Miller kickback

Jolo schrieb:
> Die Gate Source Spannung wird durch das dv_ds/dt dabei nicht nur
> konstant gehalten, sondern wieder "runtergedrückt", sodass der
> Transistor ausschaltet. Dieser Effekt (so vermute ich) beruht auf die
> Nichtlinearitäten der Gate-Drain- und Gate-Source-Kapazität.

Vermute ich nicht, sondern eher durch eine verzögerte Stfomleitung des 
Drain-Stromes z.B. dzrch eine Induktivität im Drainstromkreis.

So bald das Gate weich (über einen Widerstand) angesteuert wird und die 
DS Spannung zeitlich immer schneller sinkt, z.B. weil der Strom zeitlich 
schneller zunimmt, kommt es zu dem Effekt der aucb hu Oszillationen 
führen kann.

MaWin schrieb:
> Jolo schrieb:
>> Die Gate Source Spannung wird durch das dv_ds/dt dabei nicht nur
>> konstant gehalten, sondern wieder "runtergedrückt", sodass der
>> Transistor ausschaltet. Dieser Effekt (so vermute ich) beruht auf die
>> Nichtlinearitäten der Gate-Drain- und Gate-Source-Kapazität.
>
> Vermute ich nicht, sondern eher durch eine verzögerte Stfomleitung des
> Drain-Stromes z.B. dzrch eine Induktivität im Drainstromkreis.
>
> So bald das Gate weich (über einen Widerstand) angesteuert wird und die
> DS Spannung zeitlich immer schneller sinkt, z.B. weil der Strom zeitlich
> schneller zunimmt, kommt es zu dem Effekt der aucb hu Oszillationen
> führen kann.

In der Technologie in der ich unterwegs bin bezweifel ich, dass 
induktive Effekte eine Rolle spielen. Leiterbahneffekte werden in der 
Simulation noch nicht mal berücksichtigt.
Das nichtlineare Verhalten konnte man simulativ schön rausrechnen und 
wenn es in einer einfachen testbench mit LTSpice nachgestellt wird, dann 
kommt ziemlich genau der Kurvenverlauf zustande.

LTSpice Simulationsdatei gibt es hier:
http://s000.tinyupload.com/?file_id=41886585996677254803

Also induktive Effekte würde ich hier vernachlässigen.

Viele Grüße

Wollte nur anmerken, dass ich die Spannung in B2 nicht mit 
differenzieren würde. Des Weiteren solltest du Cgd über Vgd definieren 
und nicht über Vds. Ist in den Datenblättern meist (fast) das Gleiche, 
weil normalerweise Vgs=0 bei der Kapazitätsmessung, in der Simulation 
machts aber ggbf. Unterschiede.

Ansonsten kann ich nicht viel dazu beitragen, außer dass ich ebenfalls 
der Meinung bin, dass die Nichtlinearität von Coss für den Effekt 
verantwortlich ist. Cgs kann man eigentlich als konstant ansehen. Leider 
kann auch auch ich nicht auf weitere Literatur verweisen. Viel Erfolg 
bei der Masterarbeit.

SpicySpice schrieb:
> Wollte nur anmerken, dass ich die Spannung in B2 nicht mit
> differenzieren würde. Des Weiteren solltest du Cgd über Vgd definieren
> und nicht über Vds. Ist in den Datenblättern meist (fast) das Gleiche,
> weil normalerweise Vgs=0 bei der Kapazitätsmessung, in der Simulation
> machts aber ggbf. Unterschiede.
>
> Ansonsten kann ich nicht viel dazu beitragen, außer dass ich ebenfalls
> der Meinung bin, dass die Nichtlinearität von Coss für den Effekt
> verantwortlich ist. Cgs kann man eigentlich als konstant ansehen. Leider
> kann auch auch ich nicht auf weitere Literatur verweisen. Viel Erfolg
> bei der Masterarbeit.

Okay alles klar.
Vielen Dank ;)