Hallo, ich bin dringend auf der Suche nach einem MOS FET des Spezifikationen wie oben beschrieben sind, also MOS FET, n-Kanal, Drain-Source-Spannung größer oder gleich 300V und einem Drain-Source-Widerstand< 25 milliohm habe selbst lediglich zwei Stück gefunden, kennt ihr weitere Hersteller bzw MOS FETs mit diesen Spezifikationen?!? MfG Daniel
Es ist erstaunlich, dass du überhaupt zwei Stück gefunden hast, ich hätte es für unmöglich gehalten. Kannst du mal die Typen nennen?
Ist mit SiC Transistoren gar kein Problem, sind halt teuer
Erstma danke für eure Beteiligung :) Ja das sind die Modelle die ich auch gefunden hatte, allerdings hatte ich noch den IXTK110N30 (26mOhm) gefunden, den es aber nicht mehr zu geben scheint.. Nun ja der SiliziumKarbid Transistor scheint brauchbar zu sein, allerdings ist der Preis nicht realiserbar, ich sollte unter 7 € bleiben.. Mittlerweile bin ich auf einen IBGT gestoßen, da dieser über ein niedrigeren Widerstand verfügt und somit bei hohen Strömen sich nicht so enorm erhizt. Allerdings fange ich mir hier das Problem mit der Ansteuerung ein, denn ich muss diesen über einen OptoKoppler bestromen, bislang ist eine MOS FET verbaut, der im Maximalfall 50 microAmpere zur Ansteuerung bekommt.. Habt ihr mehr Erfahrungen mit IBGT´s bislang? MfG
Welche Schaltfrequenz? Was willst du überhaupt machen? Schaltplan? Mit diesen Infos gibt's vielleicht eine andere Lösung.
Daniel schrieb: > bislang ist eine MOS FET verbaut, der im Maximalfall 50 microAmpere zur > Ansteuerung bekommt.. Habt ihr mehr Erfahrungen mit IBGT´s bislang? 50 µA um einen Mosfet mit 300 V und 100 A zu schalten. Bist du da sicher?
>Mittlerweile bin ich auf einen IBGT gestoßen, da dieser über ein >niedrigeren Widerstand verfügt und somit bei hohen Strömen sich nicht so >enorm erhizt niedriger Widerstand ist in Zusammenhang mit IGBT nicht wirklich richtig. Für die Leitendverluste gilt: MOSFET:
IGBT:
fällt Dir was auf? Könnte sein, dass ein IGBT für Deine Anwendung besser geeignet ist. Erzähl uns doch etwas mehr, wie z.B. Anwendung. Schaltfrequenz. Ansteuerung ... Auch einen Schaltplan wäre ganz nett, dann lässt es sich gleich besser diskutieren. >der im Maximalfall 50 microAmpere zur Ansteuerung bekommt Hört sich nicht ganz koscher an! >Allerdings fange ich mir hier das Problem mit der Ansteuerung ein Wo siehst Du da ein Problem? Schönen Abend!
Also, meine Aufgabe besteht darin, eine elektronische Absicherung eines 16A Stromkreise zu entwerfen. Hierfür musste ich erst einmal eine Auswahl geeigneter Bauteile treffen. So rückte bei mir auch der MOS FET und der IGBT in die nähere Auswahl. @Hans, ja ich hab´s gemerkt und bin auch kurz davor vom IGBT abzusehen, lediglich der Ansteuerstrom ist noch interessant! Die Quelle stellt die Beschaltung über eine Optokoppler mit einer Versorgungsspannung mit 5 V und einem Strom von 1microAmpere dar. Bei einer Unterbrechung wird dieser Kurzgeschlossen und das am MOS FET anliegende Potential nach oben gezogen, somit sperrt der MOS FET. Da die Schaltung für Gleich- als auch Wechselstrom ausgelegt werden muss, benötige ich zwei MOS FETs, da diese über parasitäre Dioden verfügen. Die Dioden am Ausgang sind erst einmal aus acht zu lassen... Eigentlich wollte ich die Schaltung auf 600V auslegen, aber leider verfügen diese über einen zu hohen Rds, was eine zu hohe Leistung und somit zu eine zu hohe Wäreleistung nach sich zieht. Aus diesem Grund habe ich MOS FETs mit lediglich 300V genommen. Ich erhoffte mir, dass ich mit IGBTs dies besser lösen kann, aber danach sieht es nicht aus. Zudem sollte ein Bauteil nicht mehr als 6 € kosten :) Danke für eure Beteiligung! MfG Daniel
Daniel schrieb: > Also, meine Aufgabe besteht darin, eine elektronische Absicherung eines > 16A Stromkreise zu entwerfen. AC oder DC ? Was soll denn der Schaltplan darstellen?
