??) vom Kollektor, der ja am Pluspol der Spannungsquelle angeschlossen ist, angezogen werden (??). Dabei baut sich die obere Raumladungszone/Sperrschicht ab (??). Die Elektronen, die eigentlich zum I_B Strom gehören, übernehmen jetzt die Arbeit des Potentialausgleichs vom I_C?! 3. Wird I_B weiter erhöht, verstärkt der Transistor immer mehr. Wir übersteuern den Transistor. 4. Irgendwann verändert sich der Kollektorstrom nicht mehr - egal wie stark I_B erhöht wird. I_C != f(I_B). Der Transistor ist gesättigt?! Stimmt alles was ich bislang gesagt habe? Wo irre ich mich? An manchen Stellen habe ich alternativen stehen gelassen - welche trifft zu? Zwar habe ich mich da wirklich viel eingelesen, aber irgendwie bin ich immer verwirrter je mehr ich dazu lese. Vielleicht könnt ihr mir da meine Lücken erklären. Habe ich die Sättigung richtig verstanden oder ist das in Wirklichkeit etwas ganz anderes? Beste Grüße, jorgeB.
Von einer Sättigung sprechen wir, wenn der Transistor über den IB vollständig durchgesteuert wird. Dann hat der CE-Widerstand seinen kleinsten Wert und der Transistor verheizt die geringste Leistung. Dieses tritt bei stromgesteuerten bipolaren Transistoren auf. Im Gegensatz zu den unipolaren (FET), die Spannungsgesteuert sind. In dieser Funktion wird der Transistor als Schalter betrieben und dabei ist ein möglichst geringer CE-Widerstand halt erwünscht. Der Strom der hierfür nötig ist, ist vom Transistor abhängig. Ein Ansatz kann dafür auch der Gleichstromverstärkungsfaktor B liefern. Hierzu bitte einmal lesen: http://www.elektronik-kompendium.de/sites/bau/1506161.htm Hier findest du auch ein Diagramm mit den Kennlinien eines Transistors, der mit unterschiedlichem Basisstrom angesteuert wird. Der Transistor als Schalter ist schon mal eine ganz nette Sache. Viel interessanter ist aber der Transistor als Steuerglied oder als Verstärker. Als Anfang würde ich da einmal die drei Grundschaltungen -> Emitterschaltung -> Basisschaltung -> Kolektorschaltung empfehlen, die alle unterschiedliche Eigenschaften haben und sich daher für verschiedene Einsatzzwecke eignen. http://www.elektronik-kompendium.de/sites/slt/0203111.htm Auf dieser Seite sollte das wesentliche stehen oder weiter verlinkt sein. Ein Augenmerk würde ich hierbei auch auf die Strom- und Spannungsgegenkopplung legen. Eine sehr gute Übung für den Einstieg ist dann auch der Transistor als Konstantstromquelle. Hier kann man schön sein Wissen über die einfache Funktion von Transistoren und allgemeine Elektronikgrundlagen vertiefen und testen. http://www.elektronik-kompendium.de/sites/slt/0210253.htm Wenn das dann geklappt hat, kann man sich mal mit dem Transistor als Verstärker beschäftigen. http://www.elektronik-kompendium.de/sites/slt/0303311.htm Noch ein einfacher Tip: Besorge dir ein einfaches Breadboard, ein digitales Messgerät eine Auswahl an Widerständen und ein paar Transistoren zum Testen. Damit kannst du dann selber testen und mal etwas messen. Solltest du Probleme haben mit einem Messgerät die Ströme zu messen, dan denke daran, Ströme kann man auch indirekt über am Widerstand abfallende Spannungen messen. Lass am besten für den Anfang die Finger von Multisim und co. und stecke selber.
