hallo,
Ich habe eine grundsätzliche Frage zu Strom, Spannung und Widerstand an
einem Transistor und hoffe das mir jemand eine grundlegende, einfach
verständliche Erklärung schreiben könnte.
Anbei ein sehr vereinfachter Schaltkreis, der mittels Taster eine Lampe
über einen N-Transistor schaltet. Pullups uä. habe ich weggelassen, da
für meine Frage nicht notwendig.
Welche maximale DC Spannung kann man in Betriebsrichtung an der Basis
anlegen?
zB Transistor Bc337 als reiner Schalter, also entweder voll
durchgeschaltet oder ganz zu. Vce=45V, Ib=100mA P=0,65W. V-EB
(Sperrrichtung) =6V . Die andere Richtung also V-BE wird nicht
angegeben.
In diversen einfachsten Schaltungen wird die Basis von derselben
Spannungsquelle mit derselben Spannung (plus Basiswiderstand) geschaltet
die auch zwischen Kollektor und Emitter liegt. Mal sind das 5V, dann 9V
dann 12 oder 24V. Eine Obergrenze für die Basisspannung kann ich jedoch
nirgendwo finden. Der Strom wird über den Widerstand eingestellt. 100mA
Strom an Collector ergibt im Ohmbereich des Transistors (nicht oder
nicht ganz durchgeschalten) automatisch V-CE-max., aber kann ich
(theoretisch) mit entsprechendem Vorwiderstand jede beliebige Spannung
V-BE an der Basis anlegen? Würde eine zu hohe Spannung den Transistor
nicht trotzdem sofort zerstören?
Bipolare Transistoren sind Stromgesteuert. Die Sperrspannung ist mir
klar.
Am Transistor zwischen Basis und Emitter fallen rund 0.7V ab und am
Vorwiderstand R muss so viel Spannung abfallen, dass der benötigte Strom
konstant fließt um voll durchzuschalten.
Heißt das, dass ich theoretisch jede Spannung anlegen könnte, solange
durch den Vorwiderstand der maximale Strom nicht überschritten wird?
Ein Bc337 geht laut Datenblatt bis 45V. Für (theoretisch) 45V an der
Basis und Ib-const. = 100mA brauche ich demnach einen 450 Ohm 5W
Basisvorwiderstand.
Laut Datenblatt sind am Transistor 0.650W und 100mA erlaubt. Das wären
nach U=P/I rund 6V zwischen Collector und Emitter. Was sagen mir diese
6V über die Base-Emitter Spannungen? Ist das die maximale Spannung in
Schaltrichtung die an der Basis bei 100mA anliegen darf? Im Datenblatt
steht Emitter-Basis Strecke VEBO =6V, also in Sperrrichtung, jedoch
nicht Basis-Emitter VBEO in Durchlassrichtung. Ich suche also die
maximale Base-Emitter Spannung, (VBEO ), kann diese Angebe jedoch nicht
finden und eine Erklärung dazu!
Kann ich mir Vorwiderstand und Transistor sehr vereinfacht als
Reihenschaltung vorstellen? Sobald der Transistor durchgeschaltet und er
quasi keinen Widerstand mehr hat, ist es keine Reihenschaltung mehr und
die Teil-Spannung am Widerstand entspräche der Gesamtspannung.
Oder muss ich für den Widerstand des Transistors den Spannungsabfall von
rund 0,7V am Transistor nehmen? Aber bedeutet das, dass man, wenn auch
praktisch nicht relevant, theoretisch mit Hochspannung in die
Transistorbasis gehen könnte, solange der Vorwiderstand entsprechend
gewählt wurde.
Auch wenn man die Basisspannung wahrscheinlich so gering wie möglich und
hoch wie nötig ansetzen wird, würde ich gerne wissen, wie hoch man
theoretisch die BasisSpannung drehen darf, bis der Transistor durch zu
hohe Spannung beschädigt werden würde.
Die basis-Emitter Strecke ist doch mit einer einfachen Widerstand-Dioden
Schaltung vergleichbar. Bei LEDs wird Betriebsstrom und Spaunng
angeeben. Dadurch kann ich alles berechnen. Bei Transistoren fehlen
(mir) diese Angaben, wodurch ich anstehe.