Düsendieb schrieb: > AC oder DC ? > Was soll denn der Schaltplan darstellen? Sowohl als auch :) Es muss beides abgedeckt sein!
Deine 5V beziehen sich nicht auf das Sourcepotential vom ersten Transistor, so wird das nix. Deine Mosfets hast du Seriell geschaltet, nicht antiseriell, so wirst du immer eine Halbwelle leiten und die andere je nach Ansteuerung sperren oder leiten, einfach zwei Mosfets in Serie ... bringt hier nix. 5V sind für die meisten (Leistungs) MosFets zu wenig, vor allem in dieser Leistungsklasse. Was sollen da D1 und D2 und wo geht der Pfeil hin?! Achja, mit deiner Diode über dem zweiten Transistor hast du auch wieder zwei AntiSerielle Diode gebastelt, das konstrukt wird also beide Halbwellen leiten, ist also für Wechselstrom nahezu eine Brücke/Widerstand aber definitiv kein Schalter mehr. Wieso willst du eigentlich eine Sicherung durch elektronische Bauteile ersetzten? Du hast im ausgeschalteten Zustand immer noch keine galvanische Trennung, durch den Varistor erst recht nicht mehr. Wenn du dir das ganze nicht ausreden lässt kannst du ja immer noch mehrere MosFets parallel schalten.
Daniel schrieb: > Also, meine Aufgabe besteht darin, eine elektronische Absicherung eines > 16A Stromkreise zu entwerfen. Soll es für das normale Stromnetz mit 230 V sein?
Alexander Schmidt schrieb: > Soll es für das normale Stromnetz mit 230 V sein? In erster Linie ja, höhere Spannungen wären wünschenswert... MfG
Hauke Radtki schrieb: > Deine 5V beziehen sich nicht auf das Sourcepotential vom ersten > Transistor, so wird das nix. Deine Mosfets hast du Seriell geschaltet, > nicht antiseriell, so wirst du immer eine Halbwelle leiten und die > andere je nach Ansteuerung sperren oder leiten, einfach zwei Mosfets in > Serie ... bringt hier nix. > 5V sind für die meisten (Leistungs) MosFets zu wenig, vor allem in > dieser Leistungsklasse. Naja real liegen dort 8,6Volt an, die müssen laut Datenblatt reichen.. http://ixapps.ixys.com/DataSheet/DS99557F(IXFK-FX140N30P).pdf > > Was sollen da D1 und D2 und wo geht der Pfeil hin?! Die Dioden sind erstmal außer acht zu lassen, ich hätte Sie noch entfernen sollen.. > Achja, mit deiner Diode über dem zweiten Transistor hast du auch wieder > zwei AntiSerielle Diode gebastelt, das konstrukt wird also beide > Halbwellen leiten, ist also für Wechselstrom nahezu eine > Brücke/Widerstand aber definitiv kein Schalter mehr. ? Verstehe ich nicht ganz, denn beide Halbwellen werden im leitenden Zustand übertragen bzw. im nichtleitenden wird keine übertragen oder übersehe ich da etwas? > Wieso willst du eigentlich eine Sicherung durch elektronische Bauteile > ersetzten? Du hast im ausgeschalteten Zustand immer noch keine > galvanische Trennung, durch den Varistor erst recht nicht mehr. Galvanische Trennung erfolgt durch Optokoppler, welche an anderer Stelle des Schaltungsentwurfs stehen.. (5V quelle für Gate..) > Wenn du dir das ganze nicht ausreden lässt kannst du ja immer noch > mehrere MosFets parallel schalten. Hmm ein "MOS FET" Grab so zu sagen.. Daran dachte ich um den Rds zu reduzieren, allerdings ist der Kostenfaktor dann wieder der bremsende Aspekt. Wie sähe dies deiner Meinung nach aus?
Daniel schrieb: > Drain-Source-Spannung größer oder gleich 300V ... Daniel schrieb: >> Soll es für das normale Stromnetz mit 230 V sein? > In erster Linie ja, höhere Spannungen wären wünschenswert... Da dir die absoluten Grundlagen fehlen, solltest du dich von Netzspannung fernhalten. Gar nicht davon zu reden eine Sicherung mit einem Halbleiter nachzubauen.