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Danke für die sehr ausführliche Antwort! > ... Sättigung ... Dann hat der CE-Widerstand seinen > kleinsten Wert und der Transistor verheizt die geringste Leistung. Genau. So habe ich das auch verstanden. Wie kommt es, dass r_CE fast 0 Ohm bzw. ideal 0 Ohm ist? Weil zu diesem Zeitpunkt die CE-Sperrschicht komplett abgebaut ist oder wird diese überhaupt 0% abgebaut und die Elektronen einfach über diese RLZ/Sperrschicht geschubst? Mir ist der physikalische Vorgang nicht ganz klar. Ich versuche mich zwar in ein "Elektron hineinversetzen", aber gerade dieser Vorgang ist in jeder Lektüre schlecht beschrieben (bzw. wir oft auch einfach übersprungen). - Morgen wollte ich mich intensiv mit den verschiedenen Grundschaltungen beschäftigen. Ich habe da heute schon etwas drüber geschaut, es hat aber noch nicht klick gemacht ;) Naja, morgen weiß ich hoffentlich mehr. Danke für den Typ mit dem nachbauen. Das sollte ich mir wohl tatsächlich mal zur Brust nehmen. Dieses ganze gelese ist auch nicht das Wahre :)
Na ja, Elektronen, die die Kurve nicht kriegen, gibt es eher bei der Bildröhre. Die hat ein ringförmiges Anodenblech. Elektronen werden durch Hochspannung so stark beschleunigt, daß sie geradeaus durch die Ringanode fliegen und auf der Leuchtschicht auftreffen. Bei kleiner Anodenspannung hätten die Elektronen eine geringe Geschwindigkeit. Sie könnten dann die Kurve kriegen und im Bogen zur Anode selbst fliegen. Folge: kein Bild. Beim Transistor ist es ungefähr so, wie Du schon sagtest. Gut erklärt wird es hier http://www.halbleiter.org/, siehe oben links unter Grundlagen, pn-Übergang und Funktionsweise eines Transistors. Es gibt keine Elektronen, die zum Kollektor fließen, aber eigentlich zum Basisstrom gehören. Elektronen des Basisstroms fließen zw. Emitter- und Basis-Anschluß und fließen entweder aus der Basis heraus oder in die Basis hinein. Was sonst? Fremdgehen ist nicht möglich.
Ich wollte mich mal im "Transistorschaltungen selbst ausprobieren" versuchen. Dabei ist mir aufgefallen, dass bei vielen (quasi allen, die ich vorrätig habe) im Datenblatt die Kennlinien fehlen. Wie kann ich denn jetzt den Arbeitspunkt finden? Ich habe mich soo auf die Kennlinien und Korrdinatensysteme gefreut :(
jorgeB. schrieb: > Ich wollte mich mal im "Transistorschaltungen selbst ausprobieren" > versuchen. Dabei ist mir aufgefallen, dass bei vielen (quasi allen, die > ich vorrätig habe) im Datenblatt die Kennlinien fehlen. Wie kann ich > denn jetzt den Arbeitspunkt finden? Ich habe mich soo auf die Kennlinien > und Korrdinatensysteme gefreut :( Da gibt es mehrere Möglichkeiten: 1. Du hast vereinfachte Datenblätter und solltest dir die komplette, z.B. via Google, suchen 2. Deine Transistoren sind eigentlich nur für den Schalterbetrieb geeignet 3. Sicher, dass du Transistoren hast? Über welche Typen reden wir denn hier?
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Hallo nochmal. Ich habe versucht eine Transistor-Schaltung aufzubauen, aber scheinbar funktioniert sie nicht so wie ich mir das vorgestellt habe. Nach aufgebauter Schaltung fallen aber an R2 4,7V ab und an Ucb fallen 6V ab und an Ube fallen 0,65V ab. Restliche Angaben sind auf dem Bild zu finden. Re haben wir nicht eingebaut und bei den Rechnungen als 0 dimensioniert. Was habe ich falsch gemacht bzw. wo liegt der Fehler in der Schaltung?
Sera schrieb: > Was habe ich falsch gemacht bzw. wo liegt der Fehler in der Schaltung? Die LED ist falschrum, UR2 und Ube müssen gleich sein, und Re wegzulassen ist keine gute Idee, weil die Schaltung dann extrem exemplar- und temperaturabhängig ist.
Außerdem kannst Du die Uce i.d.R. vernachlässigen. Dann dimensionierst du den Rc, der hier als Vorwiderstand für die LED dient so: Rc = (Ub - Uf) / If Dabei ist Uf die Flusspannung der LED und If entsprechend der Strom.
..ach und B wird nicht ausgerechnet, sondern steht im Datenblatt des verwendeten Transistors. Je nach benötigtem If = Ic ergibt sich Ib. Den Strom durch (bei dir) R2 dimensioniert man (Fautsregel) 10xIb. Dann hast Du den Gesamtstrom durch R1. Die Spannung an R1 ist Ub weniger UR2 = UCE (wenn kein RE vorgesehen ist).