Wäre toll wenn mir jemand die Strom,Spannungsverhältnisse und Grenzen am
transistor nochmals erklären könnte. In Foren habe ich keine Beiträge zu
maximalen Basis-emitter Spannung gefunden
Robert schrieb:> Welche maximale DC Spannung kann man in Betriebsrichtung an der Basis> anlegen?Robert schrieb:> V-EB> (Sperrrichtung) =6V . Die andere Richtung also V-BE wird nicht> angegeben.
Die BE-Strecke eines Bipolartransistors verhält sich wie eine Diode.
D.h. in Sperrrichtung läßt sie keinen Strom durch (zumindestt so gut
wie).
Dies gilt natürlich nur, solange diese Spannung nicht zu groß wird,
sonst bricht die Streck durch, daher wird hier eine Grenze angegeben.
Stark vereinfacht gesagt fließt in Flussrichtung kein Strom, solange die
Spannung unter ca. 0,7V liegt.
Ab 0,7V fließt Strom, die Spannung bleibt bei diesem Wert.
Der Strom muss daher durch einen Widerstand begrenzt werden, sonst würde
dieser, wenn man auch nur etwas mehr als 0,7V direkt zwischen B und E
legt, so hoch, dass der Transistor abraucht.
Übrigens ist das ein NPN-Transistor, die Bezeichnung N-Transistor gibt
es nicht.
PS: Um die Frage nocheinmal im Kern zu beantworten: es macht keinen
Sinn, eine Spannungsgrenze für BE in Flussrichtung anzugeben, die
Spannung stellt sich bei gegebenem Basisstrom von selber ein (um 0,7V
herum).
Dafür wird sinnvollerweise ein maximal zulässiger Basisstrom angegeben,
der nicht überschritten werden darf.
Sie dir doch mal das Ersatzschaltbild eines NPN Transistors an.
Die Strecke Basis Emitter ist darin eine Diode.
Das dort bei "eingeschaltenen" Transistor ca 0.7V abfallen,
hast du in deinem Beitrag selbst geschrieben.
Ganz unabhängig vom Basisvorwiderstand wird das auch nicht viel mehr
werden. Lediglich der Strom I_be würde steigen.
Im Zweifel halt bis das Bauteil stirbt.
Robert schrieb:> Der Strom wird über den Widerstand eingestellt.
Da die Basis-Emitterstrecke (Ube~0,7V )und der Vorwiderstand (U-Ube)
einen Spannungsteiler bilden ;-)
MfG Hans
Robert schrieb:> Am Transistor zwischen Basis und Emitter fallen rund 0.7V ab und am> Vorwiderstand R muss so viel Spannung abfallen, dass der benötigte Strom> konstant fließt um voll durchzuschalten.> Heißt das, dass ich theoretisch jede Spannung anlegen könnte, solange> durch den Vorwiderstand der maximale Strom nicht überschritten wird?
Ganz einfach gesagt: Ja
Ok, danke.
Das die Base Emitter Strecke einer Diode gleicht, war mir klar.
Also wenn ich als Spannungsabfall 0.7V annehmen kann und die Leistung
sowie Strom im Datenblatt gegeben ist, kann ich mir den Rest berechnen.
Ich werde nicht in die Verlegenheit kommen hohe Spannungen einzusetzen.
In einem Beispiel möchte ich an 24v ein MOSFET mittels Transistor
schalten und fragte mich ob ich jeden Transistor aus meiner kiste nehmen
kann. Nachdem es funktionierte, fragte ich mich nach der maximalen
Spannung.
Mit den 0.7V ist das nun geklärt.
Danke
Wolfgang schrieb:> Guckst du unter "On Characteristics" bei "Base−Emitter On Voltage"
Dort steht: Base−Emitter On Voltage
(IC = 300 mA, VCE = 1.0 V)..........1.2V MAX.
Was sagt mir das?
Wie soll ich diesen Wert interpretieren?
Robert schrieb:> Was sagt mir das?> Wie soll ich diesen Wert interpretieren?
Mehr kann nicht sen. Physikalisch. Solange der Transistor nicht
beschädigt ist.
