LTspice Lineare FET-H-Brücke

OP #4019456
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Hallo zusammen


Ich möchte gerne eine lineare FET-H-Brücke aufbauen. Da mir Transistoren 
oder Leistungsops einfach zu hohe Verluste haben, habe ich die FETs 
genommen.

Meine Schaltung funktioniert sehr gut, solange ich sie Halb-Brücke mit 
einer in meinem Falle 12V Fix-Spannung an der anderen Seite nutze. 
Jedoch kann LTspice die Vollbrücke nicht simulieren?!??

Habe ich etwa einen Fehler gemacht?
Angehängte Dateien:
OP #4019773
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Ich möchte gerne eine genaue und sehr rauscharme Ausgangsstufe mit einer 
Bandbreite von so 10kHz. Wenn ich dies mit einer gektackteten Stufe 
lösen möchte, wird es beinahe unmöglich. Die Schaltverluste wären 
deutlich zu gross und der Frequenzabstand zwischen Nutzsignal und 
Schaltsignal sehr klein was eine Filterung seeehr kompliziert macht. Ich 
rechne mit einer Gesamtleistung von 100-200W.

Darum gedenke ich den Ausgang linear mit FETs zu gestalten. Die 
Ausgangsspannung, oder der Ausgangsstrom wird dann über einen 
Shunt-Widerstand und einen PI-Regeler sauber eingestellt. Mir sind somit 
alle nicht-Idealitäten der FETs und OPs am Ausgang egal, da ich dies 
hochpräzise nachregeln werde.

Bezüglich Hotspot werde ich mal nachlesen, denke jedoch so aus dem Bauch 
heraus, dass ich damit keine Probleme haben werde...


Nebenbei, die FET-Schaltung funktioniert einwandfrei, wenn ich alle FETs 
durch einfache Transistoren ersetze. Dann jedoch mit grösseren Verlusten 
und nicht mehr dem Erreichen der Speisespannung.
Gast #4019774
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Klaus Ra. schrieb:
> Und MOSFets sind überwiegend nicht für lineare Hochleistungen geeignet.
> Siehe Google: Hotspots bei MOSFETs.
> mfg klaus

Na ja, die H-Brücke ist nicht unbedingt für lineare Hochleistungen 
gedacht. Sie ist doch für schnelle Schaltvorgänge da, d.h. MOSFETS 
werden SCHNELL mit PWM angesteuert. Und es gibt sogar MOSFETS die 
lineare Aufgaben können.
Gast #4019822
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Hi,

eine Sache verstehe ich nicht. Du schreibst dass "Schaltverluste wären 
deutlich zu groß". Wodurch denn? Wenn du einen MOSFET schnell schaltest 
bzw. schnell ansteuerst ist doch dein Schaltverlust recht minimal da die 
Verlustleistung nur sehr kurz anliegt.(das ist µs/ms-Bereich). Den 
Gegenteil erreist du wenn du einen MOSFET linear ansteuerst wo die 
Verlustleistung sehr lange anliegt und deinem MOSFET gar nicht gut tut.

Gruß.
OP #4019872
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Schalte mal einen FET mit mehreren 100kHz, dann bemerkst du die 
Schaltverluste... Aber wie schon mehrmals angetönt, muss ich die 
Schaltfrequenz mit so 100-120dB unterdrücken. Somit benötige ich ein 
Filter 6.Ordnung, wenn ich eine Bandbreite von 10kHz haben möchte und 
mit 100kHz schalte. Dies ist recht kompliziert und da ich mit 
unterschiedlichen Lasten arbeiten werde (Resistiv, Induktiv) verhält 
sich mein Filter immer wieder total anders...
Gast #4019912
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Also wenn es um Schaltverluste geht, du wirst aber durch Linearbetrieb 
wesentlich höhere Verluste an MOSFETS haben, oder?

Anderes Thema: wenn nun die Schaltfrequenz eine Störung verursacht, nimm 
doch einfach MOSFETS die du linear betreiben kannst.
Gast #4020555
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Wenn sich LTSpice totrechnet, liegt das meisten daran, dass die 
Schaltung "zu einfach" ist. Das meine ich ganz ernst.

Brich die Simulation an der Stelle ab und probe vorzugsweise die 
Stromflüsse durch Spannungsquellen, Dioden etc. Meist findest Du 
irgendwo Oszillationen mit aberwitzigen Frequenzen im Teraherz-Bereich, 
an denen Spice ewig rumrechnet.

