MOSFET Antiseriell

Ernst Heini schrieb:
> Mittlerweile bin ich mir unsicher, ob es überhaupt so funktioniert.

Kommt darauf an, wie dein Lastkreis aussieht und welchen Pegel Power_HL2 
erreicht. Liegt der Sourceanschluss immer bei (ungefähr) 0V? Dann könnte 
es klappen. Wenn Power_HL2 dann noch 5V erreicht, steuerst du die FETs 
immerhin noch mit 4,3V auf.

Wenn allerdings die Sourcen auf irgendeinem Potential (weit weg von 0V) 
liegen oder wenn Power_HL2 nur 3,3V beträgt, dann klappt es leider 
nicht.

Einfach daran denken: du musst die Gate-Source Spannung vorgeben, um den 
MOSFET zu steuern.

Achim S. schrieb:
> Wenn Power_HL2 dann noch 5V erreicht, steuerst du die FETs
> immerhin noch mit 4,3V auf.

Nicht ganz. Der (mMn sinnlose) R1825 verhindert das. Man kommt dort nur 
auf etwa 3V.

ArnoR schrieb:
> Nicht ganz. Der (mMn sinnlose) R1825 verhindert das. Man kommt dort nur
> auf etwa 3V.

oh, stimmt. Da ist ja noch ein (nicht sehr sinnvoller) Spannungsteiler 
eingebaut. Dann korrigierie ich meine vorherige Aussage: Wenn Power_HL2 
dann noch 5V erreicht und die Quelle in der Lage ist, den R1824 zu 
treiben (über die BE-Diode), dann steuerst du die FETs immerhin noch mit 
4,3V auf. Dann kannst du den Bipolartransistor aber auch gleich 
weglassen.

Ernst Heini schrieb:
> das könnte das Problem sein, dass die Sourcleitungen in der Luft liegen
> und deshalb nicht schalten.

Dann zeig uns doch mal, wie die Last und deren Versorgung aussehen (und 
vor allem deren Massebezug).

Ernst Heini schrieb:
> das könnte das Problem sein, dass die Sourcleitungen in der Luft liegen
> und deshalb nicht schalten.

Das tun sie nicht. Falls der Ausgang über eine Last auf Masse geht, 
würden die Source-Anschlüsse über die Rückwärtsdiode des rechten Mosfet 
auf 0,7V über Masse geklemmt sein. Damit bekommen die Mosfets beide eine 
Gate Source-Spannung von U_R1824-Uf. Damit steuern die etwas auf und der 
rechte überbrückt seine Rückwärtsdiode -> Ugs steigt um Uf an.

Hi!

Das wird schwierig so, wie Du es vorhast.
ich denke mal, du willst grössere Spannungen schalten.
Warum denn nicht mit P-Kanaler? Du musst sonst immer die Gate > 
Pwr+CTRL+Vdurch halten. Wobei Vdurch die Spannung ist, wo der N-Kanaler 
durchschaltet.

Probiers mal so:

siehe Anhang.

Die C's kannst auch weglassen.

Ernst Heini schrieb:
> das könnte das Problem sein, dass die Sourcleitungen in der Luft liegen
> und deshalb nicht schalten.

Dann zeig uns doch mal, wie die Last und deren Versorgung aussehen (und 
vor allem deren Massebezug).

Ernst Heini schrieb:
> Am Gate leige die 3V3 an, aber
> trotzdem schalten diese nicht.

1) 3,3V sind nicht sehr viel, aber vielleicht ausreichend.
2) wie sieht dein Lastkreis aus? Das entscheidet, welche 
Gate-Source-Spannung anliegt, wenn dein Gate auf 3,3V (bezogen auf GND) 
liegt.

Hmm, was soll das Teil machen?
Da sind meiner Meinung nach bei beiden FETs Drain und Source vertauscht.

Ernst Heini schrieb:
> Ansonsten habe ich einen neuen Snapshot von der Schaltung inkl. der Last
> eingezeichnet.

Danke. Wenn die 24V sich auf das selbe GND-Potential beziehen, dann kann 
das natürlich nicht funktionieren. Überlege dir, auf welchem Potential 
die Sourcen liegen, wenn die FETs durchschalten würden. Auf welchem 
Potential müssten dann die Gates liegen?

Ernst Heini schrieb:
> Welche Möglichkeiten gibt es für einen Umbau ohne die komplette
> Schaltung zu ändern?

Wenn du +24V nach außen schalten willst, dann sind die antiseriellen 
nFETs überflüssig. In dem Fall wäre ein einzelner pFET besser, den du 
über einen Pegelshifter ansteuerst. Alternativ könne ein integrierter 
Highside-Switch die ideale Lösung für dich sein (hat den Levelshifter 
schon eingebaut, und evtl noch andere Gimmicks wie Verpolungsschutz...)

Falls AC nötig: Antiseriell würde ich mit einem High Side Gate Driver 
bauen.
Siehe Bild.

Gruss

Bei nMOSFETs musst du am Gate um 10V über der Source spannung liegen.

Wenn Du NUR schalten willst, brauchst du keinen Treiber oder sowas!

P-Kanal, dann mit NPN dessen gate beim (EIN)schalten auf 24-15V=9V 
legen!
Die 9V kannst du indirekt per 15V-Z-Diode zwischen Source und Gate 
erzeugen.
Denn: Gate-Source beim P-Kanaler dürfen üblicherweise nich >20V werden!!
Natürlcih entsprechende Widerstände nicht vergessen!