Sera schrieb: > Nach aufgebauter Schaltung fallen aber an R2 4,7V ab... Dann ist entweder der Transistor kaputt oder falsch angeschlossen, da die Spannung an R2 ja gleich der Basis-Emitter-Spannung ist. Oder die Spannungsquelle ist verpolt angeschlossen.
Danke für die vielen Antworten. Nach einigen Veränderungen (wir wissen selbst nicht mehr was alles :() hat es dann doch noch geklappt. Dabei viel uns auf, dass wir da total unsicher waren und auch nie wirklich wussten, ob wir da alles richtig machen - manchmal selbst nicht was wir genau machen. Deshalb würden wir gerne nochmal von Vorne beginnen. Da sich Transistorschaltungen doch in 3 verschiedene Typen einteilen lassen, wir aber nur eine Basisschaltung anstreben, dachten wir uns: da muss es doch eine konkrete Vorgehensweiße geben. Quasi ein "Kochrezept". Könnt ihr uns da etwas unter die Arme greifen? Wir benutzen den Transistor: BC547 Bitte nichts vorkauen. Zukünftig wollen wir sowas auch selbst schaffen. Es geht eher um den Weg. Hat irgendwer gute Ratschläge?
Sera schrieb: > da > muss es doch eine konkrete Vorgehensweiße geben. Quasi ein "Kochrezept". Das Rezept ist: schau was du für Vorgaben hast (z.B. Verstärkung, Eingangs- und Ausgangswiderstand, Betriebsspannung...) und dimensioniere die Schaltung so, dass es geht.
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Na gut, vielleicht kann ich mein Weg aufzeigen und ihr schaut mir dabei auf die Finger und interveniert, wenn da irgendwas falsch abläuft. Der Einfachheit halber möchte ich erstmal nur ein Spannungsteiler für den Strom Ib, ein Kollektorwiderstand und ein Emitterwiderstand einfügen. Am Anfang überlege ich mir doch, wo ich überhaupt den Arbeitspunkt hinlegen möchte. Dabei habe ich die Betriebsspannung von 12 Volt zur Verfügung und weiß, dass ich den Strom Ic von 30 mA benötige. So, ich habe also die Arbeitsgerade eingezeichnet und entscheide mich für den Ib von 50 µA. Der Arbeitspunkt wird eingezeichnet (Uce = 7,2 V). Mein gewünschtes Ib kenne ich somit schon. Den Querstromfaktor lege ich auf 10 fest. Damit muss ein Iq = 10 * Ib = 500µA fließen. Durch R1 also 550 µA. Woher weiß ich nun aber, wie das Spannungsteilerverhältnis sein soll? Überlege ich mir einfach ein Wert für Ube (Basis - Emitter)? Immerhin sind auch im Datenblatt 2 Werte dafür angegeben: Darf dieser Wert nun nicht 5 V überschreiten oder 0,7 V? Da komme ich schon ins straucheln. Vielleicht kann mir jemand erklären wie ich Ube bestimme? Dann würde ich weiter machen.
Bin da zwar kein Profi, aber vielleicht hilft es: Ube wird meistens im Bereich 0.6...0.7V bei Silizium angenommen, da durch Temperatur- und Bauteilschwankungen der "richtige" Wert eh nicht berechnet werden kann. In der Praxis hat man deswegen zB noch einen Emitterwiderstand Re, der als Stabiliserung dient: Steigt der Strom durch diesen an, steigt auch der Spannungsabfall Ure, was zur Folge hat, dass Ube kleiner wird, was wiederum zur Folge hat, dass weniger Strom durch Re fliesst, ... Johannes E. schrieb: > ..., da die Spannung an R2 ja gleich der Basis-Emitter-Spannung ist. ...weil die Maschenregel auch gilt für R2-Ube. Für Ube kann man sich zB auch eine Diodenkennlinie ansehen. Die zieht ja auch exponetiell nach oben (http://commons.wikimedia.org/wiki/File:Dioden-Kennlinie_1N4001.svg). Wenn da 5V anliegen, hättest Du unter anderem einen extrem hohen Strom Ib, dass der pn-Übergang durchbrennt.
