Hallo,
ich bin dringend auf der Suche nach einem MOS FET des Spezifikationen
wie oben beschrieben sind, also
MOS FET,
n-Kanal,
Drain-Source-Spannung größer oder gleich 300V und einem
Drain-Source-Widerstand< 25 milliohm
habe selbst lediglich zwei Stück gefunden, kennt ihr weitere Hersteller
bzw MOS FETs mit diesen Spezifikationen?!?
MfG Daniel
Erstma danke für eure Beteiligung :)
Ja das sind die Modelle die ich auch gefunden hatte, allerdings hatte
ich noch den IXTK110N30 (26mOhm) gefunden, den es aber nicht mehr zu
geben scheint..
Nun ja der SiliziumKarbid Transistor scheint brauchbar zu sein,
allerdings ist der Preis nicht realiserbar, ich sollte unter 7 €
bleiben..
Mittlerweile bin ich auf einen IBGT gestoßen, da dieser über ein
niedrigeren Widerstand verfügt und somit bei hohen Strömen sich nicht so
enorm erhizt. Allerdings fange ich mir hier das Problem mit der
Ansteuerung ein, denn ich muss diesen über einen OptoKoppler bestromen,
bislang ist eine MOS FET verbaut, der im Maximalfall 50 microAmpere zur
Ansteuerung bekommt.. Habt ihr mehr Erfahrungen mit IBGT´s bislang?
MfG
Daniel schrieb:> bislang ist eine MOS FET verbaut, der im Maximalfall 50 microAmpere zur> Ansteuerung bekommt.. Habt ihr mehr Erfahrungen mit IBGT´s bislang?
50 µA um einen Mosfet mit 300 V und 100 A zu schalten.
Bist du da sicher?
>Mittlerweile bin ich auf einen IBGT gestoßen, da dieser über ein>niedrigeren Widerstand verfügt und somit bei hohen Strömen sich nicht so>enorm erhizt
niedriger Widerstand ist in Zusammenhang mit IGBT nicht wirklich
richtig.
Für die Leitendverluste gilt:
MOSFET:
IGBT:
fällt Dir was auf?
Könnte sein, dass ein IGBT für Deine Anwendung besser geeignet ist.
Erzähl uns doch etwas mehr, wie z.B.
Anwendung.
Schaltfrequenz.
Ansteuerung
...
Auch einen Schaltplan wäre ganz nett, dann lässt es sich gleich besser
diskutieren.
>der im Maximalfall 50 microAmpere zur Ansteuerung bekommt
Hört sich nicht ganz koscher an!
>Allerdings fange ich mir hier das Problem mit der Ansteuerung ein
Wo siehst Du da ein Problem?
Schönen Abend!
Also, meine Aufgabe besteht darin, eine elektronische Absicherung eines
16A Stromkreise zu entwerfen.
Hierfür musste ich erst einmal eine Auswahl geeigneter Bauteile treffen.
So rückte bei mir auch der MOS FET und der IGBT in die nähere Auswahl.
@Hans, ja ich hab´s gemerkt und bin auch kurz davor vom IGBT abzusehen,
lediglich der Ansteuerstrom ist noch interessant!
Die Quelle stellt die Beschaltung über eine Optokoppler mit einer
Versorgungsspannung mit 5 V und einem Strom von 1microAmpere dar. Bei
einer Unterbrechung wird dieser Kurzgeschlossen und das am MOS FET
anliegende Potential nach oben gezogen, somit sperrt der MOS FET.
Da die Schaltung für Gleich- als auch Wechselstrom ausgelegt werden
muss,
benötige ich zwei MOS FETs, da diese über parasitäre Dioden verfügen.
Die Dioden am Ausgang sind erst einmal aus acht zu lassen...
Eigentlich wollte ich die Schaltung auf 600V auslegen, aber leider
verfügen diese über einen zu hohen Rds, was eine zu hohe Leistung und
somit zu eine zu hohe Wäreleistung nach sich zieht. Aus diesem Grund
habe ich MOS FETs mit lediglich 300V genommen. Ich erhoffte mir, dass
ich mit IGBTs dies besser lösen kann, aber danach sieht es nicht aus.