Alexander Schmidt schrieb: > Da dir die absoluten Grundlagen fehlen, solltest du dich von > Netzspannung fernhalten. Gar nicht davon zu reden eine Sicherung mit > einem Halbleiter nachzubauen. tja dann überleg ma warum ich mir hier rat ersuche?!? Mit solchen Kommentaren komm ich nicht weiter.. Verstehe zwar nicht was an der Spannungsangabe falsch gewesens ein soll.. p.s. Grundkenntnisse sind vorhanden jedoch wenig im Bereich der Halbleiterschaltungstechnik...
Welche Spannung sieht ein Mosfet denn maximal bei Netzspannung?
Lass dich nicht beirren. Bei Freebus haben sie einen Dimmer mit fast dem gleichen Aufbau gemacht. Da dachte auch jeder: das geht nicht. http://www.freebus.org/index.php/hardware-mainmenu-36/fb-applikationsboards-mainmenu-73/dimmer Sicherung ist sicher ein wenig schwierig wegen der Anstiegsgeschwindigkeit, aber zeig es Denen. Gruß Philip
Alexander Schmidt schrieb: > Welche Spannung sieht ein Mosfet denn maximal bei Netzspannung? 230 V.. wäre aber auch schön wenn ein Multimeter höher (z.B. 400V) mittels dieser Sicherung messen kann..
Daniel schrieb: >> Welche Spannung sieht ein Mosfet denn maximal bei Netzspannung? > 230 V Falsch und das in mehrerlei Hinsicht.
Philip als schrieb: > Lass dich nicht beirren. > Bei Freebus haben sie einen Dimmer mit fast dem gleichen Aufbau gemacht. > Da dachte auch jeder: das geht nicht. > > http://www.freebus.org/index.php/hardware-mainmenu... > > > Sicherung ist sicher ein wenig schwierig wegen der > Anstiegsgeschwindigkeit, aber zeig es Denen. > > Gruß Philip ein Ansatz :) Thx
Alexander Schmidt schrieb: > Daniel schrieb: >>> Welche Spannung sieht ein Mosfet denn maximal bei Netzspannung? >> 230 V > Falsch und das in mehrerlei Hinsicht. Lass gut sein, destruktive Kommentare kannste dir schenken.. p.s. Klugscheisser mag keiner..
Warum schreibt man "falsch" ohne jede Erklärung? Warum hilft man einen Unwissendem nicht weiter. Wenigstens Stichworte wie Spitzenwert Effektivwert oder ein Wiki Link http://de.wikipedia.org/wiki/Wechselspannung http://www.elektronik-kompendium.de/sites/grd/0208071.htm http://www.frustfrei-lernen.de/elektrotechnik/gleichspannung-wechselspannung-elektrotechnik.html
Die Spannung stimmt hinten und vorne nicht: http://www.google.de/search?q=(230V+%2B+0.1*230V)*+sqrt(2) = 357V Dazu hast du noch Transienten, Leitungsinduktivitaeten, induktive Verbraucher, kapazitive Verbraucher (Einschaltverluste).
Du musst die MosFets Source an Source anschließen. Damit die Dioden Antiseriell geschaltet sind und immer eine Sperrt, Außerdem kannst du durch das gemeinsame Sourcepotential die beiden MosFets überhaupt erst mit EINER spannung ansteuern. Aber Mit Galvanischer trennung meinte ich, dass das "dahinter" liegende Netz wirklich davon getrennt ist wenn diene Sicherung anspricht. Bei einer Sicherung kann man bei ausgeschalteter Sicherung (ok ganz nach Vorschrift gibts noch mehr zu tun als Sicherung raus) am Netz arbeiten, bei deiner Schaltung würde ich das nicht tun. Was soll denn der genaue Einsatzzweck sein für deine Schaltung? Wo soll sie eingesetzt werden?
Zum einen muß man mit mehreren 5KV Impulsen pro Jahr am Netz rechnen, zum anderen legieren Halbleiter bei Überlast meist durch. Die Sicherung wird also irgendwas zwischen 10 Ohm Widerstand und Einseitengleichrichter werden. Dagegen trennt eine Schmelzsicherung ziemlich zuverlässig. Was du brauchst, mußt du selber wissen. Viel Sachverstand leuchtet nicht durch und das ist gefährlich! Schreibe wenigstens WAS du damit sichern willst und welche Konsequenzen du eingehen möchtest, wenn die Sicherung dann versagen könnte.
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