Georg M. schrieb:> Robert schrieb:>> Was sagt mir das?>> Wie soll ich diesen Wert interpretieren?>> Mehr kann nicht sen. Physikalisch. Solange der Transistor nicht> beschädigt ist.
...und es sagt, dass die BE-Strecke eben nicht nur einfach eine Diode
ist. Das ist sie nur, solange der Kollektor nicht angeschlossen ist, im
normalen Transistorbetrieb hängt Ube eben auch von Ic ab.
Trotzdem gilt immer noch, dass Ube sich in sehr engen Grenzen aufhält.
Ich denke dass die Diode, das so ziemlich einfachste, elektronische,
Halbleiterbauelement ist.
Wenn es bei deren Verständnis hakt, sollte man die Finger vom Transistor
lassen. Der, auf primitiver Ebene, zwei Dioden mit sich herum schleppt.
Also wie von mehreren gesagt: Betrachte die Basis-Emitterstrecke als
Diode. Auf einfacher Ebene ist damit alles gesagt.
Wenn ich immer gleich die Finger von allem lasse, das mich interessiert,
würde ich nie etwas dazulernen.
Da ich hauptsächlich mit Arduinos spiele und maximal einen 12v Kreis
schalte, war ich noch nie in der Verlegenheit mir Gedanken zu machen,
wieviel V ein Transistor tatsächlich an der Basis maximal verträgt.
Zusammengefasst würde ich jetzt sagen, dass ich die Basis Emitter
Strecke mit Vorwiderstand als einfachen Spannungsteiler aus Widerstand
und Dioden sehen kann und der Spannungsabfall von 0.7V an der Diode
quasi als Richtwert für den Spannungsteiler angenommen werden kann. Laut
Datenblatt sogar bis 1.2V.
Demnach kann ich theoretisch jede Spannung anlegen, solange an dem
Vor(last)Widerstand die überschüssige Spannung abfällt, sodass am
Transistor nur noch 0.7 bis Max 1.2V abfallen können.
Demnach kann ich auch zb 10kV DC anlegen, solange ein ausreichend
gekühler "Monsterlastwiderstand" alles bis auf 0.7 bis 1.2V verbrät.
Vielleicht "nicht besonders" sinnvoll aber theoretisch machbar.
Der maximale Basisstrom liegt bei 1/10 des maximalen Collektorstromes.
Es ist dabei zwischen Peak und Dauerwerten zu unterscheiden.
In Sperrichtung haelt die BE Strecke nur ca. 6V aus.
Das ist der Grund weshalb manche Blinkerschaltungen mit 9V Block
betrieben sich bereits verabschieden koennen.
Dieter schrieb:> In Sperrichtung haelt die BE Strecke nur ca. 6V aus.> Das ist der Grund weshalb manche Blinkerschaltungen mit 9V Block> betrieben sich bereits verabschieden koennen.
Du hast natürlich völlig recht und ich würde diesen Umstand heute auf
jeden Fall beachten.
Aber: als ich noch ein junger Bastler war, laß ich keine Datenblätter
(und wenn, dann hätte ich nicht nach Ueb0 geschaut oder es hätte mir
nichts gesagt).
Trotzdem baute ich zahlreichen Blink- und Tut-Schaltungen, ohne darauf
zu achten und betrieb diese mit 9V oder 12V, ohne, dass ich Ausfälle
beobachtet hätte.
Wie gesagt: das soll keine Werbung für die Mißachtung von Datenblättern
sein!
M.A. S. schrieb:> Trotzdem baute ich zahlreichen Blink- und Tut-Schaltungen, ohne darauf> zu achten und betrieb diese mit 9V oder 12V, ohne, dass ich Ausfälle> beobachtet hätte.
Weil die B-E-Diode in Sperrrichtung in aller Regel einen „gemütlichen“
Durchbruch vollzieht, ähnlich einer Z-Diode (konnte man auch als
primitiven Ersatz für eine Z-Diode nehmen). Natürlich nur, solange du da
nicht zu viel Energie injizierst.
