MOS FET, n-Kanal, Vds >= 300, Rds <25milliohm

Gast #2410823
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Hallo,
ich bin dringend auf der Suche nach einem MOS FET des Spezifikationen 
wie oben beschrieben sind, also
MOS FET,
n-Kanal,
Drain-Source-Spannung größer oder gleich 300V und einem
Drain-Source-Widerstand< 25 milliohm

habe selbst lediglich zwei Stück gefunden, kennt ihr weitere Hersteller 
bzw MOS FETs mit diesen Spezifikationen?!?

MfG Daniel
Gast #2413272
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Erstma danke für eure Beteiligung :)

Ja das sind die Modelle die ich auch gefunden hatte, allerdings hatte 
ich noch den IXTK110N30 (26mOhm) gefunden, den es aber nicht mehr zu 
geben scheint..
Nun ja der SiliziumKarbid Transistor scheint brauchbar zu sein, 
allerdings ist der Preis nicht realiserbar, ich sollte unter 7 € 
bleiben..
Mittlerweile bin ich auf einen IBGT gestoßen, da dieser über ein 
niedrigeren Widerstand verfügt und somit bei hohen Strömen sich nicht so 
enorm erhizt. Allerdings fange ich mir hier das Problem mit der 
Ansteuerung ein, denn ich muss diesen über einen OptoKoppler bestromen, 
bislang ist eine MOS FET verbaut, der im Maximalfall 50 microAmpere zur 
Ansteuerung bekommt.. Habt ihr mehr Erfahrungen mit IBGT´s bislang?

MfG
Gast #2414102
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>Mittlerweile bin ich auf einen IBGT gestoßen, da dieser über ein
>niedrigeren Widerstand verfügt und somit bei hohen Strömen sich nicht so
>enorm erhizt

niedriger Widerstand ist in Zusammenhang mit IGBT nicht wirklich 
richtig.

Für die Leitendverluste gilt:

MOSFET:

IGBT:

fällt Dir was auf?

Könnte sein, dass ein IGBT für Deine Anwendung besser geeignet ist. 
Erzähl uns doch etwas mehr, wie z.B.

Anwendung.
Schaltfrequenz.
Ansteuerung
...

Auch einen Schaltplan wäre ganz nett, dann lässt es sich gleich besser 
diskutieren.

>der im Maximalfall 50 microAmpere zur Ansteuerung bekommt
Hört sich nicht ganz koscher an!

>Allerdings fange ich mir hier das Problem mit der Ansteuerung ein
Wo siehst Du da ein Problem?

Schönen Abend!
Gast #2419351
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Also, meine Aufgabe besteht darin, eine elektronische Absicherung eines 
16A Stromkreise zu entwerfen.
Hierfür musste ich erst einmal eine Auswahl geeigneter Bauteile treffen. 
So rückte bei mir auch der MOS FET und der IGBT in die nähere Auswahl.
@Hans, ja ich hab´s gemerkt und bin auch kurz davor vom IGBT abzusehen, 
lediglich der Ansteuerstrom ist noch interessant!
Die Quelle stellt die Beschaltung über eine Optokoppler mit einer 
Versorgungsspannung mit 5 V und einem Strom von 1microAmpere dar. Bei 
einer Unterbrechung wird dieser Kurzgeschlossen und das am MOS FET 
anliegende Potential nach oben gezogen, somit sperrt der MOS FET.
Da die Schaltung für Gleich- als auch Wechselstrom ausgelegt werden 
muss,
benötige ich zwei MOS FETs, da diese über parasitäre Dioden verfügen.
Die Dioden am Ausgang sind erst einmal aus acht zu lassen...
Eigentlich wollte ich die Schaltung auf 600V auslegen, aber leider 
verfügen diese über einen zu hohen Rds, was eine zu hohe Leistung und 
somit zu eine zu hohe Wäreleistung nach sich zieht. Aus diesem Grund 
habe ich MOS FETs mit lediglich 300V genommen. Ich erhoffte mir, dass 
ich mit IGBTs dies besser lösen kann, aber danach sieht es nicht aus. 
Zudem sollte ein Bauteil nicht mehr als 6 € kosten :)
Danke für eure Beteiligung!

MfG Daniel
Persönliche Seite #2419418
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Deine 5V beziehen sich nicht auf das Sourcepotential vom ersten 
Transistor, so wird das nix. Deine Mosfets hast du Seriell geschaltet, 
nicht antiseriell, so wirst du immer eine Halbwelle leiten und die 
andere je nach Ansteuerung sperren oder leiten, einfach zwei Mosfets in 
Serie ... bringt hier nix.

5V sind für die meisten (Leistungs) MosFets zu wenig, vor allem in 
dieser Leistungsklasse.

Was sollen da D1 und D2 und wo geht der Pfeil hin?!
Achja, mit deiner Diode über dem zweiten Transistor hast du auch wieder 
zwei AntiSerielle Diode gebastelt, das konstrukt wird also beide 
Halbwellen leiten, ist also für Wechselstrom nahezu eine 
Brücke/Widerstand aber definitiv kein Schalter mehr.