Zudem sollte ein Bauteil nicht mehr als 6 € kosten :)
Danke für eure Beteiligung!
MfG Daniel
Daniel schrieb:> Also, meine Aufgabe besteht darin, eine elektronische Absicherung eines> 16A Stromkreise zu entwerfen.
AC oder DC ?
Was soll denn der Schaltplan darstellen?
Deine 5V beziehen sich nicht auf das Sourcepotential vom ersten
Transistor, so wird das nix. Deine Mosfets hast du Seriell geschaltet,
nicht antiseriell, so wirst du immer eine Halbwelle leiten und die
andere je nach Ansteuerung sperren oder leiten, einfach zwei Mosfets in
Serie ... bringt hier nix.
5V sind für die meisten (Leistungs) MosFets zu wenig, vor allem in
dieser Leistungsklasse.
Was sollen da D1 und D2 und wo geht der Pfeil hin?!
Achja, mit deiner Diode über dem zweiten Transistor hast du auch wieder
zwei AntiSerielle Diode gebastelt, das konstrukt wird also beide
Halbwellen leiten, ist also für Wechselstrom nahezu eine
Brücke/Widerstand aber definitiv kein Schalter mehr.
Wieso willst du eigentlich eine Sicherung durch elektronische Bauteile
ersetzten? Du hast im ausgeschalteten Zustand immer noch keine
galvanische Trennung, durch den Varistor erst recht nicht mehr.
Wenn du dir das ganze nicht ausreden lässt kannst du ja immer noch
mehrere MosFets parallel schalten.
Daniel schrieb:> Also, meine Aufgabe besteht darin, eine elektronische Absicherung eines> 16A Stromkreise zu entwerfen.
Soll es für das normale Stromnetz mit 230 V sein?
Hauke Radtki schrieb:> Deine 5V beziehen sich nicht auf das Sourcepotential vom ersten> Transistor, so wird das nix. Deine Mosfets hast du Seriell geschaltet,> nicht antiseriell, so wirst du immer eine Halbwelle leiten und die> andere je nach Ansteuerung sperren oder leiten, einfach zwei Mosfets in> Serie ... bringt hier nix.> 5V sind für die meisten (Leistungs) MosFets zu wenig, vor allem in> dieser Leistungsklasse.
Naja real liegen dort 8,6Volt an, die müssen laut Datenblatt reichen..
http://ixapps.ixys.com/DataSheet/DS99557F(IXFK-FX140N30P).pdf>> Was sollen da D1 und D2 und wo geht der Pfeil hin?!
Die Dioden sind erstmal außer acht zu lassen, ich hätte Sie noch
entfernen sollen..
> Achja, mit deiner Diode über dem zweiten Transistor hast du auch wieder> zwei AntiSerielle Diode gebastelt, das konstrukt wird also beide> Halbwellen leiten, ist also für Wechselstrom nahezu eine> Brücke/Widerstand aber definitiv kein Schalter mehr.
? Verstehe ich nicht ganz, denn beide Halbwellen werden im leitenden
Zustand übertragen bzw. im nichtleitenden wird keine übertragen oder
übersehe ich da etwas?
> Wieso willst du eigentlich eine Sicherung durch elektronische Bauteile> ersetzten? Du hast im ausgeschalteten Zustand immer noch keine> galvanische Trennung, durch den Varistor erst recht nicht mehr.
Galvanische Trennung erfolgt durch Optokoppler, welche an anderer Stelle
des Schaltungsentwurfs stehen.. (5V quelle für Gate..)
> Wenn du dir das ganze nicht ausreden lässt kannst du ja immer noch> mehrere MosFets parallel schalten.