Trotzdem hatten bessere Bastelbücher auch damals schon in derartigen
Einfach-Schaltungen eine zweite Diode vor der Basis, mit dem Hinweis,
dass man sie bei Betrieb mit 6 V oder weniger weglassen kann.
Jörg W. schrieb:> Trotzdem hatten bessere Bastelbücher auch damals schon in derartigen> Einfach-Schaltungen eine zweite Diode vor der Basis, mit dem Hinweis,> dass man sie bei Betrieb mit 6 V oder weniger weglassen kann.
Damals war ich ziemlich ignorant und habe gerne alles weggelassen,
dessen Sinn ich nicht verstand.
Deswegen stürzte mein Schneider-CPC464, betrieben mit selbstgebautem
5V-Netzteil, bei dem ich - selbstverständlich - jegliche Netzfilter
wegließ, auch jedesmal ab, wenn ich meine Leuchtstoffröhre
einschaltete...
nun ja!
Was den Betrieb der BE-Strecke in Sperrrichtung angeht:
es gab Bastelanleitungen zum Bau von Rauschgeneratoren, bei denen ein
die BE-Strecke über einen relativ hohen vorwiderstand in Sperrrichtung
betrieben wurde. Der Basisstrom rauscht in dem Falle ziemlich, dies
nutze man dabei aus.
M.A. S. schrieb:> Der Basisstrom rauscht in dem Falle ziemlich, dies nutze man dabei aus.
Schrotrauschen, wenn ich mich recht erinnere. Müsste mit einer Z-Diode
auch gehen, aber B-E-Strecke war natürlich bastlermäßig einfacher, sowas
hat man ja praktisch immer zur Hand. ;-)
Robert schrieb:> Da ich maximal einen 12v Kreis> schalte, war ich noch nie in der Verlegenheit mir Gedanken zu machen,> wieviel V ein Transistor tatsächlich an der Basis maximal verträgt.
Nun, wenn Du diese 12V ohne Vorwiderstand an der Basis anschliesst,
würde der Transistor unweigerlich durchbrennen.
> Demnach kann ich theoretisch jede Spannung anlegen, solange an dem> Vor(last)Widerstand die überschüssige Spannung abfällt, sodass am> Transistor nur noch 0.7 bis Max 1.2V abfallen können.> Demnach kann ich auch zb 10kV DC anlegen, solange ein ausreichend> gekühler "Monsterlastwiderstand" alles bis auf 0.7 bis 1.2V verbrät.
So ist es. Du brauchst da auch garnicht unbedingt einen "Monster-
lastwiderstand", da Transistoren an der Basis eher mit µA oder
nur wenigen mA angesteuert werden. Die oben angegebenen Werte
von 100mA 0der 1,2V sind Maximalwerte, die man normalerweise
nicht ausschöpft.
> Vielleicht "nicht besonders" sinnvoll aber theoretisch machbar.
Nun, manchmal will man z.B. das Vorhandensein einer Hochspannung
mit einer LED anzeigen...
Harald W. schrieb:> Du brauchst da auch garnicht unbedingt einen "Monster-> lastwiderstand", da Transistoren an der Basis eher mit µA oder> nur wenigen mA angesteuert werden.
Nun, wenn man einen sehr kleinen Strom mit 10kV multipliziert, kommt
doch manchmal schon recht viel Leitung heraus.
Und entsprechend Spannungsfest sein müßte er auch, der Widerstand.
M.A. S. schrieb:> Nun, wenn man einen sehr kleinen Strom mit 10kV multipliziert, kommt> doch manchmal schon recht viel Leitung heraus.
10µA mal 10kV sind 100mW. das reicht schon, um mit dem BC337 eine
deutlich sichtbare LED anzusteuern.
> Und entsprechend Spannungsfest sein müßte er auch, der Widerstand.
Naja, so einige cm ist so ein 10kV-Widerstand schon lang.
Also ein "Mini-Monster". :-)
Ich hab den Eindruck, dass bisher niemand dem TO deutlich gemacht hat,
dass er keine Spannung an BE legen soll, sondern zwischen Basis und
Emitter einen Strom fließen lassen muss.
Die Spannung U_BE stellt sich dann schon richtig ein - wie bei einer
LED.