Wieso willst du eigentlich eine Sicherung durch elektronische Bauteile 
ersetzten? Du hast im ausgeschalteten Zustand immer noch keine 
galvanische Trennung, durch den Varistor erst recht nicht mehr.

Wenn du dir das ganze nicht ausreden lässt kannst du ja immer noch 
mehrere MosFets parallel schalten.
Gast #2419593
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Hauke Radtki schrieb:
> Deine 5V beziehen sich nicht auf das Sourcepotential vom ersten
> Transistor, so wird das nix. Deine Mosfets hast du Seriell geschaltet,
> nicht antiseriell, so wirst du immer eine Halbwelle leiten und die
> andere je nach Ansteuerung sperren oder leiten, einfach zwei Mosfets in
> Serie ... bringt hier nix.
> 5V sind für die meisten (Leistungs) MosFets zu wenig, vor allem in
> dieser Leistungsklasse.

Naja real liegen dort 8,6Volt an, die müssen laut Datenblatt reichen..
http://ixapps.ixys.com/DataSheet/DS99557F(IXFK-FX140N30P).pdf

>
> Was sollen da D1 und D2 und wo geht der Pfeil hin?!

Die Dioden sind erstmal außer acht zu lassen, ich hätte Sie noch 
entfernen sollen..

> Achja, mit deiner Diode über dem zweiten Transistor hast du auch wieder
> zwei AntiSerielle Diode gebastelt, das konstrukt wird also beide
> Halbwellen leiten, ist also für Wechselstrom nahezu eine
> Brücke/Widerstand aber definitiv kein Schalter mehr.

? Verstehe ich nicht ganz, denn beide Halbwellen werden im leitenden 
Zustand übertragen bzw. im nichtleitenden wird keine übertragen oder 
übersehe ich da etwas?

> Wieso willst du eigentlich eine Sicherung durch elektronische Bauteile
> ersetzten? Du hast im ausgeschalteten Zustand immer noch keine
> galvanische Trennung, durch den Varistor erst recht nicht mehr.

Galvanische Trennung erfolgt durch Optokoppler, welche an anderer Stelle 
des Schaltungsentwurfs stehen.. (5V quelle für Gate..)

> Wenn du dir das ganze nicht ausreden lässt kannst du ja immer noch
> mehrere MosFets parallel schalten.

Hmm ein "MOS FET" Grab so zu sagen.. Daran dachte ich um den Rds zu 
reduzieren, allerdings ist der Kostenfaktor dann wieder der bremsende 
Aspekt. Wie sähe dies deiner Meinung nach aus?
Persönliche Seite #2419621
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Daniel schrieb:
> Drain-Source-Spannung größer oder gleich 300V ...
Daniel schrieb:
>> Soll es für das normale Stromnetz mit 230 V sein?
> In erster Linie ja, höhere Spannungen wären wünschenswert...

Da dir die absoluten Grundlagen fehlen, solltest du dich von 
Netzspannung fernhalten. Gar nicht davon zu reden eine Sicherung mit 
einem Halbleiter nachzubauen.
Gast #2419667
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Alexander Schmidt schrieb:

> Da dir die absoluten Grundlagen fehlen, solltest du dich von
> Netzspannung fernhalten. Gar nicht davon zu reden eine Sicherung mit
> einem Halbleiter nachzubauen.

tja dann überleg ma warum ich mir hier rat ersuche?!? Mit solchen 
Kommentaren komm ich nicht weiter..
Verstehe zwar nicht was an der Spannungsangabe falsch gewesens ein 
soll..
p.s. Grundkenntnisse sind vorhanden jedoch wenig im Bereich der 
Halbleiterschaltungstechnik...
Persönliche Seite #2420433
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Du musst die MosFets Source an Source anschließen. Damit die Dioden 
Antiseriell geschaltet sind und immer eine Sperrt, Außerdem kannst du 
durch das gemeinsame Sourcepotential die beiden MosFets überhaupt erst 
mit EINER spannung ansteuern.

Aber Mit Galvanischer trennung meinte ich, dass das "dahinter" liegende 
Netz wirklich davon getrennt ist wenn diene Sicherung anspricht.
Bei einer Sicherung kann man bei ausgeschalteter Sicherung (ok ganz nach 
Vorschrift gibts noch mehr zu tun als Sicherung raus) am Netz arbeiten, 
bei deiner Schaltung würde ich das nicht tun.

Was soll denn der genaue Einsatzzweck sein für deine Schaltung? Wo soll 
sie eingesetzt werden?
Persönliche Seite #2420442
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Zum einen muß man mit mehreren 5KV Impulsen pro Jahr am Netz rechnen, 
zum anderen legieren Halbleiter bei Überlast meist durch. Die Sicherung 
wird also irgendwas zwischen 10 Ohm Widerstand und 
Einseitengleichrichter werden.
Dagegen trennt eine Schmelzsicherung ziemlich zuverlässig.

Was du brauchst, mußt du selber wissen. Viel Sachverstand leuchtet nicht 
durch und das ist gefährlich!

Schreibe wenigstens WAS du damit sichern willst und welche Konsequenzen 
du eingehen möchtest, wenn die Sicherung dann versagen könnte.

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