Hmm ein "MOS FET" Grab so zu sagen.. Daran dachte ich um den Rds zu
reduzieren, allerdings ist der Kostenfaktor dann wieder der bremsende
Aspekt. Wie sähe dies deiner Meinung nach aus?
Daniel schrieb:> Drain-Source-Spannung größer oder gleich 300V ...Daniel schrieb:>> Soll es für das normale Stromnetz mit 230 V sein?> In erster Linie ja, höhere Spannungen wären wünschenswert...
Da dir die absoluten Grundlagen fehlen, solltest du dich von
Netzspannung fernhalten. Gar nicht davon zu reden eine Sicherung mit
einem Halbleiter nachzubauen.
Alexander Schmidt schrieb:> Da dir die absoluten Grundlagen fehlen, solltest du dich von> Netzspannung fernhalten. Gar nicht davon zu reden eine Sicherung mit> einem Halbleiter nachzubauen.
tja dann überleg ma warum ich mir hier rat ersuche?!? Mit solchen
Kommentaren komm ich nicht weiter..
Verstehe zwar nicht was an der Spannungsangabe falsch gewesens ein
soll..
p.s. Grundkenntnisse sind vorhanden jedoch wenig im Bereich der
Halbleiterschaltungstechnik...
Alexander Schmidt schrieb:> Welche Spannung sieht ein Mosfet denn maximal bei Netzspannung?
230 V.. wäre aber auch schön wenn ein Multimeter höher (z.B. 400V)
mittels dieser Sicherung messen kann..
Philip als schrieb:> Lass dich nicht beirren.> Bei Freebus haben sie einen Dimmer mit fast dem gleichen Aufbau gemacht.> Da dachte auch jeder: das geht nicht.>> http://www.freebus.org/index.php/hardware-mainmenu...>>> Sicherung ist sicher ein wenig schwierig wegen der> Anstiegsgeschwindigkeit, aber zeig es Denen.>> Gruß Philip
ein Ansatz :) Thx
Alexander Schmidt schrieb:> Daniel schrieb:>>> Welche Spannung sieht ein Mosfet denn maximal bei Netzspannung?>> 230 V> Falsch und das in mehrerlei Hinsicht.
Lass gut sein, destruktive Kommentare kannste dir schenken..
p.s. Klugscheisser mag keiner..
Die Spannung stimmt hinten und vorne nicht:
http://www.google.de/search?q=(230V+%2B+0.1*230V)*+sqrt(2) = 357V
Dazu hast du noch Transienten, Leitungsinduktivitaeten, induktive
Verbraucher, kapazitive Verbraucher (Einschaltverluste).
Du musst die MosFets Source an Source anschließen. Damit die Dioden
Antiseriell geschaltet sind und immer eine Sperrt, Außerdem kannst du
durch das gemeinsame Sourcepotential die beiden MosFets überhaupt erst
mit EINER spannung ansteuern.
Aber Mit Galvanischer trennung meinte ich, dass das "dahinter" liegende
Netz wirklich davon getrennt ist wenn diene Sicherung anspricht.
Bei einer Sicherung kann man bei ausgeschalteter Sicherung (ok ganz nach
Vorschrift gibts noch mehr zu tun als Sicherung raus) am Netz arbeiten,
bei deiner Schaltung würde ich das nicht tun.
Was soll denn der genaue Einsatzzweck sein für deine Schaltung? Wo soll
sie eingesetzt werden?
Zum einen muß man mit mehreren 5KV Impulsen pro Jahr am Netz rechnen,
zum anderen legieren Halbleiter bei Überlast meist durch. Die Sicherung
wird also irgendwas zwischen 10 Ohm Widerstand und
Einseitengleichrichter werden.
Dagegen trennt eine Schmelzsicherung ziemlich zuverlässig.
Was du brauchst, mußt du selber wissen. Viel Sachverstand leuchtet nicht
durch und das ist gefährlich!
Schreibe wenigstens WAS du damit sichern willst und welche Konsequenzen
du eingehen möchtest, wenn die Sicherung dann versagen könnte.