Robert schrieb:> Ja, beide sind Transistoren. Wird nicht üblicherweise> ein BJT als "normaler" Transistor bezeichnet?
Naja. Man muss ja nicht jeden Mist nachmachen...
Viele reden auch von "Stromspannung", obwohl man
einfach und korrekt "elektrische Spannung" sagen
könnte.
(Sprechen diese Leute eigentlich auch von
"Kraftleistung"? Egal.)
Bipolartransistoren sind Bipolartransistoren, und
Unipolartransistoren sind FETs.
Egon D. schrieb:>> Ja, beide sind Transistoren. Wird nicht üblicherweise>> ein BJT als "normaler" Transistor bezeichnet?>> Naja. Man muss ja nicht jeden Mist nachmachen...
Richtig, das machen zwar viele, ist aber unpräzise.
Transistoren sind beide, BJT wie auch FET.
JFETs sind sogar FETs mit PN-Übergang...
Die (richtigen) Kürzel sind völlig in Ordnung, aber das
weglassen des genauen Typs bei "Transistor" ist einfach
nur Bequemlichkeit - die auch ins Auge gehen kann.
HildeK schrieb:> Ich hab den Eindruck, dass bisher niemand dem TO deutlich gemacht hat,> dass er keine Spannung an BE legen soll, sondern zwischen Basis und> Emitter einen Strom fließen lassen muss.> Die Spannung U_BE stellt sich dann schon richtig ein - wie bei einer> LED.
Das ist in mehreren Beiträgen geschehen und:
Der TO hat das inzwischen auch verstanden.
igfetjfetbjt schrieb:> Richtig, das machen zwar viele, ist aber unpräzise.> Transistoren sind beide, BJT wie auch FET.
Nein!
Transistor ist Transistor. FET/Mosfet ist FET/Mosfet.
Den Mischmasch gibt es erst seit ein paar Jahren.
Auch der Begriff BJT gab es nicht, ist erst neuerdings aus dem
Englischen eingewandert.
> JFETs sind sogar FETs mit PN-Übergang...
Nein.
Richtig ist:
JFETs sind sogar MOS-FETs mit PN-Übergang...
Übrigens, der JFET war eher da.
michael_ schrieb:> igfetjfetbjt schrieb:>> Richtig, das machen zwar viele, ist aber unpräzise.>> Transistoren sind beide, BJT wie auch FET.>> Nein!
Doch, natürlich.
Da die Konzentration an Unsinn in Deinem weiteren
Beitrag auffällig hoch ist, gehe ich davon aus,
dass Du trollst. So unwissend kann niemand sein.
Auf alles zugleich kann man nicht eingehen - also ein Auszug:
michael_ schrieb:> igfetjfetbjt schrieb:>> Richtig, das machen zwar viele, ist aber unpräzise.>> Transistoren sind beide, BJT wie auch FET.>> Nein!
Doch. Und zwar ganz sicher. Da helfen auch keine Pillen...(oder
verschwenderisch angewandte Platzierung von Ausrufungszeichen).
> Begriff BJT gab es nicht, ist erst neuerdings> aus dem Englischen eingewandert.
Natürlich - zum Glück. Im Deutschen gibt es kein solches Kürzel.
Paßt ideal zu den restlichen (beidsprachigen) Abkürzungen, toll.
> JFETs sind sogar MOS-FETs mit PN-Übergang...
Wenn JFET=MOSFET, also DS-Kanal + Metall-Oxid-Gateisolation ---
wo genau würde man den PN-Übergang hinsiedeln? Denkt mal nach...
https://de.wikipedia.org/wiki/Datei:Jfet-070325_(vertikal).svg
Ich glaube ja ehrlich gesagt auch nicht, daß Du das ernst meinst.
Also: Was erzählst Du hier bloß? Denn witzig ist das nicht.
Die Wahrheit ist: Alle Transistoren sind "echte" Transistoren.
Die ganze Welt liegt doch nicht falsch, sie so zu nennen...(!)
Zugegeben benutz(t)en viele das Wörtchen Transistor sozusagen
ausschließlich in der Bedeutung "Bipolar-" ... u. a., weil es
just dafür lange kein Kürzel wie z.B. FET gab in Deutschland.