Dieses praxisferne Verhalten ergibt sich daraus, dass die Schaltungen 
irgendwo zu "ideal" sind. Es liegt definitiv NICHT am Simulator, sondern 
eher am Simulanten.

Gib jeder Spannungsquelle einen endlichen Innenwiderstand, nimm nie 
generische Dioden, sondern irgendeinen konkreten Typen... usw. usf.

Ein paar parasitäre Elemente an der richtigen Stelle, und es flutscht 
wieder - habe ich schon zig mal durchgemacht.
#4020591
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Ob man BJTs oder spezielle MOSFETs nimmt, die für den linearen Betrieb 
vorgesehen sind macht keinen großen Unterschied bei den Verlusten. Die 
Sättigungsspannung ist in ähnlicher Größenordnung, bzw. bei den BJTs 
eher kleiner. Einen Vorteil haben die MOSFETs wenn es sehr schnell sein 
soll - dann wird aber das Layout sehr kritisch bis man den Unterschied 
nutzen kann.
Bei nur 24 V ist die Wahl der MOSFETs noch nicht so kritisch.

Die Schaltung kann schwingen, weil der OP die Kapazitive Last durch die 
MOSFETs ggf. nicht verträgt.
Man muss für so wenig Spannung auch nicht gleichen einen OP für 140 V 
nehmen. Für 24 V reicht auch noch ein NE5532.

Wenn die Verluste kleiner werden sollen, könnte man ggf. eine Klasse G 
Endstufe nehmen, also mit 2 Spannungen arbeiten. So groß ist der Gewinn 
bei nur 24 V aber eher nicht.
Gast #4020940
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Ulrich H. schrieb:
> Ob man BJTs oder spezielle MOSFETs nimmt, die für den linearen Betrieb
> vorgesehen sind macht keinen großen Unterschied bei den Verlusten. Die
> Sättigungsspannung ist in ähnlicher Größenordnung, bzw. bei den BJTs
> eher kleiner.

Ich weiß nicht ob du das pauschal meinst, wenn ja dann stimmt die 
Aussagen nicht ganz. Wenn wir Ströme höher als 10A betrachten, bei 
MOSFETS (für linearen Betrieb optimiert) wirst du im gesättigten Zustand 
ca. ein Zehntel von der Verlustleistung haben was BJT's haben. Bei 
Vollbrücken braucht man eben oft hohe Ströme.

Gruß.
#4021327
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Bei BJTs hat man in der Sättigung und für den Transistor angemessenem 
Strom einen Spannungsabfall von vielleicht 0,5 V (Kollektor-Emiter). Die 
für Linearbetrieb geeigneten MOSFETs haben einen vergleichsweise hohen 
ON-Widerstand. Da ist man vor allem beim P-Kanal auch schnell über 1 V, 
wenn man keine ausgesprochen großen Transistoren nehmen will. Wenn man 
gar in den Bereich kommt, das man mehrere parallel schalten muss - 
braucht man Source Widerstände, die üblicherweise größer sein müssen als 
die Emitterwiderstände bei BJTs.

Einen geringen Spannungsabfall kann mit mit Schaltenden MOSFETs, 
insbesondere bei recht niedriger Spannungsfestigkeit erreichen.

Die Frage wäre da eher ob man eine Vollbrücke braucht und nicht ggf. mit 
einer Halbbrücke und dann +-24 V Versorgung auskommt.

Die Verlustleistung kommt auch vor allem vom Prinzipiellen Limit einer 
Klasse B Endstufe. Besser ginge es mit Klasse G (2 Spannungen) oder 
Klasse D.
Gast #4022606
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Abgesehen von den C-E bzw. D-S Widerständen der Transistoren brauchen 
BJTs
noch Basisstrom der bei dicken Transen auch merkliche "Verluste" 
verursacht
und zwar hinsichtlich der Gesamteffektivität der Schaltung.

Bei einer "analogen" H-Brücke gehe ich davon aus, das diese nicht 
geschaltet wird sondern die Transistoren irgendwo quer über ihre 
Kennlinien gefahren werden, wenn dem so ist, ist prinzipiell die 
Verlustleistung die Selbe, egal ob FET oder BJT.

Soviel zum gemütlich sitzen.

@Paul: komm her, ich brate Dir ne Wurst..

Gruß,

Holm

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