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Halle Sera wäre LTSPice, das kostenlose Elektronik-Simulationsprogramm etwas für Euch? Da könnt ihr nach Herzenslust experimentieren und erst dann den Lötkolben einschalten wenn alles verstanden worden ist. Beiliegend 2 simple Beispiele der Simulation einer Emitterschaltung. ..Emitter_DC: Spannungsteiler zur Einstellung von Uc, Emitterwiderstand zur Stabilisierung des Arbeitspunktes, "Oszillogramm" verschiedener Messpunkte ..Emitter_AC: Wechselspannungsverstärker, mit stufig geändertem Wert des Kondensators zu Re - Auswirkung auf Verstärkung, Verzerrung, Phasenverschiebung... Hier ein paar Links dazu: Download: [http://www.linear.com/designtools/software/#Spice] Tutorial: [http://www.elektronikschule.de/~krausg/] Infos, Modelle, Tips: [http://tech.groups.yahoo.com/group/LTspice/] mfG Ottmar
meine bisher beste Lektüre zu Transistorschaltungen: The Art of Electronics, Paul Horowitz Das ist leider etwas teuer ( vollkommen zurecht ) aber in guten Unibibliotheken sollte es vorhanden sein. Vielleicht noch zu erwähnen, ich habe schon viele Bücher überflogen, aber so ausfü+hrlich wie in diesem habe ich es noch nie gesehen, es geht auch auf die ganzen nicht idealisierten Vorgänge im Halbleiter ein und soweiter und da sKApitel über Transistoren sit trotzdem nicht zu dick.
Sera schrieb: > Woher weiß ich nun aber, wie das Spannungsteilerverhältnis sein soll? > Überlege ich mir einfach ein Wert für Ube (Basis - Emitter)? Damit die Schaltung einigermaßen temperaturstabil wird, sollte der Spannungsabfall an R3 nicht zu klein sein im Verhältnis zur Basis-Emitter-Spannung. Mit 10 Ohm und 30 mA kommst du auf 0,3V Spannungsabfall an R3. Zu dieser Spannung addiert sich die Basis-Emitter-Spannung, insgesamt 1V. Das ist dann die Spannung, die an R2 anliegt. Der Strom im unteren Transistor ist also 1 V / R2 = 500 µA, also ist R2 = 2 kOhm. Der Strom in R1 ist dann 550 µA, also ist R1 = 20 kOhm. > Dabei habe ich die Betriebsspannung von 12 Volt zur > Verfügung und weiß, dass ich den Strom Ic von 30 mA benötige. > > So, ich habe also die Arbeitsgerade eingezeichnet und entscheide mich > für den Ib von 50 µA. Der Arbeitspunkt wird eingezeichnet (Uce = 7,2 V). Damit du im Arbeitspunkt mit 7,2V einen Strom von 30 mA bekommst, brauchst du einen Kollektor-Widerstand mit 160 Ohm: R4 = (12 V - 7,2 V) / 30 mA. Die Arbeitsgerade beginnt dann bei 75 mA, nicht bei 30 mA.
Sera schrieb: > Am Anfang überlege ich mir doch, wo ich überhaupt den Arbeitspunkt > hinlegen möchte. Ja. Der hängt aber von den ungenannten Forderungen an die Schaltung ab. Die Schaltung soll doch etwas bestimmtes machen und nicht einfach nur so exsistieren. Du willst eine bestimmte Verstärkung (z.B. 20dB) bei z.B >20k Eingangswiderstand und <1k Ausgangswiderstand oder so. > Dabei habe ich die Betriebsspannung von 12 Volt zur > Verfügung und weiß, dass ich den Strom Ic von 30 mA benötige. Woher weißt du das? > So, ich habe also die Arbeitsgerade eingezeichnet und entscheide mich > für den Ib von 50 µA. Der Arbeitspunkt wird eingezeichnet (Uce = 7,2 V). Bei IC=30mA und Ib=50µA brauchst du einen Transistor mit B=600, die sind eher selten und der Transistor, dessen Kennlinienfeld du oben gezeigt hast hat auch nur B=240. Du hast das Kennlinienfeld falsch verstanden. > Woher weiß ich nun aber, wie das Spannungsteilerverhältnis sein soll? Du beginnst die Dimensionierung am Ausgang (Kollektor-Emitter-Strecke) denn dort wird die Verstärkung festgelegt (V~Ra/Re+Rd) und damit das Verhältnis aus Kollektor- und Emitterwiderstand. Mit dem geforderten Ausgangswiderstand Ra ergibt sich der Kollektorstrom, der Kollektorwiderstand und der Emitterwiderstand. Mit dem jetzt festliegenden Kollektorstrom schließlich der Basis- und der Teilerquerstrom. Das Kennlinienfeld brauchst du gar nicht, nur B.
