Verpolungsschutz Mosfet every circuit

Da fallen 2 Sachen auf.

In den schwarzen Bildern ist der Pfeil verkehrt herum - mal 
kontrollieren, ob du wirklich diesen P-Kanal ausgewählt hast.

Die 5,61A liegen schon knapp ausserhalb der Grenzen. Im Datenblatt 
findest du ein Diagramm  DrainCurrent / DrainSourceVoltage bei 150°. Das 
geht nur bis 5A.

Deine Simulationsbilder zeigen einen n-Kanal-FET. Für den Verpolschutz 
braucht man einen p-Kanal-FET. Außerdem ist Source und Drain vertauscht.

Martin S. schrieb:
> Also beim ersten Bild fließt der ganze Strom durch die Body-Diode. Ist
> das beabsichtigt?

Das ist so bei einem aktiven Verpolschutz!

Martin S. schrieb:
> Damit
> läuft der Mosfet in Leitrichtung und verbrät damit nur die Leistung am
> RDSon.

auch in dieser Schaltung schließt RDSon den Spannungsabfall an der 
Bodydiode kurz (bei richtiger Polung der Spannung).

Martin S. schrieb:
> Kenne ich anders. Darum fragte ich.
>
> Ich kenne die Lösung mit einer kleinen Spannungsdopplerschaltung. Damit
> läuft der Mosfet in Leitrichtung und verbrät damit nur die Leistung am
> RDSon.

Klar, es gibt zwei Varianten.
- nMOS, dann musst du die UGS über eine Verdopplerschaltung auf das 
Sourcepotential aufsetzen. Die hat den Vorteil, dass man nFETs für hohe 
Spannungen und Ströme (kleineren RDSon) in größerer Auswahl zur 
Verfügung hat. Erfordert Aufwand, man muss immerhin einen Takt für die 
Verdopplerschaltung zur Verfügung haben, bevor der FET dann leitend 
werden kann.
- pMOS, die einfachste Variante mit den fehlenden Vorteilen, dafür mit 
fast keinem Aufwand. Außerdem geht diese Variante dann nicht, wenn z.B. 
Ruhestromanforderungen (Automotive, Klemme 30, <100µA) erfüllt werden 
müssen und eine Versorgung über 20V notwendig ist (LKW). Dann fließt 
immer ein Strom über die Gate-Schutzdiode.

Ansonsten sind beide gleichwertig und in beiden werden die FETs in 
Reverse-Richtung betrieben - was u.U. nicht für alle spezifiziert ist.

Magnus M. schrieb:
> Selbst wenn er den Transistor
> durch eine Brücke ersetzen würde, würden dort 600A fließen!

Was aber in der Simulation zu keinen Rauchzeichen führt ... :-)

Natürlich hast du recht!

Magnus M. schrieb:
> Was bezweckst du mit dem 0,1 Ohm Lastwiderstand?

Sollte als Verbraucher ("TEN 6-4811WIN DC-DC") gelten.


Noch einer schrieb:
> Da fallen 2 Sachen auf.
>
> In den schwarzen Bildern ist der Pfeil verkehrt herum - mal
> kontrollieren, ob du wirklich diesen P-Kanal ausgewählt hast.
>
> Die 5,61A liegen schon knapp ausserhalb der Grenzen. Im Datenblatt
> findest du ein Diagramm  DrainCurrent / DrainSourceVoltage bei 150°. Das
> geht nur bis 5A.

1. Habe ich schon gecheckt --> ist wirklich ein P-Kanal Mosfet der 
N-Kanal Mosfet (siehe Bild) sieht so aus.

2. Genau an diesem Punkt verstehe ich den Vorgang nicht: Warum liegen am 
Lastwiderstand nicht 60V an?


Martin S. schrieb:
> Also beim ersten Bild fließt der ganze Strom durch die Body-Diode.
> Ist
> das beabsichtigt?

Sieht für mich auch so aus, aber eigentlich sollte es nicht so sein 
(siehe Beitrag von Autor: Lothar Miller (lkmiller))


Magnus M. schrieb:
> Trotzdem sollte der TO in seiner Simulation den 0,1 Ohm
> Lastwiderstand
> durch einen sinnvollen Wert ersetzen. Selbst wenn er den Transistor
> durch eine Brücke ersetzen würde, würden dort 600A fließen!

Was wäre denn ein sinnvoller Wert für einen "TEN 6-4811WIN DC-DC"?


meine Frage galt aber eigentlich noch immer der Spannung am 
Lastwiderstand - wenn der Mosfet öffnet müsste doch die volle Spannung 
am Lastwiderstand liegen!?

Michael schrieb:
> meine Frage galt aber eigentlich noch immer der Spannung am
> Lastwiderstand - wenn der Mosfet öffnet müsste doch die volle Spannung
> am Lastwiderstand liegen!?

Der Drain - Source - Widerstand müsste doch = NULL sein!?

Michael schrieb:
> Der Drain - Source - Widerstand müsste doch = NULL sein!?

Habs gerafft --> ist das Verhältnis vom Drain-Source-Widerstand zum 
Lastwiderstand.

@All Vielen Dank !!

Magnus M. schrieb:
> 480 Ohm, also das 4800fache des von dir gewählten Wertes!

Hast du 480Ohm aus dem Datenblatt (TEN 6-4811 WIN) berechnet oder 
abgelesen oder einfach deine Erfahrung?