MOSFET Treiber AVR

Gast #3869743
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ich möchte mit dem Mosfet Si7852DP (Anwendung Tiefsetzsteller) über PWM 
des Atmegas 2 bis 10 Amper schalten. Was für ein Mosfettreiber kann ich 
benutzen? (Typ, Empfehlungen). Ich habe ein LM5112SD gefunden aber 
dieser hat als Undervoltage-Grenzwert 3V.Dadurch kann mein MOSFET nicht 
vollständig leitend werden und die abfallende Leistung an dem Mosfet 
wird problematisch.

was kann noch als mosfet teiber benutzen? (typen)
Gast #3869957
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Könnt

Michael Köhler schrieb:
> Der Atmega kann den BC547 schalten, dieser kann dann einen FET
> schalten
> der dann die 10A schaltet. So war das gedacht ;)

Könnt ihr mir ein Mosfet-Treiber empfehlen? Ich komme mit den 
Datenblattangaben nicht ganz zurecht. Haben alle Mosfettreiber 
Undervoltage-Grenzwert? Der Treiber soll mein Si7852DP vollständig 
schalten können.
#3869971
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verna schrieb:
> Könnt ihr mir ein Mosfet-Treiber empfehlen?

Nachdem du vmtl. eh High-Side brauchst:
IR2101 & co.

Den Low-Side Teil dann mit zweitem FET als Aktive Diode zur 
Wirkungsgrad-Verbesserung einsetzen.

> Ich komme mit den
> Datenblattangaben nicht ganz zurecht. Haben alle Mosfettreiber
> Undervoltage-Grenzwert?
Hoffentlich (zumindest die, die ihre High-Side-Spannung per 
Bootstrap-Diode gewinnen). Sonst brät dir der Treiber den FET, wenn es 
blöd läuft.

> Der Treiber soll mein Si7852DP vollständig
> schalten können.

d.H. der Treiber sollte ein Under-Voltage-Lockout bei mindestens 5, 
besser 8 oder gleich 10 Volt haben.


Der oben genannte IR2101 passt da.
Gast #3870557
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Treiber schrieb:
> Was ist genau Under-Voltage-Lockout?

Wenn im

Treiber schrieb:
> verna schrieb:
> Was ist genau Under-Voltage-Lockout?
>
> Eine Schutzschaltung im Treiber, die dafür sorgt dass der Fet entweder
> ganz aus oder ganz an ist, aber nie Halb durchgeschaltet.
>
> Deswegen muss der Treiber zum Fet passen.

Wenn im Datenblatt als under voltage lockout 3v angegeben ist, heisst es 
dann, dass der Treiber am Gate des Mosfets 3v anliegt?
Gast #3870608
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Meine Güte, lies das Datenblatt doch mal komplett.
Da steht ganz deutlich beschrieben was der undervoltage lockout ist und 
was der tut.

Das Du eine VCC von ca 10V brauchst um den Fet voll aufzusteuern und das 
die Entwärmung über die PCB nicht trivial ist wird Dir sicher klar sein 
..?
#3871022
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verna schrieb:
> Wenn im Datenblatt als under voltage lockout 3v angegeben ist, heisst es
> dann, dass der Treiber am Gate des Mosfets 3v anliegt?

Nein. Das heißt, dass der Treiber sich weigert den FET einzuschalten, 
wenn er weniger als 3 Volt dazu zur Verfügung hätte.

d.H: Solange Versorgungs-Spannung < 3 Volt ist der FET immer ganz aus.

==> Wenn der FET bei 3V schon ganz durchgeschaltet ist, ist damit 
sichergestellt, dass er nur im Schaltbetrieb genutzt wird.

Dein FET ist aber bei 3 Volt noch weit vom "eingeschaltet" Zustand 
entfernt.
Der Treiber passt also nicht, die Schutzschaltung wäre wirkungslos.

der IR2101 stellt mit seinen ca.8V Undervoltage-Lockout also sicher, 
dass dein FET entweder 0V oder 8…20V am Gate sieht, je nach 
Versorgungsspannung und externer Beschaltung. Ein Zustand mit z.B. 4V am 
Gate, also Linearbetrieb mit hoher Verlustleistung, wird verhindert.
#3874095
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Dann hat er sowas auch nicht ;)

Du musst im Datenblatt schauen wie stark du einen Pin belasten darfst 
(Electrical characteristics) und schaun wieviel Strom du für das Umladen 
des Gates brauchst. Danach kannst du dann entscheiden wie du die 
Ansteuerung realisierst.
Gast #3874120
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Schau mal bei AT90PWM3B nach. Der hat eine PSC. Da kannst du dich 
informieren was das ist und wofür das gut ist.
Aber um es kurz zu machen, das hilft dir bei deinem Problem nicht 
weiter.
Bei dir geht es ja um das Schalten von Mosfets und nicht wie du 
komplexere Pulsmuster generieren kannst.

Gruß
Gast #3876535
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Εrnst B✶ schrieb:
> Bootstrap-Diode


> Den Low-Side Teil dann mit zweitem FET als Aktive Diode zur
> Wirkungsgrad-Verbesserung einsetzen.

Wie meinst du genau?

> Hoffentlich (zumindest die, die ihre High-Side-Spannung per
> Bootstrap-Diode gewinnen). Sonst brät dir der Treiber den FET, wenn es
> blöd läuft.

Was ist Bootstrap-Diode?
Gast #3876566
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Ich möchte mit einem Mikrocontroller (avr) ein Mosfet ansteuern (15kHz). 
Mosfet soll bis zu 10A schalten können. Es gibt viele möglichkeiten aber 
wie weiß nicht welche richtig ist.

Variante 1: mikrocontroller-->mosfet treiber-->power mosfet
Variante 2: mikrocontroller-->logic level mosfet

Kann man mit einem logic level mosfet (ohne treiber) hohe Ströme genug 
schnell schalten?
Gast #3876817
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>> Den Low-Side Teil dann mit zweitem FET als Aktive Diode zur
>> Wirkungsgrad-Verbesserung einsetzen.

verna schrieb:
> Wie meinst du genau?

Der Treiber ist für zwei FETS. Warum also nicht den zweiten Treiber dazu 
verwenden, um mit einem zweiten FET die Schottky-Diode Kurz-zuschließen, 
um den Wikungsgrad zu verbessern?

verna schrieb:
> Was ist Bootstrap-Diode?

Man kann die Versorgungsspannung für den "oberen" FET-Treiber per Diode 
und Kondensator erzeugen, indem man den durch den unteren FET erzeugten 
Spannungshub "aufhebt".
Datenblatt erste Seite im Anhang.

verna schrieb:
> Kann man mit einem logic level mosfet (ohne treiber) hohe Ströme genug
> schnell schalten?

Erfahrungswert:
ATTiny 45, 125kHz PWM, ca. 7A zu schalten, IRLU2905 ungekühlt (im I-Pak 
freistehend montiert, also noch nichtmal Kupferfläche darunter) wurde 
nicht mal lauwarm.

deine 15kHz sind dagegen ein Kinderspiel, das geht sicher ohne Treiber.

Aber (und das sind jetzt absolute Basics): Nur wenn du Mosfet-Source mit 
GND des µCs und Mosfet-Gate mit dem Ausgangs-Pin des µCs verbindest.

Sobald dein Mosfet-Source-Pin irgendwie anders belegt werden soll, 
brauchst du zwingend einen High-Side-Treiber oder Levelshifter.
Angehängte Dateien:

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