> Ube wird meistens im Bereich 0.6...0.7V bei Silizium angenommen, da > durch Temperatur- und Bauteilschwankungen der "richtige" Wert eh nicht > berechnet werden kann. Stimmt. Ich war nur etwas verwirrt, da bei "Electrical Characteristics" verschiedene Werte stehen und bei "Absolute Maximum Ratings" sogar 5 V als Maximum. Da Ube wohl auch nicht linear sein dürfte, hätte ich dann wenigestens eine Kennlinie zu erwartet wo ich den Arbeitspunkt "hinloten" könnte. > ...weil die Maschenregel auch gilt für R2-Ube. Stimmt. Deswegen wollte ich auch Ube kennen. Da muss ja ein Entscheidungsprozess stattfinden. Man sagt ja nicht einfach "hmm, min: 0,66V max: 5V - da nehme ich mal einfach die mitte => ~3V" > wäre LTSPice, das kostenlose Elektronik-Simulationsprogramm etwas für Euch? Prinzipiell schon. Wir müssten uns dann auch erst da noch einarbeiten. Ich werde mir das Programm mal runterladen und etwas damit experementieren. Das wird jedenfalls schneller gehen als immer jeden möglichen Widerstandwert zu ändern um dann zu hoffen, dass es klappt :) > The Art of Electronics, Paul Horowitz Ich werde mal der Bib ein besuch abstatten :) > Die Arbeitsgerade beginnt dann bei 75 mA, nicht bei 30 mA. Verstehe ich nicht. Habe ich die Arbeitsgerade falsch konstruiert? Entschuldigt, dass ich bislang kein konkretes Ziel genannt habe. Wir haben aber auch keins. Es hat uns einfach geärgert, dass wir Klausuren über Klausuren und Vorlesungen über Vorlesungen über das Thema schreiben oder hören und praktisch kein einfachen Transistor als Schalter aufbauen können. Irgendwie wurde uns das alles zu theoretisch - schlimmer noch: Diese können wir gerade nichtmal auf unser "Vorhaben" anwenden. Erst wollen wir eine LED über ein Poti am Steuerkreis regeln können. Danach dachten wir an einen Verstärker und dann vielleich auch ein mehrstufigen. Eine Transistorschaltung, bei der wir alles selbst berechnet haben (also kein Nachbau) war unser Ziel :) Vielleicht ist die Spice+Buch Kombination anfangs das Beste. Aber einfach solange irgendwelche Werte zu verändern, bis es passt ist uns zu einfach. Irgendwann wollen wir den Titel "Ingeneur" doch auch verdient haben :(
Sera schrieb: > Stimmt. Deswegen wollte ich auch Ube kennen. Da muss ja ein > Entscheidungsprozess stattfinden. Nein, du hast (normalerweise) überhaupt keine Freiheit im Festlegen der Spannung, weil die durch die Verhältnisse im K-E-Kreis gegeben ist. > Das wird jedenfalls schneller gehen als immer jeden möglichen > Widerstandwert zu ändern um dann zu hoffen, dass es klappt :) Was soll denn das für eine Methode sein? Man kann das ganz leicht berechnen. > Habe ich die Arbeitsgerade falsch konstruiert? Ja, nicht nur das. > Eine Transistorschaltung, bei der wir alles selbst berechnet haben (also > kein Nachbau) war unser Ziel :) Wie man es macht hatte ich vorhin beschrieben.
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> Nein, du hast (normalerweise) überhaupt keine Freiheit im Festlegen der > Spannung, weil die durch die Verhältnisse im K-E-Kreis gegeben ist. Dachte ist anfangs auch. Demzufolge müsste diese im Datenblatt stehen. Für welchen Wert entscheidet man sich da nun? (Anhang). > Was soll denn das für eine Methode sein? Man kann das ganz leicht > berechnen. Eben scheinbar doch nicht. Vielleicht sehen wir gerade aber auch einfach den Wald vor lauter Bäumen nicht mehr und sollten erstmal ein Schritt zurück gehen. >> Habe ich die Arbeitsgerade falsch konstruiert? > Ja, nicht nur das. Na gut, auf ein neues. Ich werde die Sachen erstmal wieder nachlesen und versuchen eure Tipps anzuwenden und zu verstehen. Danke für eure zahlreichen Tipps und Hilfestellungen :)
Sera schrieb: > Dachte ist anfangs auch. Demzufolge müsste diese im Datenblatt stehen. > Für welchen Wert entscheidet man sich da nun? (Anhang). Du hast überhaupt nicht verstanden. 1. brauchst du immer einen Emitterwiderstand, um die Schaltung stabil zu bekommen 2. brauchst du ein bestimmtes Verhältnis von Kollektor- zu Emitterwiderstand, weil damit die Verstärkung bestimmt ist 3. brauchst du einen bestimmten Kollektorstrom DIESE Werte bestimmen die Spannung an der Basis und nicht irgendwelche Datenblattangaben, weil man in guter Näherung einfach Ube=0,7V einstezen darf.