Dies an sich ist verständlich, und auch kein Grund für Vorwürfe.
(Obwohl man natürlich höflich auf die Nachteile hinweisen darf.)
Aber - und zwar ein großes aber - :
Diese Untugend, gegen das (Dland potentiell aus jenem Dilemma
[dem vorher fehlende Kürzel] rettende) BJT zu rebellieren,
nur weil einem jede Art Veränderung Angst macht, und man alles
noch mit "Schützt D / die deutsche Sprache" kombinieren kann im
Geiste - ist mir wohlbekannt, ich werkle frohgemut dagegen! ;)
michael_ schrieb:> JFETs sind sogar MOS-FETs mit PN-Übergang...
Was für ein Unfug.
Was meinst du wohl, wofür "J" steht und wofür "MOS" steht?
Welcher JFET hat eine Sandschicht als Gate-Isolation?
Robert schrieb:> Was sagt mir das? Wie soll ich diesen Wert interpretieren
Dass du, bei der Berechnung des Basisvorwiderstandes um aus einer
Spannung von z.B. 5V einen Strom von z.B. 5mA machen zu wollen, mit
nicht mehr Spannung am Basisanschluss rechnen musst, also 3.8k tuns.
Die real benötigte Spannung ist vor allem temperaturabhängig, wie bei
einer Diode von unter 0.4V bis über 1V.
HildeK schrieb:> Ich hab den Eindruck, dass bisher niemand dem TO deutlich gemacht> hat, dass er keine Spannung an BE legen soll, sondern zwischen Basis und> Emitter einen Strom fließen lassen muss. Die Spannung U_BE stellt sich> dann schon richtig ein - wie bei einer LED.
Richtig. Er hat sicher auch Probleme, eine LED zu verstehen. Viele Leute
verstehen das Konzrpt der Stromszeuerung nicht, sondern glauben es geht
nur um die Spannung, weil sie nicht in der Lage sind, gedanklich mal
Spannung und Strom zu vertauschen. Die Leute haben auch Probleme, Spulen
zu verstehen, und bsuen alles mit Kondensatoren.
Wolfgang schrieb:> michael_ schrieb:>> JFETs sind sogar MOS-FETs mit PN-Übergang...
Ist das besser?
MOS-FETs sind JFETs ohne PN-Übergang.
igfetjfetbjt schrieb:>> Begriff BJT gab es nicht, ist erst neuerdings>> aus dem Englischen eingewandert.>> Natürlich - zum Glück. Im Deutschen gibt es kein solches Kürzel.> Paßt ideal zu den restlichen (beidsprachigen) Abkürzungen, toll.
Doch: Transi oder Transe
Wolfgang schrieb:> michael_ schrieb:>> MOS-FETs sind JFETs ohne PN-Übergang.>> Fahrräder sind wie Autos, nur ganz anders.
Nein, es gibt Rennwagen und Wagen ohne Renn.
Allerdings habe ich noch nie einen Wagen
rennen gesehen. :-)
Der deutsche Ausdruck für sog. "normale
Transistoren wäre "bipolarer Transistor".
Eine Abkürzung dafür hat sich im Deutschen
aber noch nicht eingebürgert.
Diese Begriffe Transistor versus MOSFET muss man genau so im Kontext der
Zeit sehen, wie viele andere Begriffe. Nehmen wir zum Beispiel die
Lampe.
Heute denkt dabei jedes Kind an LED Leuchten, aber die Großeltern denken
zuerst an Glühbirnen. In so einer Sitation sind wir heute bei den
Transistoren.
Vor 100 Jahren gab es Lampen mit Kerzen, Gas, Öl und Strom.
Wenn ich meinen Opa aus dem Grab holen würde damit er mir eine analoge
Schaltung skizziert, würde er davon ausgehen, dass die Transistoren eine
BE Spannung zwischen 0,1 und 0,4V hätten. Denn für ihn war der gemeine
Transistor eben einer aus Germanium. Das musste ich schon damals zu
seinen Lebzeiten stets berücksichtigen, wenn ich mit ihm sprach. Sicher
kannte er auf FET, aber dass ich diese nur selten benutzen würde, das
war ihm durchaus klar.
