Hallo zusammen,
ich habe folgendes Problem.
Ich möchte die folgende Schaltung benutzen. Als PWM-Signal habe ich 10V.
Der MOSFET schaltet ab 2 V durch, so dass die LED leuchtet.
Sobald am RS-Widerstand 0,7 V anliegen , schaltet der Transistor durch,
so dass ein konstanter Strom fließen kann. Wie wird hier ein konstanter
Strom geregelt ?
Kann mir jemand sagen, wie hoch die Spannung UGS bzw.die Spannung am
MOSFET ist, wenn der Transistor durchschaltet?
Danke im voraus
SteveUrkle schrieb:> Kann mir jemand sagen, wie hoch die Spannung UGS bzw.die Spannung am> MOSFET ist, wenn der Transistor durchschaltet?
Das hängt davon ab wie groß RS ist, also ab wann der Transistor anfängt
zu leiten.
Wozu soll die Schaltung eigentlich gut sein?
Am Gate ergeben sich 0,7V+Ugs(I)
Schau im Datenblatt wie hoch Ugs bei deinem gewünschen Strom im Mosfet
ist. Da solltest du natülich den schlimmsten Fall bezüglich Ugs aus dem
Datenblatt annehmen.
Tipp: Such dir einen Mosfet der ganz wenig Ugs braucht, falls du nur 5V
Ansteuerspannung hast.
> Kann mir jemand sagen, wie hoch die Spannung UGS bzw.die Spannung am> MOSFET ist, wenn der Transistor durchschaltet?
Das Datenblatt ennnt tpische Werte, exakte kannst du nur am vorhandenen
Exemplar messen.
> Ich möchte die folgende Schaltung benutzen. Als PWM-Signal habe ich 10V.> Der MOSFET schaltet ab 2 V durch, so dass die LED leuchtet.> Sobald am RS-Widerstand 0,7 V anliegen , schaltet der Transistor durch,> so dass ein konstanter Strom fließen kann. Wie wird hier ein konstanter> Strom geregelt ?
Du bist Digitaltechniker, he ?
Da schaltet nix durch, sondern ein Transistor leitet langsam immer mehr
bis es eben reicht.
Wenn die Spannung am RS-Widerstand 0.6V beträgt, wird der NPN etwas
(sagen wir 10%) Strom durch PWM-IN nach Masse ableiten, bei 0.65V schon
so viel daß die Gate-Spannung nur schwer weiter steigt und bei 0.7V halt
so viel daß die Gate-Spannung gar nicht weiter steigen kann.
Du bist Digitaltechniker, he ?
Da schaltet nix durch, sondern ein Transistor leitet langsam immer mehr
bis es eben reicht.
Wenn die Spannung am RS-Widerstand 0.6V beträgt, wird der NPN etwas
(sagen wir 10%) Strom durch PWM-IN nach Masse ableiten, bei 0.65V schon
so viel daß die Gate-Spannung nur schwer weiter steigt und bei 0.7V halt
so viel daß die Gate-Spannung gar nicht weiter steigen kann.
Achso das heißt UGS kann nicht weiter steigen.
Angegeben sind UGS min mit 2 V und UGS max mit 4 V.
Nur ist mir nicht klar wie hoch dann die Spannung bei 10 V PWNIn ist.
> UGS min mit 2 V und UGS max mit 4 V
Das ist wahrscheinlich die Spannung wo er gerade anfängt zu leiten. Du
willst 1A. Also gleich nomals 2V draufsatteln (Schau in die
Datenblattkurve). Wären dann 6V. Dazu noch die 0,7V Ube vom anderen
Transistor. Wenn du wirklich 0V/10V zur Ansteuerung hast, dann geht das.
> Angegeben sind UGS min mit 2 V und UGS max mit 4 V.
Sicher nicht für den leitenden MOSFET. Vermutlich hast du im Datenblatt
nach Ugs(th) geguckt, die Spannung ab der er gerade eben aus dem
Sperrzustand geht.
> Nur ist mir nicht klar wie hoch dann die Spannung bei 10 V PWNIn ist.
Na am einen Ende vom Widerstand 10V, am anderen Ugs+URS, also geschätzt
5V, miss halt nach oder simuliere es in Spice.
> MaWin bewegt sich hier ausschließlich im "verbotenen Bereich" :-)
Ach Trolla, am Wochenende nix zu tun ?
Also machst du dasselbe wie in der Woche,
nämlich dumm umlabern.
Ich habe 10 V zur Verfügung.
UGS habe ich im Datenblatt mit ca. 3,5 V ermittelt bei meinem Strom.
Dann kommen noch die 0,7 V vom Transistor hinzu.
Somit bleiben bei 10 V , 5,8V übrig.
Nur wo liegen dann die anderen 5,8 V an. ?
Am PWM-IN Widerstand natürlich.
Die Spannung an der Basis hängt vom Strom durch den Mosfet ab, damit
auch die Spannung am Gate.
Strom steigt -> Spannung am Widerstand steigt, Transistor beginnt zu
leiten, MOSFET bekommt weniger Gate-Spannung, leitet weniger Strom, der
Strom Sinkt, also auch die Spannung am Widerstand.
Kommt drauf an, mit welcher Frequenz da getaktet wird. Denn dieser R
bildet mit der Mosfetgatekapazität einen RC-Tiefpaß. Bei angenommenen
1nF und den 4,7k haste also Anstiegszeiten von über 5µs am Gate. Solange
wie die Frequenz deutlich längere Perioden hat, mag das noch gehen (also
eigentlich nicht viel mehr als unterster kHz-Bereich).
Andererseits ist das ein Kompromiß, was die Belastung der PWM angeht. Da
wäre ein höherer R günstiger. 4,7k macht bei rund 5V
Spannungsvernichtung rund 1mA - sollte eigentlich ok sein, wenn die
PWM-Quelle nicht zu hochohmig ist.
20110719205754.gif
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