Sera schrieb: > verschiedene Werte stehen und bei "Absolute Maximum Ratings" sogar 5 V > als Maximum. Da Ube wohl auch nicht linear sein dürfte, hätte ich dann > wenigestens eine Kennlinie zu erwartet wo ich den Arbeitspunkt > "hinloten" könnte. > >> ...weil die Maschenregel auch gilt für R2-Ube. > > Stimmt. Deswegen wollte ich auch Ube kennen. Da muss ja ein > Entscheidungsprozess stattfinden. Man sagt ja nicht einfach "hmm, min: > 0,66V max: 5V - da nehme ich mal einfach die mitte => ~3V" Die 5V beziehen sich aber in die Richtung "Emitter zu Basis"(Ueb) und nicht "Basis zu Emitter"(Ube).
Sera schrieb: > Dachte ist anfangs auch. Demzufolge müsste diese im Datenblatt stehen. > Für welchen Wert entscheidet man sich da nun? (Anhang). Es gibt eigentlich zwei unterschiedliche Wege, wie man mit Ube umgehen kann: 1. Die Basis-Emitter-Spannung hängt über eine Kennlinie (e-Funktion) mit dem Basis-Strom zusammen. Wenn man den Basis-Strom kennt und die Temperatur auch bekannt ist, kann man im Prinzip auch Ube berechnen. Allerdings hat man hier das Problem, dass Transistoren eine relativ große Streuung haben, speziell die Stromverstärkung ist deshalb nur ungefähr bekannt. Deshalb kann man den Basis-Strom nicht so genau berechnen und damit auch nicht die Basis-Emitter-Spannung. 2. Die andere Methode ist, dass man durch eine geeignete Gegenkopplung (z.B. Stromgegenkopplung mit Emitter-Widerstand) die Stromverstärkung des Transistors reduziert, die resultierende Stromverstärkung hängt dann hauptsächlich vom Emitter-Widerstand ab und nicht mehr so sehr vom Transistor selber. Zusätzlich wird der Basis-Strom dann auch nicht mehr alleine durch die Basis-Emitter-Spannung bestimmt, sondern durch die Gegenkopplung stabilisiert, so dass der exakte Wert von Ube nicht mehr so wichtig ist. In diesem Fall kann man für Ube einen festen Wert (z.B. 0.6V) annehmen. Der weicht zwar vom tatschlichen Wert ab; durch die Gegenkopplung ist der Fehler, den man dadurch macht, aber relativ gering.
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Sera, ich hab dir mal eine Beispielrechnung gemacht, so wie ich das oben gemeint hatte.
Johannes E. schrieb: > 2. Die andere Methode ist, dass man durch eine geeignete Gegenkopplung > (z.B. Stromgegenkopplung mit Emitter-Widerstand) die Stromverstärkung > des Transistors reduziert, die resultierende Stromverstärkung hängt dann > hauptsächlich vom Emitter-Widerstand ab und nicht mehr so sehr vom > Transistor selber. Das stimmt natürlich nicht. Die Stromgegenkopplung reduziert die Steilheit S=dIc/due, aber nicht die Stromverstärkung. Und die resultierende Spannungsverstärkung Vu~Rc/Re hängt dann nicht mehr sehr vom Transistor ab.
ArnoR schrieb: > Das stimmt natürlich nicht. Die Stromgegenkopplung reduziert die > Steilheit > S=dIc/due, aber nicht die Stromverstärkung. Und die resultierende > Spannungsverstärkung Vu~Rc/Re hängt dann nicht mehr sehr vom > Transistor ab. Ja, stimmt.
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