Der erste Transistor war jedenfalls ein FET, von Julius Edgar Lilienfeld
im Jahr 1925 als Patent angemeldet. Wirklich gebaut wurden sie erst 20
Jahre später. Bipolare Transistoren kamen erst weitere 2 Jahre später im
Labor erst um 1950 im Handel.
Interessanterweise hatten die Bipolaren Transistoren das Rennen gegen
die Röhren gewonnen, nicht die FET. Also waren schon damals bipolare
Transistoren die normalen.
Alle Leute, die hier mit diskutieren sind je nach Alter entweder mit
bipolaren Transistoren oder mit beiden (BJT+MOSFET) groß geworden. Wobei
die MOSFET den bipolaren Silizium Transistor nicht abgelöst, sondern
ergänzt haben. Das alle anderen Transistor-Typen Sonderfälle sind, steht
außer Frage.
Insofern gehe ich davon aus, dass der gemeine Transistor immer noch der
bipolare Silizium-Transistor ist. Ich bin sicher, dass das auch jeder
Verkäufer an der Halbleitertheke so verstehen wird, wenn der um einen
Kleinleistungs-Transistor zum Schalten einer 100mA Glühlampe fragt.
Und dann holt er irgendeinen BJT aus dem Regal? So ein Käse. Es kommt
nur auf die Schaltung an, was da reingehört und nicht auf irgendwelche
historische Dialektik und das kann genauso ein FET wie ein BJT sein.
batman schrieb:> Und dann holt er irgendeinen BJT aus dem Regal?
Ja, Ein Verkäufer, der Erfahrung mit Hobbyelektronikern hat, weiß
welcher dass dann sein soll. Einige Verlage hatte diese Transistoren in
ihren Bauplänen den 70er bis 80er Jahren so genannt:
TUN = Transistor Universal NPN
TUP = Transistor Universal PNP
Da gab es dann wirklich keine konkreten Modellbezeichnungen. Für mich
war der TUN lange Zeit ein BC-107, dann ein BC-547 und heute ein BC-337.
Analog dazu gab es auch die
DUS = Diode Universal Silizium
Das ist für mich bis heute die 1N4148.
Quelle: Mein Gedächtnis.
Kannst du auch bei
https://de.wikipedia.org/wiki/Universaltransistoren_und_-dioden
nachlesen.
Stefanus F. schrieb:> Ja, Ein Verkäufer, der Erfahrung mit Hobbyelektronikern hat, weiß> welcher dass dann sein soll.
Aber auch nur aufgrund der Anwendung, die ihm beschrieben wird. In einer
anderen würde er (hoffentlich) einen MOSFET holen. Das ist nämlich auch
ein Transistor, wenn auch kein "normaler" oder "universaler".
batman schrieb:>> Ja, Ein Verkäufer, der Erfahrung mit Hobbyelektronikern hat, weiß>> welcher dass dann sein soll.> Aber auch nur aufgrund der Anwendung, die ihm beschrieben wird.
Natürlich.
Stefanus F. schrieb:> batman schrieb:>> Und dann holt er irgendeinen BJT aus dem Regal?>> Ja, Ein Verkäufer, der Erfahrung mit Hobbyelektronikern hat, weiß> welcher dass dann sein soll. Einige Verlage hatte diese Transistoren in> ihren Bauplänen den 70er bis 80er Jahren so genannt:>> TUN = Transistor Universal NPN> TUP = Transistor Universal PNP>> Da gab es dann wirklich keine konkreten Modellbezeichnungen. Für mich> war der TUN lange Zeit ein BC-107, dann ein BC-547 und heute ein BC-337.
Richtig.
Im Osten gab es die Bastlerbeutel.
Nur heute wird da eine wissenschaftliche Betrachtung gemacht.
Stefanus F. schrieb:> Analog dazu gab es auch die>> DUS = Diode Universal Silizium>> Das ist für mich bis heute die 1N4148.
Damals gab es noch verschiedene Dioden, welche die Parameter nicht
vollkommen erreichten.
Im Osten war es die SAY32, die 95% der Anwendungen abdecken konnte.
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